/ М. Ланно, Ж.
Бургуэн ; пер. с англ. Ю. М. Гальперина, В. И. Козуба, Э. Б. Сонина, под ред. В. Л. Гуревича. - Москва : Мир, 1984. - 263 с. - Библиография: с. 248-253. - Предметный указатель: с. 254-259. -
Пер. изд. : Point Defects in Semiconductors. Theoretical aspects / M. Lannoo, J. Bourgoin. - Berlin, 1981. - 3400 экз. - 2.30 р.
Содержание: Атомная конфигурация точечных дефектов Теория эффективной массы Простая теория глубоких уровней в полупроводниках Многоэлектронные эффекты и более сложные теории глубоких уровней Колебательные свойства и энтропия Термодинамика дефектов Миграция и диффузия дефектов ББК В371.23
Держатели документа: Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа: Бургуэн,
Жак; Гальперин, Юрий Мануилович \пер.\; Козуб, В. И. \пер.\; Сонин, Э. Б. \пер.\; Гуревич, Валерий Лазаревич \ред.\; Lannoo, M. ; Bourgoin, J.
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)