/ Ж. Бургуэн, М. Ланно ; пер. с англ. Ю. М. Гальперина и др. ; [пер.] под ред. В. Л. Гуревича. - М. : Мир, 1985. - 304 с. : ил. - Библиогр.: с. 289-297. - Предм. указ.: с. 298-300. -
Пер. изд. : Point defects in semiconductors / J. Bourgoin, M. Lannoo. - 2.70 р.
ББК В379.2
Держатели документа: Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа: Ланно, Мишель; Гальперин, Ю. М. \пер.\; Гуревич, В. Л. \ред.\; Bourgoin, J. ; Lannoo, Michel
Экземпляры всего: 2
КФ (2)
Свободны: КФ (2)