Труды сотрудников института физики

[Текст] / N. V. Volkov [и др.] // V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism : abstracts. - Vladivostok : FEFU, 2013. - P96 . - ISBN 978-5-7444-3124-2


Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Chichkov, V. I.; Чичков В.И.; Mukovskii, Y. M.; Муковский Я. М.; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; Sept. ; 15-21 ; Vladivostok)

/ Ю. Э. Гребенькова [и др.] // Изв. РАН. Сер. физич. - 2013. - Т. 77, № 10. - С. 1383–1386DOI 10.7868/S0367676513100153. - Работа поддержана грантами РФФИ № 11-02-00972 и 12-02-92607. . -
Аннотация: Исследован магнитный круговой дихроизм (МКД) в сравнении с магнитным поведением поликристаллических пленок La0.7Sr0.3MnO3 (LSMO), осажденных на монокристаллический оксид циркония, стабилизированный иттрием (YSZ). Обнаружено, что полосы, наблюдаемые в спектрах МКД, характеризуются различными температурными зависимостями.

Смотреть статью

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Гребенькова, Юлия Эрнестовна; Greben'kova Yu.E.; Эдельман, Ирина Самсоновна; Edelman, I. S.; Соколов, Алексей Эдуардович; Sokolov A.E.; Еремин, Евгений Владимирович; Eremin E. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Rautskii M.V.; Андреев, Н. В.; Чичков, В. И.; Муковский, Я. М.

/ О. Е. Терещенко [и др.] // Письма в Журн. техн. физ. - 2012. - Т. 38, Вып. 1. - С. 27-36. - Библиогр.: 13 назв. - Авторы выражают благодарность А.Г. Черкову за изготовление образцов для просвечивающей электронной микроскопии. - Работа частично поддержана Российской академией наук (программа "спинтроника"), грантом РФФИ (10-02-91067-НЦНИ) и междисциплинарным интеграционным проектом СО РАН. . - ISSN 0320-0116
Аннотация: Изучены условия формирования границы раздела Fe/GaAs, а также электрические, магнитные и оптические свойства гетероструктуры Pd/Fe/GaAs с квантовыми ямами InGaAs. Продемонстрирована возможность эпитаксиального роста Fe на поверхности GaAs(001) при комнатной температуре. Кривая намагниченности слоя железа имеет прямоугольную петлю гистерезиса с легкой осью намагниченности в плоскости образца. Обнаружена сегрегация железа через слой палладия толщиной 4 nm. Оптические свойства гетероструктуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs указывают на возможность использования такой структуры в качестве оптического детектора спина свободных электронов.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Терещенко, О. Е.; Паулиш, А. Г.; Неклюдова, М. А.; Шамирзаев, T. C.; Ярошевич, А. С.; Просвирин, И. П.; Жаксылыкова, И. Э.; Дмитриев, Д. В.; Торопов, А. И.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov S.N.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Rautskii, M.V.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov S. G.; Латышев, А. В.

/ А. М. Воротынов [и др.] // Журн. эксперим. и теор. физ. - 2013. - Т. 144, Вып. 5. - С. 1009-1015DOI 10.7868/S0044451013110126 . -
Аннотация: Методами магнитного резонанса и растровой электронной микроскопии исследована слоистая структура состава Cu-Cr-S, состоящая из монокристаллических слоев CuCrS2 и внедренных в них тонких пластин фазы CuCr2S4. Определены температура Кюри и намагниченность насыщения шпинельной фазы исследуемых образцов. Сделана оценка толщины слоев фазы CuCr2S4. Установлена зависимость топологии выращиваемых кристаллов от условий синтеза. Предложена интерпретация аномального поведения интенсивности магнитостатических колебаний.

Смотреть статью,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Воротынов, Александр Михайлович; Vorotynov A.M.; Абрамова, Галина Михайловна; Abramova, G. M.; Панкрац, Анатолий Иванович; Pankrats A.I.; Петраковский, Герман Антонович; Petrakovskii G.A.; Жарков, Сергей Михайлович; Zharkov S.M.; Зеер, Г. М.; Тугаринов, Василий Иванович; Tugarinov V.I.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Rautskii, M.V.; Соколов, В. В.

/ Ю. Э. Гребенькова [и др.] // Новое в магнетизме и магнитных материалах : сборник трудов XXII международной конференции. - Астрахань, 2012. - С. 516-518
Аннотация: Исследован магнитный круговой дихроизм (МКД) в сравнении с магнитным поведением поликристаллических пленок La0.7Sr0.3MnO3 (LSMO), осажденных на монокристаллический оксид циркония, стабилизированный иттрием (YSZ). Обнаружено, что полосы, наблюдаемые в спектрах МКД, характеризуются различными температурными зависимостями.

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Гребенькова, Юлия Эрнестовна; Greben'kova Yu.E.; Эдельман, Ирина Самсоновна; Edelman, I. S.; Соколов, Алексей Эдуардович; Sokolov A.E.; Еремин, Евгений Владимирович; Eremin E. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Rautskii M.V.; Андреев, Н. В.; Чичков, В. И.; Муковский, Я. М.; Российская академия наук; Научный совет по физике конденсированных сред РАН; Институт физики твердого тела РАН; Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова; Астраханский государственный университет ; "Новое в магнетизме и магнитных материалах", международная конференция (22 ; 2012 ; сент. ; 17-23 ; Астрахань)

/ Yu. E. Greben'Kova [et al.] // Bull. Russ. Acad. Sci.: Phys. - 2013. - Vol. 77, Is. 10. - P. 1195-1197, DOI 10.3103/S1062873813100109 . - ISSN 1062-8738
Аннотация: Magnetic circular dichroism (MCD) is studied in comparison with the magnetic behavior of polycrystalline films of La0.7Sr 0.3MnO3 (LSMO) deposited on a single crystal of zirconium oxide stabilized by yttrium (YSZ). It is found that the bands observed in MCD spectra are characterized by different temperature dependences. В© 2013 Allerton Press, Inc.

Scopus,
Смотреть статью,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку

Держатели документа:
L.V. Kirensky Institute of Physics, Krasnoyarsk 660036, Russian Federation
National University of Science and Technology (MISiS), Moscow 119049, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Greben'kova, Yu.E.; Гребенькова, Юлия Эрнестовна; Edelman, I. S.; Эдельман, Ирина Самсоновна; Sokolov, A. E.; Соколов, Алексей Эдуардович; Eremin, E. V.; Еремин, Евгений Владимирович; Rauckii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Andreev, N. V.; Chichkov, V. I.; Mukovskii, Ya.M.

/ N. V. Volkov [et al.] // Diffusion and Defect Data Pt.B: Solid State Phenomena. - 2012. - Vol. 190. - P. 125-128, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.190.125 . - ISBN 978. - ISBN 9783037854365
Аннотация: We demonstrate that a magnetic tunnel structure irradiated by microwaves can generate a significant voltage signal due to the rectification effect. The measurements were carried out using current-in-plane geometry with a current flowing parallel to the interfaces in the structure. A value of the microwave-induced voltage strongly depends on a bias current and can be driven by a magnetic field. The rectification effect is discussed both in "Classical" terms of nonlinearity of the current-voltage characteristic and using a mechanism that involves the interplay between the spinpolarized current and magnetization dynamics in the magnetic tunnel structure. В© (2012) Trans Tech Publications.

Scopus


Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Eremin, E. V.; Еремин, Евгений Владимирович; Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Kim, P. D.; Ким, Петр Дементьевич; Lee, C. G.; Moscow International Symposium on Magnetism(5 ; 2011 ; Aug. ; 21-25 ; Moscow)

/ A. M. Vorotynov [et al.] // J. Exp. Theor. Phys. - 2013. - Vol. 117, Is. 5. - P. 879-884, DOI 10.1134/S1063776113130189 . - ISSN 1063-7761
Аннотация: A layered Cu-Cr-S structure composed of single-crystal CuCrS2 layers and thin CuCr2S4 plates embedded in them has been investigated by the magnetic resonance and scanning electron microscopy methods. The Curie temperature and saturation magnetization of the spinel phase of the investigated samples have been determined. The thickness of the CuCr 2S4 layers has been estimated. The dependence of the growncrystal topology on synthesis conditions has been established. An interpretation of the anomalous behavior of the magnetostatic oscillation intensity is offered.

Scopus,
Смотреть статью,
WOS,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку

Держатели документа:
Russian Acad Sci, Siberian Branch, LV Kirensky Phys Inst, Krasnoyarsk 660036, Russia
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia
Russian Acad Sci, Nikolaev Inst Inorgan Chem, Siberian Branch, Novosibirsk 630090, Russia

Доп.точки доступа:
Vorotynov, A. M.; Воротынов, Александр Михайлович; Abramova, G. M.; Абрамова, Галина Михайловна; Pankrats, A. I.; Панкрац, Анатолий Иванович; Petrakovskii, G. A.; Петраковский, Герман Антонович; Zharkov, S. M.; Жарков, Сергей Михайлович; Zeer, G. M.; Tugarinov, V. I.; Тугаринов, Василий Иванович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Sokolov, V. V.

/ N. V. Volkov [et al.] // J. Magn. Magn. Mater. - 2012. - Vol. 324, Is. 21. - P. 3579-3583, DOI 10.1016/j.jmmm.2012.02.095. - Cited References: 15. - This study was supported by the RFBR, project no. 11-02-00367-a; the Presidium of the Russian Academy of Sciences, project no. 21.1; the Division of Physical Sciences of the Russian Academy of Sciences, project no. 2.4.4.1; the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, integration projects nos. 5, 22 and 134, and the Federal Program (State contract no. NK-556P_15). . - ISSN 0304-8853РУБ Physics, Condensed Matter + Materials Science, Multidisciplinary

Аннотация: Different phenomena that give rise to a spin-polarized current in some systems with magnetic tunnel junctions are considered. In a manganite-based magnetic tunnel structure in CIP geometry, the effect of current-channel switching was observed, which causes bias-driven magnetoresistance, rf rectification, and the photoelectric effect. The second system under study, ferromagnetic/insulator/semiconductor, exhibits the features of the transport properties in CIP geometry that are also related to the current-channel switching effect. The described properties can be controlled by a bias, a magnetic field, and optical radiation. At last, the third system under consideration is a cooperative assembly of magnetic tunnel junctions. This system exhibits tunnel magnetoresistance and the magnetic-field-driven microwave detection effect. (C) 2012 Elsevier BY. All rights reserved.

Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку


Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Eremin, E. V.; Еремин, Евгений Владимирович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Moscow International Symposium on Magnetism(5 ; 2011 ; Aug. ; 21-25 ; Moscow)

/ N. V. Volkov [et al.] // J. Phys. D. - 2012. - Vol. 45, Is. 25. - Ст. 255301, DOI 10.1088/0022-3727/45/25/255301. - Cited References: 20. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, project no 11-02-00367-a; the Presidium of the Russian Academy of Sciences, program Fundamentals for Basic Research of Nanotechnology and Nanomaterials, project no 21.1; the Division of Physical Sciences of the Russian Academy of Sciences, program Spin-Dependent Effects in Solids and Spintronics, project no 2.4.4.1; the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, integration projects nos 5 and 134; and the Federal target program Scientific and Pedagogical Personnel of Innovative Russia (State contract no NK-556P_15). . - ISSN 0022-3727РУБ Physics, Applied

Аннотация: We demonstrate that a magnetic tunnel structure irradiated by microwaves can generate a typical voltage signal due to the rectification effect. We performed measurements in current-in-plane geometry when a current flows parallel to the interfaces in the structure. The value of the microwave-induced voltage strongly depends on the bias current and can be driven by a magnetic field. The rectification effect is discussed both in classical terms of nonlinearity of the current-voltage characteristics and within the mechanism involving the interplay between the spin-polarized current and the magnetization dynamics in the magnetic tunnel structure.

Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку

Держатели документа:
[Volkov, N. V.
Rautskiy, M. V.
Eremin, E. V.
Patrin, G. S.
Kim, P. D.] Russian Acad Sci, Siberian Branch, Kirensky Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia
[Volkov, N. V.
Eremin, E. V.] Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia
[Patrin, G. S.] Siberian Fed Univ, Inst Engn Phys & Radio Elect, Krasnoyarsk 660041, Russia
[Lee, C. G.] Changwon Natl Univ, Sch Nano & Adv Mat Engn, Chang Won 641773, Gyeongnam, South Korea

Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Rautskiy, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Eremin, E. V.; Еремин, Евгений Владимирович; Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Kim, P. D.; Ким, Петр Дементьевич; Lee, C. G.

/ O. E. Tereshchenko [et al.] // Tech. Phys. Lett. - 2012. - Vol. 38, Is. 1. - P. 12-16, DOI 10.1134/S1063785012010154. - Cited References: 13. - This study was supported in part by the Russian Academy of Sciences (Program "Spintronics"), Russian Foundation for Basic Research (project no. 10-02-91067-NTsNI), and Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (Interdisciplinary Integration Project). . - ISSN 1063-7850
Аннотация: Conditions necessary for the formation of a Fe/GaAs interface have been established and the electrical, magnetic, and optical properties of Pd/Fe/GaAs heterostructures with InGaAs quantum wells have been studied. The possibility of obtaining an epitaxial layer of Fe on GaAs(001) surface at room temperature is demonstrated. The magnetization curve of Fe layer exhibits hysteresis with an easy axis in plane of the sample. Iron exhibits surface segregation by diffusion through a 4-nm-thick Pd layer. The properties of obtained Pd/Fe/GaAs/InGaAs structures show evidence for their possible use in optical detectors of free-electron spin.

Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку

Держатели документа:
[Tereshchenko, O. E.] Russian Acad Sci, Siberian Branch, Rzhanov Inst Semicond Phys, Novosibirsk 630090, Russia
Novosibirsk State Univ, Novosibirsk 630090, Russia
Russian Acad Sci, Siberian Branch, Boreskov Inst Catalysis, Novosibirsk 644053, Russia
Russian Acad Sci, Siberian Branch, Kirensky Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia
Reshetnev Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia

Доп.точки доступа:
Tereshchenko, O. E.; Paulish, A. G.; Neklyudova, M. A.; Shamirzaev, T. S.; Yaroshevich, A. S.; Prosvirin, I. P.; Zhaksylykova, I. E.; Dmitriev, D. V.; Toropov, A. I.; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Latyshev, A. V.

/ N. V. Volkov [et al.] // Solid State Phenom. : Selected, peer reviewed papers. - 2014. - Vol. 215: Trends in Magnetism: Nanomagnetism (EASTMAG-2013). - P. 368-371, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.215.368. - Cited References: 6 . - ISSN 978-30383. - ISSN 1662-9779
Аннотация: We present the results of investigations of the spin-polarized current and spin dynamics in the hybrid structures ferrimagnetic insulator/ferromagnetic metal subjected to microwave radiation. We studied the La0.7Sr0.3MnO3/Y3Fe5O12 bilayer films on the Gd3Ga5O12 substrate. It was experimentally established that under the action of spin pumping the resistance of the La0.7Sr0.3MnO3 film changes. The value of ?R is maximum in the sample with a La0.7Sr0.3MnO3 layer thickness of 10 nm and sharply drops as the manganite film thickness is increased. The resistance decreases in the paramagnetic region and grows in the ferromagnetic region at temperatures below the metal-insulator transition point. The variation in the resistance of the manganite film can be attributed to the correlation of the spin dynamics and transport properties of conduction electrons in the structure. © (2014) Trans Tech Publications, Switzerland.


Доп.точки доступа:
Ovchinnikov, S. G. \ed.\; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Samardak, A. \ed.\; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Chichkov, V. I.; Чичков В. И.; Mukovskii, Y. M.; Муковский Я. М.; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; sept. ; 15-21 ; Vladivostok)

/ I. A. Bondarev [et al.] // Third Asian school-conference on physics and technology of nanostructured materials (ASCO-NANOMAT 2015) : proceedings. - Vladivostok : Dalnauka, 2015. - Ст. IX.24.02p . - ISBN 978-5-8044-1556-4

Материалы конференции


Доп.точки доступа:
Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Dorofeev, N. V.; Дорофеев, Николай Владимирович; Rautckii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials(3 ; 2015 ; Aug. ; 19-26 ; Vladivostok); Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов(3 ; 2015 ; авг. ; 19-26 ; Владивосток)

/ N. V. Volkov [et al.] // Int. conf. "Spin physics, spin chem., and spin technol.". - 2015. - P. 36. - Библиогр.: 4 назв.

Материалы конференции


Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; "Spin physics, spin chemistry, and spin technology", Internnational conference(2015 ; jun. ; 1-5 ; Saint Peterburg); Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН; Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского Казанского научного центра РАН; "Инно-мир, центр межрегионального инновационного развития

/ N. V. Volkov [et al.] // J. Surf. Invest. - 2015. - Vol. 9, Is. 5. - P. 984-994, DOI 10.1134/S1027451015050432. - Cited References: 32. - This work was supported by the Russian Foundation for Basic Research, project nos. 14-02-00234-a and 14-02-31156; the Russian Ministry of Education and Science, state task no. 16.663.2014K; and the Russian Ministry of Education and Science, project no. 02.G25.31.0043. . - ISSN 1027-4510
   Перевод заглавия: Оптически индуцированный и управляемый напряжением магниторезистивный эффект в устройстве на основе кремнияРУБ Surfaces and Interfaces, Thin Films

Аннотация: The giant change in photoconductivity of a device based on the Fe/SiO2/p-Si structure in magnetic field is reported. As the magnetic field increases to 1 T, the conductivity changes by a factor of more than 25. The optically induced magnetoresistance effect is strongly dependent of the applied magnetic field polarity, as well as of sign and value of a bias voltage across the device. The main mechanism of the magnetic field effect is related to the Lorentz force, which deflects the trajectories of photogenerated carriers, thereby changing their recombination rate. The structural asymmetry of the device leads to the asymmetry of the dependence of recombination on the magnetic field polarity: recombination of carriers deflected in the bulk of semiconductor is relatively slow, while recombination of carriers at the SiO2/p-Si interface is faster. In the latter case, the interface states serve as effective recombination centers. The bias voltage sign specifies the type of carriers, whose trajectories pass near the interface, providing the main contribution to the magnetoresistance effect. The bias voltage controls the electric field accelerating carriers and, thus, affects the hole and electron trajectories. Moreover, when the bias voltage exceeds a certain threshold value, the electron impact ionization regime is implemented. The magnetic field suppresses impact ionization by enhancing recombination, which makes the largest contribution to the magnetoresistance of the device. The investigated device can be used as a prototype of silicon chips controlled simultaneously by optical radiation, magnetic field, and bias voltage. © 2015, Pleiades Publishing, Ltd.

Смотреть статью,
Scopus,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку

Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Russian Academy of Sciences, Siberian branch, Krasnoyarsk, Russian Federation
Siberian Federal University, Institute of Engineering Physics and Radio Electronics, Krasnoyarsk, Russian Federation
Siberian State Aerospace University, Institute of Space Technology, Krasnoyarsk, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Baron, F. A.; Барон, Филипп Алексеевич; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич

/ И. А. Тамбасов [и др.] // Решетневские чтения : материалы XIX Междунар. науч. конф. : в 2-х ч. - Красноярск : Сибирский государственный аэрокосмический университет им. акад. М. Ф. Решетнева, 2015. - Ч. 1. - С. 546-547. - Библиогр.: 5. - Исследование было поддержано Российским фондом фундаментальных исследований (грант 15-02-00948-A,), Советом по грантам Президента Российской Федерации (СП-317.2015.1) и программой Фонда содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере ("У.М.Н.И.К."). . - ISBN 1990-7702
   Перевод заглавия: Magnetotransport properties of indium oxide thin films at low temperatures
Аннотация: Представлено исследование магнитотранспортных свойств пленок оксида индия в температурном диапазоне от 4,2 до 80 K. Полученные экспериментальные данные могут быть полезны для специалистов аэрокосмической отрасли.
This paper presents a study of magnetotransport properties of indium oxide films in the temperature range from 4.2 to 80 K. The experimental data can be useful for aerospace specialists.

Материалы конференции,
РИНЦ,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Тамбасов, Игорь Анатольевич; Tambasov, I. A.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Rautskii, M. V.; Мягков, Виктор Григорьевич; Myagkov, V. G.; Тамбасова, Е. Г.; Tambasova E. V.; "Решетневские чтения", международная научно-практическая конференция(19 ; 2015 ; нояб. ; 10-14 ; Красноярск)

/ И. А. Тамбасов [и др.] // Шк.-конф. молод. учён. "Неорган. соединения и функционал. материалы" (ICFM-2015) : программа и сб. тезисов докл. : 5—9 октября 2015 г., Бердск. - Новосибирск : ИНХ СО РАН, 2015. - С. 83 . - ISBN 978-5-90168-836-6


Для получение полного текста обратитесь в библиотеку

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Тамбасов, Игорь Анатольевич; Tambasov, I. A.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Мягков, Виктор Григорьевич; Myagkov, V. G.; Ежикова, Е. В.; "Неорганические соединения и функциональные материалы", школа-конференция молодых ученых(2015 ; окт. ; Бердск)

/ I. A. Tarasov [et al.] // Mater. Lett. - 2016. - Vol. 168. - P. 90-94, DOI 10.1016/j.matlet.2016.01.033. - Cited References: 25. - The work was supported by the Program of the President of the Russian Federation for the support of leading scientific schools (Scientific School 2886.2014.2), The Russian Foundation for Basic Research (RFBR) (Grants no. 13-02-01265), State Contract no. 02.G25.31.0043 and State Task no. 16.663.2014К). . - ISSN 0167-577XРУБ Materials Science, Multidisciplinary + Physics, Applied

Аннотация: Self-organized α-FeSi2 nanocrystals on (100) silicon substrate were synthesized by molecular beam epitaxy with Au catalyst. The microstructure and basic orientation relationship between the silicide nanocrystals and silicon substrate were analyzed in detail. α-FeSi2 nanocrystals appeared to be inclined trapezoid and rectangular nanoplates, polyhedral nanobars and pyramid-like ones, aligned along 011 directions on (100) silicon substrate with the length up to 1.5 μm, width ranging between 80 and 500 nm and thickness from 30 to 170 nm. As has been proposed metallic iron silicide may be used for manufacturing electric contacts on silicon. A current-voltage characteristic of the structure was measured at room temperature and showed good linearity.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку

Держатели документа:
Siberian State Aerospace University, 31 Krasnoyarsky Rabochiy Av., Krasnoyarsk, Russian Federation
Kirensky Institute of Physics, Russian Academy of Sciences, Akademgorodok 50, bld. 38, Krasnoyarsk, Russian Federation
Far Eastern State Transport University, Serysheva str. 47, Khabarovsk, Russian Federation
Krasnoyarsk Scientific Centre, Russian Academy of Sciences, Akademgorodok 50, Krasnoyarsk, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Molokeev, M. S.; Молокеев, Максим Сергеевич; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Nemtsev, I. V.; Немцев, Иван Васильевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич

/ M. V. Rautskii [et al.] // Third Asian school-conf. on physics and technol. of nanostructured mater. (ASCO-NANOMAT 2015) : proceedings. - Vladivostok : Dalnauka, 2015. - Ст. III.24.04p. - Библиогр.: 3. - The work was supported in part by the Grant of the President of the Pussian Federation and the Pussian Foundation for Basic Research, projects nos. 14-02-31156 and 14-02-00234 . - ISBN 978-5-8044-1556-4

Материалы конференции


Доп.точки доступа:
Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Volochaev, M. N.; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials(3 ; 2015 ; Aug. ; 19-26 ; Vladivostok); Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов(3 ; 2015 ; авг. ; 19-26 ; Владивосток)

/ G. S. Patrin [et al.] // Phys. Solid State. - 2016. - Vol. 58, Is. 5. - P. 1034-1040, DOI 10.1134/S1063783416050206. - Cited References:20. - This study was performed in the framework of the State Task of the Ministry of Education and Science of the Russian Federation to the Siberian Federal University (task no. 3.2534.2014/K) and was supported by the Russian Federation for Basic Research (project no. 14-02-00238-a). . - ISSN 1063-7834. - ISSN 1090-6460РУБ Physics, Condensed Matter

Аннотация: Three-layer Co/Ge/Co films have been studied using electron magnetic resonance. It has been established that the resonance spectrum of the film is a superposition of two Lorentzian lines. It has been found that the anisotropy induced at the cobaltaEuro'germanium interface makes the main contribution to the resonance spectrum and determines its features. The temperature dependences of the anisotropy field and the parameters of the interlayer exchange have been measured. The interlayer interactions exhibit an antiferromagnetic character and have been explained in terms of a model similar to the description of superexchange in magnetic dielectrics.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку

Держатели документа:
Russian Acad Sci, Siberian Branch, Kirensky Inst Phys, Akad 50-38, Krasnoyarsk 660036, Russia.
Siberian Fed Univ, Pr Svobodny 79, Krasnoyarsk 660041, Russia.

Доп.точки доступа:
Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Kobyakov, A. V.; Кобяков, Александр Васильевич; Turpanov, I. A.; Турпанов, Игорь Александрович; Patrin, K. G.; Патрин, Константин Геннадьевич; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Russian Federation for Basic Research [14-02-00238-a]