Кл.слова (ненормированные):
кремниевые кластеры -- атомная структура -- электронная структура -- запрещенная щель -- оптические свойства -- квантовый конфайнмент
Аннотация: В первой части обзора рассмотрены способы синтеза, структура и фотолюминесцентные свойства нанокристаллитов кремния, погруженных в матрицу оксида кремния, в частности, пористый кремний и нанокремний, полученный методами химического осаждения из газовой фазы (Chemical vapor deposition, CVD), ионной имплантации, напыления, и реакционного испарения. Показано, что основными факторами, влияющими на величину запрещенной щели нанокристаллитов кремния, являются эффекты квантового ограничения и различного рода дефекты, включая поверхностные, как самих нанокристаллов кремния, так и SiO2-матрицы. Для пористого кремния было доказано, что эффекты размерного ограничения являются причиной эффективной люминесценции из-за проявления фононов в резонансно-возбужденной области фотолюминесценции. Особое внимание уделено исследованиям природы запрещенной щели и показано, что она является непрямой как для пористого кремния, так и для различного типа кремниевых квантовых точек. Для всех нанообъектов наблюдаются четко выраженные эффекты размерного ограничения, при этом зависимость величины запрещенной щели от эффективных размеров для различных образцов разная. Показано, что роль поверхности нанокристаллов кремния и Si/SiO2 интерфейсов в формировании электронной структуры является определяющей.
РИНЦ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, г. Красноярск, Россия
Сибирский федеральный университет, г. Красноярск, Россия
Национальный исследовательский Томский государственный университет, г. Томск, Россия
Федеральный исследовательский центр «Красноярский научный центр СО РАН», г. Красноярск, Россия
Красноярский государственный медицинский университет им. профессора В.Ф. Войно-Ясенецкого, г. Красноярск, Россия
Кёнбукский национальный университет, г. Тэгу, Республика Корея
Доп.точки доступа:
Томилин, Феликс Николаевич; Tomilin, F. N.; Мельчакова, Ю. А.; Артюшенко, П. В.; Рогова, А. В.; Аврамов, П. В.