Труды сотрудников института физики

w10=
Найдено документов в текущей БД: 2
535.326+535.2
С 71

    СПЕКТРАЛЬНЫЕ СВОЙСТВА ФОТОННОГО КРИСТАЛЛА С РАМАНОВСКИМ ДЕФЕКТОМ
[Текст] / В. Г. АРХИПКИН, С. А. МЫСЛИВЕЦ // Известия высших учебных заведений. Физика. - 2011. - Т. 54, № 2. - С. 42-46 . - ISSN 0021-3411
ГРНТИ
УДК

Аннотация: Исследованы особенности рамановского усиления пробного излучения в трехуровневых атомах, помещенных в дефект одномерного фотонного кристалла (ФК), в присутствии лазерной накачки. Показано, что существует область интенсивностей накачки, в которой в спектре пропускания и отражения ФК для пробного поля одновременно возникают узкие пики. Коэффициенты пропускания и отражения при этом могут быть больше единицы при интенсивности накачки от единиц микроватт на квадратный сантиметр до десятков милливатт на квадратный сантиметр. Природа узких пиков обусловлена резкой дисперсией нелинейного показателя преломления вблизи комбинационного резонанса. Предложенная схема позволяет получать управляемые сверхузкие резонансы в спектрах пропускания и отражения ФК.

РИНЦ

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Сибирский федеральный университет

Доп.точки доступа:
АРХИПКИН, Василий Григорьевич; МЫСЛИВЕЦ, Сергей Александрович
535.345
Э 45

    Электроуправляемый мультислойный фотонный кристалл с жидкокристаллическим дефектом
/ В. А. Гуняков, С. А. Мысливец, В. Г. Архипкин [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. - 2011. - Т. 54, № 2. - С. 137-142 . - ISSN 0021-3411
УДК

Аннотация: Исследован способ модуляции спектров пропускания мультислойного фотонного кристалла с нематиче-ским жидкокристаллическим дефектом при переходе нематика из планарного в гомеотропное состояние. Управление ориентацией директора нематика осуществлялось электрическим полем. В рамках метода рекуррентных соотношений выполнено численное моделирование спектров пропускания исследуемой фотоннокристалличе-ской структуры.

РИНЦ

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского, Красноярский научный центр СО РАН
Институт физики полупроводников СО РАН
Сибирский федеральный университет

Доп.точки доступа:
Гуняков, Владимир Алексеевич; Gunyakov, V. A.; Мысливец, Сергей Александрович; Myslivets, S. A.; Архипкин, Василий Григорьевич; Arkhipkin, V. G.; Зырянов, Виктор Яковлевич; Zyryanov, V. Ya.; Камаев, Геннадий Николаевич; Ветров, Степан Яковлевич; Vetrov, S. Ya.; Шабанов, Василий Филиппович; Shabanov, V. F.