/ Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников, Ин-т неорган. химии; отв. ред. Л. Н.
Александров и Ф. А. Кузнецов. - Новосибирск : Наука, 1975. - 438 с. : фот. - Библиогр. в конце ст. - 2800 экз. - 1.93 р.
Содержание: Рост, морфология и реальная структура кристаллов и пленок Состояние и распределение примесей в кристаллах и пленках Фазовые диаграммы и кристаллизация из расплавов Методика исследования и структуры и распределения примесей Рост пленок при вакуумной конденсации ББК В379.251.4я431 + В379.212.6я431
Держатели документа: Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа: Александров,
Леонид Наумович \отв. ред.\; Кузнецов, Ф. А. \отв ред.\; Академия наук СССР; Сибирское отделение АН СССРИнститут физики полупроводников Сибирского отделения АН СССР; Институт неорганической химии Сибирского отделения АН СССР; Всесоюзный симпозиум по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок(3 ; [1972] ; Новосибирск)
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)