/ А. А. Кузубов [и др.] // Журн. физ. химии. - 2012. - Т. 86, № 7. - С. 1207-1211. - Библиогр.: 21 назв.
. - ISSN 0044-4537
Аннотация: Отмечено, что развитию полупроводниковой SiC-электроники препятствует низкое качество выращиваемых монокристаллов карбида кремния. Установлено, что структурные дефекты подложки, проникающие при последующем гомоэпитаксиальном росте в эпитаксиальный слой, способны значительно ухудшить характеристики приборов. Проведено исследование влияния деформации монослоя гексагонального SiC на стабильность вакансий и свойства материала, а также изучение процессов миграции адатомов кремния и углерода по поверхности SiC.
РИНЦ,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Елисеева, Наталья Сергеевна; Краснов, Павел Олегович; Krasnov, P. O.; Томилин, Феликс Николаевич; Tomilin, F. N.; Федоров, Александр Семенович; Fedorov, A. S.; Толстая, А. В.
Труды сотрудников института физики
w10=
Найдено документов в текущей БД: 2
Плазмохимический способ модификации карбида кремния для получения частиц с управляемой морфологией поверхности
/ Т. А. Шалыгина, М. С. Руденко, И. В. Немцев [и др.] // Письма в Журн. технич. физ. - 2022. - Т. 48, Вып. 4. - С. 15-19, DOI 10.21883/PJTF.2022.04.52078.19042. - Библиогр.: 9. - Работа выполнена в рамках государственного задания Минобрнауки России на выполнение коллективом научной лаборатории "Интеллектуальные материалы и структуры" проекта "Разработка многофункциональных интеллектуальных материалов и структур на основе модифицированных полимерных композиционных материалов, способных функционировать в экстремальных условиях" (номер темы FEFE-2020-0015)
. - ISSN 0320-0116
Кл.слова (ненормированные):
карбид кремния -- плазмохимия -- морфология поверхности -- наночастицы -- нитевидные нанокристаллы -- углеродная оболочка -- ядро-оболочка
Аннотация: Представлен плазмохимический способ модификации частиц карбида кремния, позволяющий получить частицы с управляемой морфологией поверхности. Изменяющимся параметром обработки частиц являлось соотношение объемных долей плазмообразующего (Ar) и дополнительного (Н) газов. Показано, что при соотношении Ar/H = 100/0 наблюдается образование углеродной оболочки, при соотношениях Ar/H, равных 91/9 и 84/16, частицы характеризуются углеродной оболочкой, декорированной кремниевыми наночастицами или нитевидными нанокристаллами соответственно. Модифицированные частицы проанализированы с помощью сканирующей электронной микроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку
Держатели документа:
Сибирский государственный университет науки и технологий им. акад. М.Ф. Решетнева, Красноярск, Россия
Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия
Федеральный исследовательский центр Красноярский научный центр СO РАН, Красноярск, Россия
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Институт химии и химической технологии СО РАН, ФИЦ КНЦ СО РАН, Красноярск, Россия
Доп.точки доступа:
Шалыгина, Т. А.; Руденко, М. С.; Немцев, Иван Васильевич; Nemtsev, I. V.; Парфенов, В. А.; Воронина, С. Ю.
Кл.слова (ненормированные):
карбид кремния -- плазмохимия -- морфология поверхности -- наночастицы -- нитевидные нанокристаллы -- углеродная оболочка -- ядро-оболочка
Аннотация: Представлен плазмохимический способ модификации частиц карбида кремния, позволяющий получить частицы с управляемой морфологией поверхности. Изменяющимся параметром обработки частиц являлось соотношение объемных долей плазмообразующего (Ar) и дополнительного (Н) газов. Показано, что при соотношении Ar/H = 100/0 наблюдается образование углеродной оболочки, при соотношениях Ar/H, равных 91/9 и 84/16, частицы характеризуются углеродной оболочкой, декорированной кремниевыми наночастицами или нитевидными нанокристаллами соответственно. Модифицированные частицы проанализированы с помощью сканирующей электронной микроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку
Держатели документа:
Сибирский государственный университет науки и технологий им. акад. М.Ф. Решетнева, Красноярск, Россия
Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия
Федеральный исследовательский центр Красноярский научный центр СO РАН, Красноярск, Россия
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Институт химии и химической технологии СО РАН, ФИЦ КНЦ СО РАН, Красноярск, Россия
Доп.точки доступа:
Шалыгина, Т. А.; Руденко, М. С.; Немцев, Иван Васильевич; Nemtsev, I. V.; Парфенов, В. А.; Воронина, С. Ю.