Труды сотрудников института физики

/ А. А. Быков [и др.] // Письма в журн. техн. физ. - 2012. - Т. 38, Вып. 23. - С. 89-94. - Библиогр.: 8 назв. . - ISSN 0320-0116
Аннотация: Проведены измерения магнитосопротивления замещенного манганита лантана (La0.5Eu0.5)0.7Pb0.3MnO3 в импульсном магнитном поле H=250 kOe в различных температурах. Обнаружено, что зависимость параметра релаксации магнитосопротивления tau(t) в различных температурах коррелирует с ходом температурной зависимости электросопротивления R(T). Предложен механизм релаксации, связанный с релаксацией проводящей и диэлектрической фаз в объеме образца в условиях фазового расслоения. Показано, что tau отражает количество границ фаз в объеме.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Быков, Алексей Анатольевич; Bykov A. A.; Попков, Сергей Иванович; Popkov S.I.; Шайхутдинов, Кирилл Александрович; Shaykhutdinov K. A.; Саблина, Клара Александровна; Sablina, K. A.