Труды сотрудников института физики

w10=
Найдено документов в текущей БД: 2

    О влиянии фазового множителя на минимальное время реализации квантового вентиля
/ В. Е. Зобов, В. П. Шауро // Журн. эксперим. и теор. физ. - 2014. - Т. 145, Вып. 1. - С. 25-34, DOI 10.7868/S0044451014010039. - Библиогр.: 37 назв. . - ISSN 0044-4510
ГРНТИ

Аннотация: Показана связь фазового множителя квантового вентиля с расположением уровней энергии его эффективного гамильтониана и со временем реализации вентиля. На примере вентилей прямого и обратного квантового преобразования Фурье для кутрита, представленного квадрупольным ядром со спином I=1, а также системы из двух кубитов (I=1/2), найдены эффективные гамильтонианы и минимальные времена реализации, соответствующие разным глобальным фазам. Предложены схемы их реализации методом ядерного магнитного резонанса с помощью последовательностей радиочастотных импульсов, разделенных интервалами свободной эволюции. Аналитич. результаты для минимальных времен вентилей согласуются с результатами, найденными методами численной оптимизации. Выполнено разделение рассматриваемой фазы на динамическую и геометрич. части.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Шауро, Виталий Павлович; Shauro, V. P.; Zobov, V. E.

    Импеданс и диэлектрические свойства станнатов Bi2Sn2-хFeхO7
/ Л. В. Удод, С. С. Аплеснин, Х. Абдельбаки, С. О. Коновалов // Сиб. аэрокосм. журн. - 2022. - Т. 23, № 1. - С. 130-140, DOI 10.31772/2712-8970-2022-23-1-130-140. - Библиогр.: 30 . - ISSN 2712-8970
   Перевод заглавия: Impedance and dielectric properties of Bi2Sn2-хFeхO7 stannates
Аннотация: Исследуются станнаты висмута Bi2Sn2–хFeхO7, х = 0,1; 0,2 обнаруживающие свойства мультиферроиков. Изучается механизм взаимодействия между диэлектрической и электронной подсистемами на основе измерений электросопротивления на переменном токе, импеданса, емкости и тангенса угла диэлектрических потерь в интервале температур 100–600 К на частотах 102–106 Hz. Из сопоставления диэлектрической проницаемости и реактивной компоненты импеданса установлен парамагнитный вклад электронов в динамическую магнитную восприимчивость. Обнаружены скачки импеданса по температуре в результате изменения структурных характеристик. Температурные зависимости диэлектрической проницаемости описываются в модели Дебая. Найден активационный характер времени релаксации и два канала релаксации. Вычислена энергия активации электронов в миграционной поляризации.
Bismuth stagnnates Bi2Sn2-хFeхO7, х = 0,1; 0,2 which reveal the properties of multiferroics, are investigated. The mechanism of interaction between dielectric and electronic subsystems is studied, based on measurements of electrical resistance at alternating current, impedance, capacitance and dielectric loss tangent in the temperature range 100-600 K at frequencies 102-106 Hz. From a comparison of the dielectric permittivity and the reactive component of impedance, the paramagnetic contribution of electrons to the dynamic magnetic susceptibility was established. Impedance jumps on temperature were detected as a result of changes in structural characteristics. The temperature dependences of the permittivity are described in the Debye model. An activation character of the relaxation time and two relaxation channels were found. The activation energy of electrons in the migratory polarization is calculated.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку

Держатели документа:
Институт физики имени Л. В. Киренского СО РАН – обособленное подразделение ФИЦ КНЦ СО РАН, Российская Федерация, 660036, г. Красноярск, Академгородок, 50, стр. 38
Сибирский государственный университет науки и технологий имени академика М. Ф. Решетнева, Российская Федерация, 660037, г. Красноярск, просп. им. газ. «Красноярский рабочий», 31

Доп.точки доступа:
Удод, Любовь Викторовна; Udod, L. V.; Аплеснин, Сергей Степанович; Aplesnin, S. S.; Абдельбаки, Х.; Коновалов, С. О.