Труды сотрудников института физики

[Рукопись] : дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.11 / А. С. Тарасов ; науч. рук. Н. В. Волков ; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики им. Л.В. Киренского. - Красноярск, 2013. - 124 с. - Библиогр.: 80 назв. -

ГРНТИ

29.19.37

ББК В373.3я031


Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л. В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Волков, Никита Валентинович \науч. рук.\; Volkov, N. V.; Tarasov, A.S.; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Экземпляры всего: 1
ДС (1)
Свободны: ДС (1)

[Текст] / N. V. Volkov, Tarasov A.S., Eremin A.V. // V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism : abstracts. - Vladivostok : FEFU, 2013. - С. 84 . - ISBN 978-5-7444-3124-2


Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Eremin, E. V.; Еремин, Евгений Владимирович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; Sept. ; 15-21 ; Vladivostok)

[Текст] / N. V. Volkov [и др.] // V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism : abstracts. - Vladivostok : FEFU, 2013. - P288 . - ISBN 978-5-7444-3124-2


Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Fedorishchev, R. M.; Федорищев, Роман Михайлович; Gustaitsev, A. O.; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; Sept. ; 15-21 ; Vladivostok)

[Текст] / A. O. Gustaitsev [и др.] // V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism : abstracts. - Vladivostok : FEFU, 2013. - P290 . - ISBN 978-5-7444-3124-2


Доп.точки доступа:
Gustaitsev, A. O.; Fedorishchev, R. M.; Федорищев, Роман Михайлович; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Polyakov, V. V.; Поляков, Виктор Васильевич; Polyakova, K. P.; Полякова, Клавдия Павловна; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; Sept. ; 15-21 ; Vladivostok)

[Текст] / N. V. Volkov [и др.] // V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism : abstracts. - Vladivostok : FEFU, 2013. - P322 . - ISBN 978-5-7444-3124-2


Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Eremin, E. V.; Еремин, Евгений Владимирович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; Sept. ; 15-21 ; Vladivostok)

/ N. V. Volkov [et al.] // J. Appl. Phys. - 2013. - Vol. 114, Is. 9. - Ст. 093903. - P. , DOI 10.1063/1.4819975. - Cited References: 31. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, Project No. 11-02-00367-a; Presidium of the Russian Academy of Sciences, program Quantum Mesoscopic and Disordered Structures, Project No. 20.8; the Division of Physical Sciences of the Russian Academy of Sciences, program Spin Phenomena in Solids Nanostructures and Spintronics, Project No. II.4.3; the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, integration projects nos. 43, 85 and 102; Project of the Russian Ministry of Education and Science N 02.G25.31.0043. . - ISSN 0021-8979РУБ Physics, Applied

Аннотация: We report giant magnetoresistance (MR) effect that appears under the influence of optical radiation in common planar device built on Fe/SiO2/p-Si hybrid structure. Our device is made of two Schottky diodes connected to each other by the silicon substrate. Photo-induced MR is positive and the MR ratio reaches the values in excess of 10(4)%. The main peculiarity of the MR behavior is its strong dependence on the magnitude and the sign of the bias current across the device and, most surprisingly, upon polarity of the magnetic field. To explain such unexpected behavior of the MR, one needs to take into account contribution of several physical mechanisms. The main contribution comes from the existence of localized interface states at the SiO2/p-Si interface, which provide the spots for the photo-current conduction by virtue of the sequential tunneling through them or thermal generation and optical excitation of mobile charges. External magnetic field changes the probability of these processes due to its effect on the energy states of the conduction centers. Two possible mechanisms that may be responsible for the observed dependence of magneto-resistance on the field polarity are discussed: the effect of the Lorentz force on moving carriers and spin splitting of electrons moving in the electrostatic potential gradient (Rashba effect). The most significant observation, in our opinion, is that the observed MR effect is seen exclusively in the subsystem of minority carriers transferred into non-equilibrium state by optical excitation. We suggest that building such magneto-sensitive devices based on this mechanism may set a stage for new types of spintronic devices to emerge. (C) 2013 AIP Publishing LLC.

Смотреть статью,
WoS,
WOS,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку

Держатели документа:
SB RAS, LV Kirensky Phys Inst, Krasnoyarsk 660036, Russia
Siberian State Aerosp Univ, Inst Space Technol, Krasnoyarsk 660014, Russia

Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Eremin, E. V.; Еремин, Евгений Владимирович; Baron, F. A.; Барон, Филипп Алексеевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Russian Foundation for Basic Research [11-02-00367-a]; Presidium of the Russian Academy of Sciences, program Quantum Mesoscopic and Disordered Structures [20.8]; Division of Physical Sciences of the Russian Academy of Sciences, program Spin Phenomena in Solids Nanostructures and Spintronics [II.4.3]; Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences [43, 85, 102]; Russian Ministry of Education and Science [N 02.G25.31.0043]

/ Н. В. Волков [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : Труды XVII междунар. симп. - 2013. - Т. 1. - С. 101-102. - Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки РФ (соглашение № 8365), РФФИ (№ 11-02-00367-a), программы ОФН РАН № II.4.3, Президиума РАН № 20.8

Материалы симпозиума,
Материалы симпозиума

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A.S.; Еремин, Александр Владимирович; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S.N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Густайцев, Артур Олегович; Бондарев, Илья Александрович; Bondarev, I. A.; Институт физики микроструктур РАН; "Нанофизика и наноэлектроника", международный симпозиум(17 ; 2013 ; март. ; 11-15 ; Нижний Новгород)

/ Н. В. Волков [и др.] // Междунар. Урал. сем. "Радиационная физ. мет. и сплавов" : Тезисы докладов. - 2013. - С. 75-76

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A.S.; Еремин, Александр Владимирович; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S.N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Густайцев, Артур Олегович; Бондарев, Илья Александрович; Bondarev, I. A.; "Радиационная физика металлов и сплавов", международный Уральский семинар (10 ; 2013 ; 25 февр.-3 марта ; Кыштым, Россия)

/ Н. В. Волков [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : Труды XVI междунар. симп. - 2012. - Т. 1. - С. 102-103

Материалы симпозиума,
Материалы конференции

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A.S.; Еремин, Евгений Владимирович; Eremin, E. V.; Еремин, Александр Владимирович; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S.N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; "Нанофизика и наноэлектроника", международный симпозиум (16 ; 2012 ; март ; 12–16 ; Нижний Новгород)

/ N. V. Volkov [et al.] // Diffusion and Defect Data Pt.B: Solid State Phenomena. - 2012. - Vol. 190. - P. 526-529, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.190.526 . - ISBN 1012-0394. - ISBN 9783037854365
Аннотация: Pronounced optical- and bias-current-sensitive features of the transport properties of a Fe/SiO 2/p-Si hybrid structure in planar geometry at temperature variation are investigated. Comparative analysis of two Fe/SiO 2/p-Si samples, one with a continuous Fe film and the other with two electrodes formed from a Fe layer and separated by a micron gap, shows that these features are due to the MIS transition with a Schottky barrier near the interface between SiO 2 and p- Si. Resistance of such a MIS transition depends exponentially on temperature and bias. In the structure with a continuous ferromagnetic film, the competition between conductivities of the MIS transition and the Fe layer results in the effect of current channel switching between the Fe layer and a semiconductor substrate. Within certain limits, this process can be controlled by a bias current and optical radiation. The mechanism of the optical effect is photogeneration of electron-hole pairs in the semiconductor substrate near its boundary with SiO 2 layer. В© (2012) Trans Tech Publications.

Scopus


Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Eremin, E. V.; Еремин, Евгений Владимирович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Moscow International Symposium on Magnetism(5 ; 2011 ; Aug. ; 21-25 ; Moscow)

/ N. V. Volkov [et al.] // Joint Europ. Magn. Symp. (JEMS-2012) : Book of abstracts. - 2012. - P. 180

Материалы конференции


Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Eremin, E. V.; Еремин, Евгений Владимирович; Eremin, A. V.; Еремин, Александр Владимирович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Joint European Magnetic Symposia (6 ; 2012 ; Sent. ; 9-14 ; Parma, Italy)

/ N. V. Volkov [et al.] // J. Appl. Phys. - 2011. - Vol. 109, Is. 12. - Ст. 123924. - P. , DOI 10.1063/1.3600056 . - ISSN 0021-8979
Аннотация: Pronounced magnetic-field- and bias-sensitive features of the transport properties of a Fe/SiO2/p-Si hybrid structure in planar geometry at temperature variation are investigated. Comparative analysis of two Fe/SiO 2/p-Si samples, one with a continuous Fe film and the other with two electrodes formed from a Fe layer and separated by a micron gap, shows that these features are due to the metal-insulator-semiconductor (MIS) transition with a Schottky barrier near the interface between SiO2 and p-Si. Resistance of such a MIS transition depends exponentially on temperature and bias. In the structure with a continuous ferromagnetic film, the competition between conductivities of the MIS transition and the Fe layer results in the effect of current channel switching between the Fe layer and a semiconductor substrate. Within certain limits, this process can be controlled by a bias current and a magnetic field. Positive magnetoresistance of the structures at high temperatures is determined, most likely, by disorder-induced weak localization. In the structure with the gap, negative magnetoresistance is observed at certain temperature and bias. Its occurrence should be attributed to an inversion layer formed in the semiconductor near the SiO2/p-Si interface when MIS transition is in the inversion regime. В© 2011 American Institute of Physics.

Scopus,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку

Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Russian Academy of Sciences, Siberian Branch, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation
Siberian State Aerospace University, Krasnoyarsk 660014, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Eremin, E. V.; Еремин, Евгений Владимирович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Zharkov, S. M.; Жарков, Сергей Михайлович

/ N. V. Volkov [et al.] // J. Appl. Phys. - 2012. - Vol. 112, Is. 12. - Ст. 123906, DOI 10.1063/1.4769788. - Cited References: 31. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, Project No. 11-02-00367-a; the Presidium of the Russian Academy of Sciences, program Quantum Mesoscopic and Disordered Structures, Project No. 20.8; the Division of Physical Sciences of the Russian Academy of Sciences, program Spin Phenomena in Solids Nanostructures and Spintronics, Project No. II.4.3; the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, Integration Projects Nos. 85 and 102, and the Federal target program Scientific and Pedagogical Personnel of Innovative Russia (State Contract No. NK-556P_15). . - ISSN 0021-8979РУБ Physics, Applied

Аннотация: We report the large magnetoimpedance effect in a hybrid Fe/SiO2/p-Si structure with the Schottky barrier. The pronounced effect of magnetic field on the real and imaginary parts of the impedance has been found at temperatures 25-100K in two relatively narrow frequency ranges around 1 kHz and 100MHz. The observed frequency-dependent magnetotransport effect is related to the presence of localized "magnetic" states near the SiO2/p-Si interface. In these states, two different recharging processes with different relaxation times are implemented. One process is capture-emission of carriers that involves the interface levels and the valence band; the other is the electron tunneling between the ferromagnetic electrode and the interface states through SiO2 potential barrier. In the first case, the applied magnetic field shifts energy levels of the surface states relative to the valence band, which changes recharging characteristic times. In the second case, the magnetic field governs the spin-dependent tunneling of carriers through the potential barrier. The "magnetic" interface states originate, most likely, from the formation of the centers that contain Fe ions, which can easily diffuse through the SiO2 layer. (C) 2012 American Institute of Physics. [http://dx.doi.org/10.1063/1.4769788]

Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку

Держатели документа:
[Volkov, N. V.
Tarasov, A. S.
Eremin, E. V.
Eremin, A. V.
Varnakov, S. N.
Ovchinnikov, S. G.] Russian Acad Sci, Kirensky Inst Phys, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia
[Volkov, N. V.
Eremin, E. V.
Varnakov, S. N.] Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia

Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Eremin, E. V.; Еремин, Евгений Владимирович; Eremin, A. V.; Ерёмин, Александр Владимирович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич

/ N. V. Volkov [et al.] // J. Magn. Magn. Mater. - 2012. - Vol. 324, Is. 21. - P. 3579-3583, DOI 10.1016/j.jmmm.2012.02.095. - Cited References: 15. - This study was supported by the RFBR, project no. 11-02-00367-a; the Presidium of the Russian Academy of Sciences, project no. 21.1; the Division of Physical Sciences of the Russian Academy of Sciences, project no. 2.4.4.1; the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, integration projects nos. 5, 22 and 134, and the Federal Program (State contract no. NK-556P_15). . - ISSN 0304-8853РУБ Physics, Condensed Matter + Materials Science, Multidisciplinary

Аннотация: Different phenomena that give rise to a spin-polarized current in some systems with magnetic tunnel junctions are considered. In a manganite-based magnetic tunnel structure in CIP geometry, the effect of current-channel switching was observed, which causes bias-driven magnetoresistance, rf rectification, and the photoelectric effect. The second system under study, ferromagnetic/insulator/semiconductor, exhibits the features of the transport properties in CIP geometry that are also related to the current-channel switching effect. The described properties can be controlled by a bias, a magnetic field, and optical radiation. At last, the third system under consideration is a cooperative assembly of magnetic tunnel junctions. This system exhibits tunnel magnetoresistance and the magnetic-field-driven microwave detection effect. (C) 2012 Elsevier BY. All rights reserved.

Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку


Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Eremin, E. V.; Еремин, Евгений Владимирович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Moscow International Symposium on Magnetism(5 ; 2011 ; Aug. ; 21-25 ; Moscow)

/ N. V. Volkov [et al.] // Appl. Phys. Lett. - 2014. - Vol. 104, Is. 22. - Ст. 222406, DOI 10.1063/1.4881715. - Cited References: 20. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, Project Nos. 14-02-00234-a and 14-02-31156; the Presidium of the Russian Academy of Sciences, program Quantum Mesoscopic and Disordered Structures, Project No. 20.8; and the Russian Ministry of Education and Science, Project No. 02.G25.31.0043. . - ISSN 0003-6951. - ISSN 1077-3118РУБ Physics, Applied

Аннотация: We demonstrate that ferromagnetic metal/insulator/semiconductor hybrid structures represent a class of materials with the giant magnetoimpedance effect. In a metal-insulator-semiconductor diode with the Schottky barrier fabricated on the basis of the Fe/SiO2/n-Si structure, a drastic change in the impedance in an applied magnetic field was found. The maximum value of this effect was observed at temperatures of 10–30 K in the frequency range of 10 Hz–1 MHz where the ac magnetoresistance and magnetoreactance ratios exceeded 300% and 600%, respectively. In the low-frequency region (<1 kHz), these ratios could be controlled in wide range by applying bias to the device. The main contribution to the impedance when measured at temperatures corresponding to the strongest magnetic-field sensitivity comes from the interface states localized near the SiO2/n-Si interface and the processes of their recharging in an applied ac voltage. The applied magnetic field changes the energy structure of the interface states, thus affecting the processes of the charging dynamics.

Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку

Держатели документа:
Russian Acad Sci, Kirensky Inst Phys, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia
Siberian Fed Univ, Inst Engn Phys & Radio Elect, Krasnoyarsk 660041, Russia
Russian Acad Sci, Inst Automat & Control Proc, Far East Branch, Vladivostok 690041, Russia
Far Eastern Fed Univ, Sch Nat Sci, Vladivostok 690950, Russia

Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Gustaitsev, A. O.; Balashov, V. V.; Korobtsov, V .V.; Russian Foundation for Basic Research [14-02-00234-a, 14-02-31156]; Presidium of the Russian Academy of Sciences [20.8]; Russian Ministry of Education and Science [02.G25.31.0043.]

/ I. A. Tambasov [et al.] // Semicond. Sci. Technol. - 2014. - Vol. 29, Is. 8. - Ст. 82001, DOI 10.1088/0268-1242/29/8/082001. - Cited References: 56. - This work was supported by the Federal Target Program through Contract No 14.513.11.0023; the Russian Foundation for Basic Research, Project No. 14-02-31156. . - ISSN 0268-1242. - ISSN 1361-6641РУБ Engineering, Electrical & Electronic + Materials Science, Multidisciplinary + Physics, Condensed Matter

Аннотация: We have prepared thin indium oxide films by the autowave oxidation reaction. Measurements of temperature dependence of resistivity, Hall carrier concentration and Hall mobility have been conducted in the temperature range 5-272 K. Before ultraviolet (UV) irradiation, the indium oxide film had a semiconductor-like temperature dependence of resistivity. and the ratio of rho (5 K)/rho(272 K) was very limited (similar to 1.2). It was found that after UV irradiation of the In2O3 film, the metal-semiconductor transition (MST) was observed at similar to 100 K. To show that this MST is reversible and repeatable, two full cycles of 'absence of MST-presence of MST' have been done using UV irradiation (photoreduction) as the induced mechanism and exposure to an oxygen environment as the reversible mechanism, respectively. MST in transparent conducting oxide (TCO) is possibly associated with the undoped structure of metal oxide, which has some disorder of oxygen vacancies. It was suggested that reversible UV induced metal-semiconductor transition would occur in other TCOs.

Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку

Держатели документа:
Russian Acad Sci, Siberian Branch, LV Kirensky Phys Inst, Krasnoyarsk 660036, Russia
Reshetnev Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia
Russian Acad Sci, Siberian Branch, Krasnoyarsk Sci Ctr, Krasnoyarsk 660036, Russia

Доп.точки доступа:
Tambasov, I. A.; Тамбасов, Игорь Анатольевич; Myagkov, V. G.; Мягков, Виктор Григорьевич; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Ivanenko, A. A.; Иваненко, Александр Анатольевич; Bykova, L. E.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Nemtsev, I. V.; Немцев, Иван Васильевич; Eremin, E. V.; Еремин, Евгений Владимирович; Yozhikova, E. V.; Federal Target Program [14.513.11.0023]; Russian Foundation for Basic Research [14-02-31156]

: Глава 6 / Н. В. Волков [и др.] // Метаматериалы и структурно организованные среды для оптоэлектроники, СВЧ-техники и нанофотоники / А. Ю. Авдеева ; отв. ред.: В. Ф. Шабанов, В. Я. Зырянов ; рец.: Г. Г. Матвиенко, В. В. Слабко, Н. Я. Шапарев. - Новосибирск : Изд-во СО РАН, 2013. - С. 121-146 . -

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Авдеева, Анастасия Юрьевна; Шабанов, Василий Филиппович \отв. ред.\; Shabanov, V. F.; Зырянов, Виктор Яковлевич \отв. ред.\; Zyryanov, V. Ya.; Матвиенко, Г. Г. \рец.\; Слабко, Виталий Васильевич \рец.\; Slabko, V. V.; Шапарев, Николай Якимович \рец.\; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Еремин, Евгений Владимирович; Eremin, E. V.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.; Цикалов, Виталий Сергеевич; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Институт вычислительного моделирования Сибирского отделения РАН; Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева Сибирского отделения РАН; Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН; Красноярский научный центр Сибирского отделения РАН; Институт химии твердого тела и механохимии Сибирского отделения РАН
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

[Текст] / N. V. Volkov [et al.] // Trans. Nonferrous Met. Soci. China. - 2014. - Vol. 24, Is. 10. - P. 3158–3163DOI 10.1016/S1003-6326(14)63455-5. - Cited References: 12. - This study was supported by the Presidium of the Russian Academy of Sciences (project No. 20.8); the Division of Physical Sciences of the Russian Academy of Sciences (project No. II.4.3); the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (integration projects Nos. 43, 85 and 102); the RF Ministry for Education and Science (project No. 02.G25.31.0043); and the Russian Foundation of Basic Research (projects Nos. 14-02-00234, 14-02-31156). . -
Аннотация: The giant magnetoresistive (MR) effect was investigated in a simple Fe/SiO2/p-Si-hybrid-structure-based device from two back-to-back Schottky diodes. The effect was revealed only under the non-equilibrium conditions caused by optical radiation. It is demonstrated that the magnetoresistance ratio attains 100 or more. The main peculiarity of the MR behavior is its strong dependence on the magnitude and the sign of the bias current across the device and, most surprisingly, upon polarity of the magnetic field. It is important that the magnetoresistive effect is implemented exclusively in the subsystem of minority charge carriers transferred to the non-equilibrium states. The development of magneto-sensitive devices of this type can give grounds for a novel direction of semiconductor spintronics.

Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
WOS,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку

Держатели документа:
Russian Acad Sci, LV Kirensky Phys Inst, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia
Siberian Fed Univ, Inst Engn Phys & Radio Elect, Krasnoyarsk 660041, Russia

Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Gustajcev, A. O.; Густайцев Артур Олегович; Volkova, O. N.; Волкова, О. Н.; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Presidium of the Russian Academy of Sciences [20.8]; Division of Physical Sciences of the Russian Academy of Sciences [II.4.3]; Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences [43, 85, 102]; RF Ministry for Education and Science [02.G25.31.0043]; Russian Foundation of Basic Research [14-02-00234, 14-02-31156]

[Текст] / N. V. Volkov [и др.] // Adv. metals, ceramics and composites : 12th China-Russia Symposium on Advaced Materials and Technologies. - 2013. - Pt. 2. - P. 216-219 . - ISBN 978-7-5415-7650-5


Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Gustaitsev, A. O.; Густайцев Артур Олегович; Volkova, O. N.; Волкова, О. Н.; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; China-Russia Symposium on Advaced Materials and Technologies (12 ; 2013 ; Nov. 18-22 ; Kunming, China)

[Текст] / И. А. Бондарев [и др.] // Двадцатая Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых (ВНКСФ-20) : матер. конф. - 2014. - С. 247
Аннотация: Гибридные наноструктуры представляют большой интерес обусловленный тем, что такие структуры позволяют использовать спиновый транспорт, что является весьма привлекательным в связи с исследованиями последних лет. Для практического использования гибридных структур необходимо понимание ряда физических явлений, таких как спиновая инжекция в полупроводник, спиновая диффузия, спиновая аккумуляция и др. Одним из наиболее интересных эффектов в гибридных структурах является эффект гигантского магнетосопротивления, состоящий в существенном изменении электрического сопротивления такой структуры при изменении взаимного направления намагниченности соседних магнитных слоёв.

Материалы конференции,
Материалы конференции

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Бондарев, Илья Александрович; Bondarev, I. A.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.; Дорофеев, Николай Владимирович; Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых (20 ; 2014 ; 27 марта - 3 апреля ; Ижевск)