Труды сотрудников института физики

: Poster / A. I. Zaitsev [et al.] // 17th Int. conf. on crystal growth and epitaxy (ICCGE-17) : Book of abstracts. - 2013. - P. 452-453

Материалы конференции


Доп.точки доступа:
Zaitsev, A. I.; Зайцев, Александр Иванович; Aleksandrovsky, A. S.; Александровский, Александр Сергеевич; Pokrovsky, L.; Atuchin, V. V.; Kokh, K. A.; International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (17 ; 2013 ; Aug. ; 11-16 ; Warsaw, Poland)

/ V. V. Atuchin [et al.] // J. Cryst. Growth. - 2011. - Vol. 318, Is. 1. - P. 683-686, DOI 10.1016/j.jcrysgro.2010.09.076. - Cited References: 26 . - ISSN 0022-0248РУБ Crystallography + Materials Science, Multidisciplinary + Physics, Applied

Аннотация: Rubidium neodymium dimolybdate, RbNd(MoO4)(2), microcrystals have been fabricated by solid state synthesis at T=550-600 degrees C by t=324 ks. Crystal structure of RbNd(MoO4)(2) has been refined by Rietveld method in space group Pbcn with cell parameters a = 5.1772(1) angstrom, b = 18.7293(4) angstrom, and c = 8.2774(1) angstrom (R-B=5.05%). The crystal structure of RbNd(MoO4)(2) consists of layers of MoO4 tetrahedrons cornersharing with NdO8 square antiprisms. These layers are perpendicular to b-axis of the unit cell. About 20 narrow Raman lines have been observed in Raman spectrum recorded for RbNd(MoO4)(2) powder sample. (C) 2010 Elsevier B.V. All rights reserved.

WoS,
Scopus,
Смотреть статью,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку


Доп.точки доступа:
Atuchin, V. V.; Chimitova, O. D.; Gavrilova, T. A.; Molokeev, M. S.; Молокеев, Максим Сергеевич; Kim, S. J.; Surovtsev, N. V.; Bazarov, B. G.; Базаров Б.Г.; Bazarova, Zh.G.; Базарова Ж.Г.; International Conference on Crystal Growth(16 ; 2010 ; Aug. ; 08-13 ; Beijing, China); International Conference on Vapor Growth and Epitaxy(14 ; 2010 ; Aug. ; 08-13 ; Beijing, China)

/ A. I. Zaitsev [et al.] // 17th Int. Conf. on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17) : Book of Abstracts. - 2013. - P. 444-445
   Перевод заглавия: Морфология полярных двойниковых структур в кристаллах α-SrB4O7 выращенных методом Чехральского

Материалы конференции


Доп.точки доступа:
Zaitsev, A. I.; Зайцев, Александр Иванович; Cherepakhin, A. V.; Черепахин, Александр Владимирович; Radionov, N. V.; Радионов, Никита Вячеславович; Zamkov, A. V.; Замков, Анатолий Васильевич; International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (17 ; 2013 ; Aug. ; 11-16 ; Warsaw, Poland)

/ A. I. Zaitsev [et al.] // 17th Int. Conf. on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17) : Book of Abstracts. - 2013. - P. 452
   Перевод заглавия: Рост, оптические и микроструктурные свойства пластинчатых кристаллов PbB4O7

Материалы конференции


Доп.точки доступа:
Zaitsev, A. I.; Зайцев, Александр Иванович; Aleksandrovsky, A. S.; Александровский, Александр Сергеевич; Pokrovsky, L.; Atuchin, V. V.; Атучин, Виктор Валерьевич; Kokh, K. A.; International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (17 ; 2013 ; Aug. ; 11-16 ; Warsaw, Poland)

/ A. I. Zaitsev [et al.] // 17th Int. Conf. on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17) : Book of Abstracts. - 2013. - P. 464-465
   Перевод заглавия: Оптическое двупреломление в кристаллах β-SrB4O7 с замещением стронция

Материалы конференции


Доп.точки доступа:
Zaitsev, A. I.; Зайцев, Александр Иванович; Molokeev, M. S.; Молокеев, Максим Сергеевич; Cherepakhin, A. V.; Черепахин, Александр Владимирович; Radionov, N. V.; Радионов, Никита Вячеславович; Zamkov, A. V.; Замков, Анатолий Васильевич; International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (17 ; 2013 ; Aug. ; 11-16 ; Warsaw, Poland)

/ I. A. Tarasov [et al.] // Mater. Lett. - 2016. - Vol. 168. - P. 90-94, DOI 10.1016/j.matlet.2016.01.033. - Cited References: 25. - The work was supported by the Program of the President of the Russian Federation for the support of leading scientific schools (Scientific School 2886.2014.2), The Russian Foundation for Basic Research (RFBR) (Grants no. 13-02-01265), State Contract no. 02.G25.31.0043 and State Task no. 16.663.2014К). . - ISSN 0167-577XРУБ Materials Science, Multidisciplinary + Physics, Applied

Аннотация: Self-organized α-FeSi2 nanocrystals on (100) silicon substrate were synthesized by molecular beam epitaxy with Au catalyst. The microstructure and basic orientation relationship between the silicide nanocrystals and silicon substrate were analyzed in detail. α-FeSi2 nanocrystals appeared to be inclined trapezoid and rectangular nanoplates, polyhedral nanobars and pyramid-like ones, aligned along 011 directions on (100) silicon substrate with the length up to 1.5 μm, width ranging between 80 and 500 nm and thickness from 30 to 170 nm. As has been proposed metallic iron silicide may be used for manufacturing electric contacts on silicon. A current-voltage characteristic of the structure was measured at room temperature and showed good linearity.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку

Держатели документа:
Siberian State Aerospace University, 31 Krasnoyarsky Rabochiy Av., Krasnoyarsk, Russian Federation
Kirensky Institute of Physics, Russian Academy of Sciences, Akademgorodok 50, bld. 38, Krasnoyarsk, Russian Federation
Far Eastern State Transport University, Serysheva str. 47, Khabarovsk, Russian Federation
Krasnoyarsk Scientific Centre, Russian Academy of Sciences, Akademgorodok 50, Krasnoyarsk, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Molokeev, M. S.; Молокеев, Максим Сергеевич; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Nemtsev, I. V.; Немцев, Иван Васильевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич

/ V. P. KONONOV [et al.] // Int. J. Mod. Phys. B. - 1993. - Vol. 7, Is. 1-3. - P. 466-469, DOI 10.1142/S0217979293000974. - Cited References: 2 . - ISSN 0217-9792РУБ Physics, Applied + Physics, Condensed Matter + Physics, Mathematical

Аннотация: Multilayered structures of 10 Fe layers (25 angstrom each) and 9 layers of Cu (50 angstrom) have been obtained by MBE technique using a 3-chambers MBE installation ''Angara''. For comparison Fe film with the thickness d = 250 angstrom have been prepared. The chemical composition and structure of the films were controlled by X-ray fluorescent analysis, Auger spectroscopy and electron microscopy measurements. Field dependencies of the magnetooptical Faraday effect were measured at different geometries. Spectral dependence of the Faraday effect revealed a maximum at 700 rum wavelength for this multilayered structure.

WOS

Держатели документа:
KRASNOYARSK PHYS INST,KRASNOYARSK 660036,RUSSIA
ИФ СО РАН

Доп.точки доступа:
KONONOV, V. P.; OVCHINNIKOV, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; VASILYEVA, E. P.; ZABLUDA, V. N.; Заблуда, Владимир Николаевич; POPEL, V. M.; EDELMAN, I. S.; Эдельман, Ирина Самсоновна; KHUDYAKOV, A. E.; BLECHER, B. E.; PARSHIN, A. S.; STAROVEROVA, I. V.; International Conference on the Physics of Transition Metals(1992 ; July ; 20-24 ; Darmstadt, Germany)

/ S. N. Varnakov [et al.] // VI Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism" (EASTMAG-2016) : abstracts / ed.: O. A. Maksimova, R. D. Ivantsov. - Krasnoyarsk : KIP RAS SB, 2016. - Ст. I4.3. - P. 213. - References: 4. - The work was supported by The Complex program of SB RAS № II.2P, project 0358-2015-0003, the Ministry of Education and Science of the RF (State task . - ISBN 978-5-904603-06-9


Доп.точки доступа:
Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Lyashchenko, S. A.; Лященко, Сергей Александрович; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Molokeev, M. S.; Молокеев, Максим Сергеевич; Belyaev, B. A.; Беляев, Борис Афанасьевич; Zharkov, S. M.; Жарков, Сергей Михайлович; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Bartolomé, J.; Badía-Romano, L.; Rubín, J. ; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН

Нет сведений об экземплярах

/ I. A. Tarasov [et al.] // VI Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism" (EASTMAG-2016) : abstracts / ed.: O. A. Maksimova, R. D. Ivantsov. - Krasnoyarsk : KIP RAS SB, 2016. - Ст. O10.20. - P. 464. - References: 1. - The work was supported by State contract No. 02.G25.31.0043, State task No.16.663.2014К, the Complex program of SB RAS № II.2P, project 0358-2015-0007 . - ISBN 978-5-904603-06-9


Доп.точки доступа:
Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Kuzubov, A. A.; Кузубов, Александр Александрович; Zamkova, N. G.; Замкова, Наталья Геннадьевна; Kosyrev, N. N.; Косырев, Николай Николаевич; Velikanov, D. A.; Великанов, Дмитрий Анатольевич; Shemukhin, A. A.; Чемухин А. А.; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН

Нет сведений об экземплярах

/ M. N. Volochaev [et al.] // J. Phys. Conf. Ser. - 2017. - Vol. 857, Is. 1. - Ст. 012053, DOI 10.1088/1742-6596/857/1/012053. - Cited References: 10 . - ISSN 1742-6588
Аннотация: The regularities of phase formation and thermal stability in Fe3Si(111)/Si(111) structure at stepped vacuum annealing (350, 450 and 550 °C) were investigated. The layer of 32 nm Fe3Si was deposited onto Si(111) substrate by molecular beam epitaxy at 260 °C. Transmission electron microscopy (TEM) measurements demonstrated that the film thickness increases by ∼19 % at 350 °C annealing without changing the phase composition. The polycrystalline -FeSi sublayer was formed on the interface at 450 °C annealing. Further annealing at 550 °C led to the ∼ 80 nm polycrystalline film formation containing the crystallites of -FeSi, Fe5Si3, and β-FeSi2 phases.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку


Доп.точки доступа:
Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Loginov, Yu. Yu.; Cherkov, A. G.; Kovalev, I. V.; International Conference on Films and Coatings(13th ; St. Petersburg)(18 - 20 April 2017)

/ И. А. Яковлев // Сиб. аэрокосм. журн. - 2021. - Т. 22, № 2. - С. 398-405, DOI 10.31772/2712-8970-2021-22-2-398-405. - Библиогр.: 19. - Автор статьи выражает благодарность Беляеву Борису Афанасьевичу (ИФ СО РАН) за проведенные измерения на сканирующем спектрометре ферромагнитного резонанса . - ISSN 2712-8970
   Перевод заглавия: The magnetic anisotropy comparison of polycrystalline and single-crystal Fe3Si films
Аннотация: Постоянное совершенствование высокотехнологичных приборов требует от науки постоянного развития технологий и поиска новых материалов. На сегодняшний день развитие области магнетизма достигло очень широких знаний, что позволило создать и изучить множество искусственных ферромагнитных материалов, которые уже сейчас активно применяются в науке и технике. Последние научные знания показывают, что один и тот же материал в различном состоянии может проявлять разные электрические, магнитные свойства. Так в современных приборах активно применяются тонкие магнитные пленки. Физические процессы в тонких пленках протекает иначе, чем в массивных материалах. В результате пленочные элементы имеют характеристики, отличные от характеристик массивных образцов и позволяют наблюдать эффекты, не свойственные массивным образцам. Пленка – это тонкий слой связанного конденсированного вещества, толщина которого сравнивается с расстоянием действия поверхностных сил; представляет собой термодинамически стабильную или метастабильную часть гетерогенной системы «пленка – подложка». Дальнейшее изучение пленочных структур привело к созданию и исследованию многослойных магнитных систем. В таких структурах возможно присутствие как слоёв различных ферромагнитных материалов, так и неферромагнитных прослоек, а свойства многослойных систем могут значительно отличаться от свойств любого из компонентов системы. Для практики эти материалы также имеют множество применений, в том числе, радиосвязь и геологоразведка. В нашем эксперименте методом молекулярно-лучевой эпитаксии при совместном осаждении Fe и Si синтезированы ферромагнитные тонкие пленки силицида Fe3Si. На подложке SiO2/Si(111) была получена поликристаллическая пленка силицида, а на Si(111)7×7 – монокристаллическая. Структура была исследована с помощью дифракции отраженных быстрых электронов непосредственно в процессе роста. Методом ферромагнитного резонанса была изучена магнитная анизотропия полученных образцов. Установлено, что поликристаллическая пленка характеризуется одноосной магнитной анизотропией, которая составляет 13.42 Э и формируется в следствие «косого» напыления. А магнитная анизотропия для монокристаллической пленки Fe3Si формируется в большей степени внутренними магнитокристаллическими силами.
High-tech devices improvement requires development of technology and search for new materials from science. To date, the development of the magnetism research field has reached a very broad knowledge, which made it possible to create and study a variety of artificial ferromagnetic materials, which are already actively used in science and technology. The latest scientific knowledge shows that the same material in different states can exhibit different electrical and magnetic properties. So, thin magnetic films are actively used in modern devices. Physical processes in thin films proceed differently than in bulk materials. As a result, the film elements have characteristics that differ from those of bulk samples and make it possible to observe effects that are not characteristic of bulk samples. A film is a thin layer of a bound condensed substance, the thickness of which is compared with the distance of surface forces action; it is a thermodynamically stable or metastable part of a heterogeneous film-substrate system. Further study of film structures led to the creation and study of multilayer magnetic systems. In such structures, the presence of both various ferromagnetic materials layers and non-ferromagnetic interlayers is possible, and the multilayer systems properties can differ significantly from the properties of any system components. These materials also have many applications for practice, including radio communications and geological exploration. In our experiment, ferromagnetic thin films of Fe3Si silicide were synthesized by molecular beam epitaxy with co-deposition of Fe and Si. A polycrystalline silicide film was obtained on a SiO2/Si(111) substrate, and a single crystal film was on Si(111)7×7. The structure was investigated using the diffraction of reflected fast electrons directly during the growth process. The magnetic anisotropy of the obtained samples was studied by the ferromagnetic resonance. It was found that the polycrystalline film is characterized by uniaxial magnetic anisotropy, which is 13.42 Oe and is formed as a result of “oblique” deposition. And the magnetic anisotropy for a single-crystal Fe3Si film is formed to a greater extent by internal magnetocrystalline forces.

Смотреть статью,
РИНЦ

Держатели документа:
Институт физики имени Л. В. Киренского СО РАН – обособленное подразделение ФИЦ КНЦ СО РАН, Российская Федерация, 660036, г. Красноярск, Академгородок, 50, стр. 38.

Доп.точки доступа:
Yakovlev, I. A.

/ A. S. Tarasov, I. A. Tarasov, I. A. Yakovlev [et al.] // Nanomaterials. - 2022. - Vol. 12, Is. 1. - Ст. 131, DOI 10.3390/nano12010131. - Cited References: 61. - The research was funded by RFBR, Krasnoyarsk Territory, and Krasnoyarsk Regional Fund of Science, project number 20-42-243007, and by the Government of the Russian Federation, Mega Grant for the Creation of Competitive World-Class Laboratories (Agreement no. 075-15-2019-1886). I.A.T. and S.N.V. thank RFBR, Krasnoyarsk Territory, and Krasnoyarsk Regional Fund of Science, project number 20-42-240012, for partial work related to the development of the simulation model of the pore autocorrelated radial distribution function coupled with the near coincidence site model, the Fe3+xSi1-x lattice distortion analysis, and processing Rutherford backscattering spectroscopy data. The Rutherford backscattering spectroscopy measurements were supported by the Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation (project FZWN-2020-0008) . - ISSN 2079-4991РУБ Chemistry, Multidisciplinary + Nanoscience & Nanotechnology + Materials Science, Multidisciplinary + Physics, Applied

Аннотация: Three-layer iron-rich Fe3+xSi1-x/Ge/Fe3+xSi1-x (0.2 < x < 0.64) heterostructures on a Si(111) surface with Ge thicknesses of 4 nm and 7 nm were grown by molecular beam epitaxy. Systematic studies of the structural and morphological properties of the synthesized samples have shown that an increase in the Ge thickness causes a prolonged atomic diffusion through the interfaces, which significantly increases the lattice misfits in the Ge/Fe3+xSi1-x heterosystem due to the incorporation of Ge atoms into the Fe3+xSi1-x bottom layer. The resultant lowering of the total free energy caused by the development of the surface roughness results in a transition from an epitaxial to a polycrystalline growth of the upper Fe3+xSi1-x. The average lattice distortion and residual stress of the upper Fe3+xSi1-x were determined by electron diffraction and theoretical calculations to be equivalent to 0.2 GPa for the upper epitaxial layer with a volume misfit of -0.63% compared with a undistorted counterpart. The volume misfit follows the resultant interatomic misfit of |0.42|% with the bottom Ge layer, independently determined by atomic force microscopy. The variation in structural order and morphology significantly changes the magnetic properties of the upper Fe3+xSi1-x layer and leads to a subtle effect on the transport properties of the Ge layer. Both hysteresis loops and FMR spectra differ for the structures with 4 nm and 7 nm Ge layers. The FMR spectra exhibit two distinct absorption lines corresponding to two layers of ferromagnetic Fe3+xSi1-x films. At the same time, a third FMR line appears in the sample with the thicker Ge. The angular dependences of the resonance field of the FMR spectra measured in the plane of the film have a pronounced easy-axis type anisotropy, as well as an anisotropy corresponding to the cubic crystal symmetry of Fe3+xSi1-x, which implies the epitaxial orientation relationship of Fe3+xSi1-x (111)[0-11] || Ge(111)[1-10] || Fe3+xSi1-x (111)[0-11] || Si(111)[1-10]. Calculated from ferromagnetic resonance (FMR) data saturation magnetization exceeds 1000 kA/m. The temperature dependence of the electrical resistivity of a Ge layer with thicknesses of 4 nm and 7 nm is of semiconducting type, which is, however, determined by different transport mechanisms.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку

Держатели документа:
RAS, Fed Res Ctr KSC SB, Kirensky Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia.
Siberian Fed Univ, Inst Engn Phys & Radio Elect, Krasnoyarsk 660041, Russia.
RAS, Fed Res Ctr KSC SB, Krasnoyarsk Sci Ctr, Krasnoyarsk 660036, Russia.
RAS, Boreskov Inst Catalysis SB, Synchrotron Radiat Facil SKIF, Nikolskiy Prospekt 1, Koltsov 630559, Russia.
Immanuel Kant Balt Fed Univ, REC Smart Mat & Biomed Applicat, Kaliningrad 236041, Russia.
Immanuel Kant Balt Fed Univ, REC Funct Nanomat, Kaliningrad 236016, Russia.
Univ Duisburg Essen, Fac Phys, D-47057 Duisburg, Germany.
Univ Duisburg Essen, Ctr Nanointegrat, D-47057 Duisburg, Germany.

Доп.точки доступа:
Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Platunov, M. S.; Платунов, Михаил Сергеевич; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Efimov, Dmitriy D.; Goikhman, Aleksandr Yu.; Belyaev, B. A.; Беляев, Борис Афанасьевич; Baron, F. A.; Барон, Филипп Алексеевич; Shanidze, Lev V.; Шанидзе, Лев Викторович; Farle, M.; Фарле, Михаель; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; RFBRRussian Foundation for Basic Research (RFBR); Krasnoyarsk Regional Fund of Science [20-42-243007, 20-42-240012]; Government of the Russian Federation [075-15-2019-1886]; Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation [FZWN-2020-0008]

/ S. N. Varnakov [et al.] // Solid State Phenomena. - 2011. - Vol. 168-169. - P. 277-280, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.168-169.277 . - ISSN 1662-9779
Аннотация: Determination of stable phases formed at the Fe/Si interface in (Fe/Si)n structure, grown by thermal evaporation in an ultrahigh vacuum system was performed using conversion electron Mossbauer spectroscopy (CEMS).

РИНЦ

Держатели документа:
Instituto de Ciencia de Materiales de Aragon,Departamento de Ciencia de Materiales e Ingenieria Metalurgica,CSIC-Universidad de Zaragoza
Instituto de Ciencia de Materiales de Aragon,Departamento de Fisica de la Materia Condensada,CSIC-Universidad de Zaragoza
Kirensky Institute of Physics,Siberian Division,Russian Academy of Sciences
Siberian Aerospace University

Доп.точки доступа:
Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Bartolomé, J.; Rubin, J.; Badia, L.; Bondarenko, G. V.; Бондаренко, Геннадий Васильевич; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(4 ; 2010 ; Jun.-Jul. ; Ekaterinburg); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(4 ; 2010 ; Jun.-Jul. ; Ekaterinburg)

/ I. A. Yakovlev, S. N. Varnakov, S. G. Ovchinyikov // Proceedings Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials (ASCO-NANOMAT 2011) / Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials (2011 ; Aug. ; 22-29 ; Vladivostok, Russia), Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов (1 ; 2011 ; авг. ; 21-28 ; Владивосток). - 2011


Доп.точки доступа:
Yakovlev, I.A.; Varnakov, S.N.; Ovchinyikov, S.G.; Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials(2011 ; Aug. ; 22-29 ; Vladivostok, Russia); Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов(1 ; 2011 ; авг. ; 21-28 ; Владивосток)

/ И. А. Яковлев, С. Н. Варнаков // Решетневские чтения : [Электронный ресурс] : материалы XIV Междунар. науч. конф., посвяще. памяти ген. конструктора ракет.-космич. систем акад. М. Ф. Решетнева : в 2-х ч. / Сиб. гос. аэрокосмич. ун-т.; под общ. ред. Ю.Ю. Логинова. - Красноярск, 2010. - Ч. 2. - С. 598-599. - Библиогр.: 3. - Работа выполнена в рамках программы № 4.1 ОФН РАН «Спинтроника», программы Президиума РАН № 27.10, инте грационного проекта СО РАН и ДВО РАН № 22, федеральной целевой программы «Научные и научно-педагогические кад ры инновационной России» на 2009–2013 гг. (коды проектов: НК-179П/ГК П1464, НК-556П/ГК П555)
   Перевод заглавия: Features of iron silicide formation in reactive and solid-phase epitaxy
Аннотация: Методом дифракции отраженных быстрых электронов были изучены начальные этапы формирования си лицидов системы Fe–Si, полученные методами реактивной и твердофазной эпитаксии при разных темпера турах подложки Si. Установлено влияние технологических параметров при напылении на процесс формирова ния силицидов.

Материалы конференции,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Логинов, Ю. Ю. \ред.\; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S.N.; "Решетневские чтения", международная научная конференция(14 ; 2010 ; нояб. ; 10-12 ; Красноярск); Сибирский государственный университет науки и технологий им. акад. М. Ф. Решетнева; Информационные спутниковые системы им. академика М. Ф. Решетнева, АОКрасноярский машиностроительный завод, ОАО

[Text] / A. S. Parshin, G. A. Alexandrova [et al.] // IV Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism" Nanospintronics (EASTMAG-2010). School for young scientist "Spintronics" : June 28 - Lule 2, 2010"Book of abstracts. - Ekaterinburg, 2010. - P. 195

РИНЦ


Доп.точки доступа:
Parshin, A.S.; Alexandrova, G.A.; Kushchenkov, S.A.; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(4 ; 2010 ; Jun.-Jul. ; Ekaterinburg); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(4 ; 2010 ; Jun.-Jul. ; Ekaterinburg); Уральское отделение РАН