Труды сотрудников института физики

w10=
Найдено документов в текущей БД: 2

    Анизотропия намагниченности текстурированного ВТСП Bi-2223 в сильных магнитных полях
/ Д. М. Гохфельд, Д. А. Балаев // Физ. тверд. тела. - 2020. - Т. 62, Вып. 7. - С. 1017-1021, DOI 10.21883/FTT.2020.07.49465.031. - Библиогр.: 32 . - ISSN 0367-3294
Аннотация: Исследованы причины малой величины анизотропии намагниченности объёмных текстурированных образцов, состоящих из сильноанизотропных кристаллитов высокотемпературного сверхпроводника (Bi,Pb)2Sr2Сa2Cu3Ox (Bi-2223). Установлено, что наблюдаемая анизотропия определяется неупорядоченным расположением кристаллитов Bi-2223 в образце. Измеренная величина анизотропии текстурированного образца позволяет определить значение магнитного угла, являющегося характеристикой упорядоченности кристаллитов.

Смотреть статью,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку,
РИНЦ

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия

Доп.точки доступа:
Балаев, Дмитрий Александрович; Balaev, D. A.; Gokhfeld, D. M.

    Высокопористые сверхпроводники: синтез, исследования и перспективы
/ Д. М. Гохфельд, М. Р. Коблишка, А. Коблишка-Венева // Физ. металлов и металловед. - 2020. - Т. 121, № 10. - С. 1026-1038, DOI 10.31857/S0015323020100058. - Библиогр.: 146 . - ISSN 0015-3230
Аннотация: Представлен обзор исследований сверхпроводников с пористостью выше 50%. Поры в таких сверхпроводящих материалах обеспечивают проникновение хладагента, эффективный отвод тепла и стабильное функционирование. Описаны методики синтеза основных групп пористых сверхпроводников. Приведены результаты исследования структурных, магнитных и электротранспортных свойств и рассмотрены особенности протекания тока через пористые сверхпроводники различных типов. Представлены направления дальнейших разработок и применений пористых сверхпроводников.

РИНЦ,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского ФИЦ КНЦ СО РАН
Лаборатория сверхпроводящих материалов, Департамент материаловедения и инженерии, Институт технологии Шибура, Токио, Япония

Доп.точки доступа:
Коблишка, М.Р.; Коблишка-Венева, А.; Gokhfeld, D. M.