Содержание:
Синтез и строение high-k-диэлектриков на основе оксида гафния
Электронная структура вакансии кислорода в high-k-диэлектриках
Люминесценция high-k-диэлектриков
Электронная структура оксида, оксинитрида и нитрида кремния
Механизмы переноса заряда в диэлектрических пленках
Оптимизация диэлектрической проницаемости блокирующего диэлектрика в энергонезависимой памяти, основанной на нитриде кремния
ГРНТИ |
Дополнительные материалы по теме
Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Гриценко, Владимир Алексеевич; Елисеев, А. П.; Иванов, М. В.; Игуменов, И. К.; Каичев, В. В.; Карпушин, А. А.; Морозова, Н. Б.; Насыров, К. А.; Некрашевич, С. С.; Новиков, Ю. Н.; Перевалов, Т. В.; Пустоваров, П. А.; Расторгуев, А. А.; Смирнова, Т. П.; Снытников, В. Н.; Сорокин, А. Н.; Стояновский, В. О.; Шапошников, А. В.; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН; Институт неорганической химии им А.В. Николаева Сибирского отделения РАН; Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения РАН; Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения РАН; Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева Сибирского отделения РАН
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)