/ С. С. Аплеснин, О. Б. Романова, А. И. Галяс [и др.]> // Изв. НАН Беларуси. Сер. физ.-технич. наук. - 2022. -
Т. 67,
№ 2. - С. 135-143 ; Ves. NAN Belarusì. Ser. fìz.-tèhnìčn. navuk ; Proc. Nat. Acad. Sci. Belarus, Phys.-Techn. Ser.,
DOI 10.29235/1561-8358-2022-67-2-135-143. - Библиогр.: 15. - Работа выполнена при финансовой поддержке Белорусского республиканского фонда фундаментальных исследований (проект № Т20Р-052) и Российского фонда фундаментальных исследований (проект №20-52-00005 Bel_a). - This work was supported by the Belarusian Republican Foundation for Basic Research (project no. T20R-052) and the Russian Foundation for Basic Research (project no. 20-52-00005 Bel_a)
. - ISSN 1561-8358. - ISSN 2524-244X
Перевод заглавия: Synthesis conditions, crystal structure and magnetic properties of Mn–Tm–Se selenides
Аннотация: Методом реакций в твердой фазе синтезированы однофазные составы в квазибинарном разрезе MnSe–TmSe. Кристаллическая структура поликристаллических порошков изучена в CuKα-излучении. Установлено, что образцы в интервале концентраций 0 ≤ x ≤ 0,7 имеют кубическую структуру пространственной группы Fm 3¯m . Изменение концентрации катионов Tm в составах Mn1–xTmxSe приводит к увеличению параметра a элементарной кристаллической ячейки от 0,547 нм для состава Mn0,975Tm0,025Se до 0,566 нм у состава Mn0,3Tm0,7Se. Методом «flash» на подложках оптически прозрачного стекла синтезированы тонкие слои твердых растворов Mn1–xTmxSe. Толщины пленок заключены в интервале значений от 0,8 до 3,2 мкм. Установлено, что пленки Mn1–xTmxSe также обладают сингонией NaCl, S.G.: Fm 3¯m . Состав пленок Mn1–xTmxSe соответствует химическому составу порошков шихты MnSe–TmSe. В интервале температур ~ 80–900 К измерены величины удельной намагниченности и магнитной восприимчивости исследуемых селенидов. Полученные результаты позволяют определить температурные режимы синтеза новых магнитных полупроводниковых веществ, в том числе в пленочном состоянии. Синтезированные вещества могут быть использованы в устройствах микроэлектроники многофункционального назначения, а также при разработке новых материалов, способных работать в широких интервалах температур и при воздействии внешних магнитных полей.
Single-phase compositions in the MnSe–TmSe quasi-binary section have been synthesized by the method of reactions in the solid phase. The crystal structure of polycrystalline powders has been studied in CuKα-radiation. It was found that the samples in the concentration range 0 ≤ x ≤ 0,7 have a cubic structure of the space group Fm 3¯m . An increase in the concentration of Tm cations in the Mn1–xTmxSe compositions leads to an increase in the unit cell parameter a from 0.547 nm for the Mn0.975Tm0.025Se compound to 0.566 nm for the Mn0.3Tm0.7Se composition. Thin layers of Mn1–xTmxSe solid solutions were synthesized by the flash method on optically transparent glass substrates. The film thicknesses are in the range of values from 0.8 to 3.2 µm. It has been established that Mn1–xTmxSe films also have the system NaCl, S.G.: Fm 3¯m . The composition of the Mn1–xTmxSe films corresponds to the chemical composition of the MnSe–TmSe charge powders. In the temperature range ~ 80–900 K, the va lues of the specific magnetization and magnetic susceptibility of the studied selenides were measured. The results obtained make it possible to determine the temperature regimes for the synthesis of new magnetic semiconductor substances, including those in the film state. The synthesized substances can be used in multifunctional microelectronic devices, as well as in the development of new materials capable of operating in wide temperature ranges and under the influence of external magnetic fields.
Смотреть статью,
РИНЦ Держатели документа: Институт физики имени Л. В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
Доп.точки доступа: Аплеснин, Сергей Степанович; Aplesnin, S. S.; Романова, Оксана Борисовна; Romanova, O. B.; Галяс, А. И.; Живулько, А. М.; Янушкевич, К. И.