[Текст] / N. V. Volkov [и др.] // V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism : abstracts. - Vladivostok : FEFU, 2013. - P288
. - ISBN 978-5-7444-3124-2
Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Fedorishchev, R. M.; Федорищев, Роман Михайлович; Gustaitsev, A. O.; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; Sept. ; 15-21 ; Vladivostok)
Труды сотрудников института физики
w10=
Найдено документов в текущей БД: 73
Optically controlled magnetorisistance effect in hybrid structures Fe/SiO[[d]]2[[/d]]/p-Si and Fe/SiO[[d]]2[[/d]]/n-Si
Magnetic-field-dependent electron transport in NiFe/TiOy/NiFe trilayers
[Текст] / A. O. Gustaitsev [и др.] // V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism : abstracts. - Vladivostok : FEFU, 2013. - P290
. - ISBN 978-5-7444-3124-2
Доп.точки доступа:
Gustaitsev, A. O.; Fedorishchev, R. M.; Федорищев, Роман Михайлович; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Polyakov, V. V.; Поляков, Виктор Васильевич; Polyakova, K. P.; Полякова, Клавдия Павловна; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; Sept. ; 15-21 ; Vladivostok)
Доп.точки доступа:
Gustaitsev, A. O.; Fedorishchev, R. M.; Федорищев, Роман Михайлович; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Polyakov, V. V.; Поляков, Виктор Васильевич; Polyakova, K. P.; Полякова, Клавдия Павловна; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; Sept. ; 15-21 ; Vladivostok)
Спин-зависимый электронный транспорт в гибридных структурах с участием локализованных поверхностных состояний
/ Н. В. Волков [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : Труды XVII междунар. симп. - 2013. - Т. 1. - С. 101-102. - Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки РФ (соглашение № 8365), РФФИ (№ 11-02-00367-a), программы ОФН РАН № II.4.3, Президиума РАН № 20.8
Материалы симпозиума,
Материалы симпозиума
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A.S.; Еремин, Александр Владимирович; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S.N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Густайцев, Артур Олегович; Бондарев, Илья Александрович; Bondarev, I. A.; Институт физики микроструктур РАН; "Нанофизика и наноэлектроника", международный симпозиум(17 ; 2013 ; март. ; 11-15 ; Нижний Новгород)
Материалы симпозиума,
Материалы симпозиума
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A.S.; Еремин, Александр Владимирович; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S.N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Густайцев, Артур Олегович; Бондарев, Илья Александрович; Bondarev, I. A.; Институт физики микроструктур РАН; "Нанофизика и наноэлектроника", международный симпозиум(17 ; 2013 ; март. ; 11-15 ; Нижний Новгород)
Спин-зависимый электронный транспорт в гибридных наноструктурах ферромагнитный металл/диэлектрик/полупроводник
/ Н. В. Волков [и др.] // Междунар. Урал. сем. "Радиационная физ. мет. и сплавов" : Тезисы докладов. - 2013. - С. 75-76
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A.S.; Еремин, Александр Владимирович; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S.N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Густайцев, Артур Олегович; Бондарев, Илья Александрович; Bondarev, I. A.; "Радиационная физика металлов и сплавов", международный Уральский семинар (10 ; 2013 ; 25 февр.-3 марта ; Кыштым, Россия)
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A.S.; Еремин, Александр Владимирович; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S.N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Густайцев, Артур Олегович; Бондарев, Илья Александрович; Bondarev, I. A.; "Радиационная физика металлов и сплавов", международный Уральский семинар (10 ; 2013 ; 25 февр.-3 марта ; Кыштым, Россия)
Transport properties of the La0.75Ca0.25MnO3 manganite
[Текст] / I. A. Bondarev, N. V. Volkov // RACIRI Summer School : Book of abstracts. - 2013. - P. 18
Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Бондарев, Илья Александрович; RACIRI Summer School(17−25 August, 2013 ; Peterhof, Russia)
Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Бондарев, Илья Александрович; RACIRI Summer School(17−25 August, 2013 ; Peterhof, Russia)
Влияние оптического излучения на магнитотранспортные свойства гибридных структур Fe/SiO2/p-Si и Fe/SiO2/n-Si
[Текст] / И. А. Бондарев [и др.] // Двадцатая Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых (ВНКСФ-20) : матер. конф. - 2014. - С. 247
Аннотация: Гибридные наноструктуры представляют большой интерес обусловленный тем, что такие структуры позволяют использовать спиновый транспорт, что является весьма привлекательным в связи с исследованиями последних лет. Для практического использования гибридных структур необходимо понимание ряда физических явлений, таких как спиновая инжекция в полупроводник, спиновая диффузия, спиновая аккумуляция и др. Одним из наиболее интересных эффектов в гибридных структурах является эффект гигантского магнетосопротивления, состоящий в существенном изменении электрического сопротивления такой структуры при изменении взаимного направления намагниченности соседних магнитных слоёв.
Материалы конференции,
Материалы конференции
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Бондарев, Илья Александрович; Bondarev, I. A.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.; Дорофеев, Николай Владимирович; Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых (20 ; 2014 ; 27 марта - 3 апреля ; Ижевск)
Аннотация: Гибридные наноструктуры представляют большой интерес обусловленный тем, что такие структуры позволяют использовать спиновый транспорт, что является весьма привлекательным в связи с исследованиями последних лет. Для практического использования гибридных структур необходимо понимание ряда физических явлений, таких как спиновая инжекция в полупроводник, спиновая диффузия, спиновая аккумуляция и др. Одним из наиболее интересных эффектов в гибридных структурах является эффект гигантского магнетосопротивления, состоящий в существенном изменении электрического сопротивления такой структуры при изменении взаимного направления намагниченности соседних магнитных слоёв.
Материалы конференции,
Материалы конференции
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Бондарев, Илья Александрович; Bondarev, I. A.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.; Дорофеев, Николай Владимирович; Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых (20 ; 2014 ; 27 марта - 3 апреля ; Ижевск)
Импеданс и магнитоимпеданс в гибридных структурах Mn/SiO2/p-Si
[Текст] / Н. В. Дорофеев [и др.] // Двадцатая Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых (ВНКСФ-20) : матер. конф. - 2014. - С. 251
Материалы конференции,
Материалы конференции
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Дорофеев, Николай Владимирович; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.; Бондарев, Илья Александрович; Bondarev, I. A.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых (20 ; 2014 ; 27 марта - 3 апреля ; Ижевск)
Материалы конференции,
Материалы конференции
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Дорофеев, Николай Владимирович; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.; Бондарев, Илья Александрович; Bondarev, I. A.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых (20 ; 2014 ; 27 марта - 3 апреля ; Ижевск)
Optically induced magnetotransport properties of Fe/SiO2/P-Si and Fe/SiO2/N-Si hybrid structures
[Текст] / I. A. Bondarev [и др.] // Moscow Int. Symp. on Magnet. (MISM-2014) : Book of abstracts. - 2014. - Ст. 1PO-K-4. - P. 537
. - ISBN 978-5-91978-025-0
Материалы конференции,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку
Доп.точки доступа:
Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Dorofeev, N. V.; Дорофеев, Николай Владимирович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Moscow International Symposium on Magnetism(6 ; 2014 ; 29 June-3 July ; Moscow); Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
Материалы конференции,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку
Доп.точки доступа:
Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Dorofeev, N. V.; Дорофеев, Николай Владимирович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Moscow International Symposium on Magnetism(6 ; 2014 ; 29 June-3 July ; Moscow); Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
Impedance and magnetoimpedance in Mn/SiO2/P-Si HYBRID structures
[Текст] / N. V. Dorofeev [и др.] // Moscow int. Symp. on Magnet. (MISM-2014) : Book of abstracts. - 2014. - Ст. 1PO-K-3. - P. 536
. - ISBN 978-5-91978-025-0
Материалы конференции,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку
Доп.точки доступа:
Dorofeev, N. V.; Дорофеев, Николай Владимирович; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Moscow International Symposium on Magnetism(6 ; 2014 ; 29 June-3 July ; Moscow); Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
Материалы конференции,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку
Доп.точки доступа:
Dorofeev, N. V.; Дорофеев, Николай Владимирович; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Moscow International Symposium on Magnetism(6 ; 2014 ; 29 June-3 July ; Moscow); Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
Magnetoimpedance of the Fe/SiO2/N-SiI hybrid structure under optical irradiation
[Текст] / A. S. Tarasov [и др.] // Moscow Int. Symp. on Magnet. (MISM-2014) : Book of abstracts. - 2014. - Ст. 1PO-K-15. - P. 548
. - ISBN 978-5-91978-025-0
Материалы конференции,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку
Доп.точки доступа:
Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Moscow International Symposium on Magnetism(6 ; 2014 ; 29 June-3 July ; Moscow); Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
Материалы конференции,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку
Доп.точки доступа:
Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Moscow International Symposium on Magnetism(6 ; 2014 ; 29 June-3 July ; Moscow); Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
Magnetoresistance of the Mn/SiO2/p-Si Hybrid Structure
/ I. A. Bondarev [et al.] // Third Asian school-conference on physics and technology of nanostructured materials (ASCO-NANOMAT 2015) : proceedings. - Vladivostok : Dalnauka, 2015. - Ст. IX.24.02p
. - ISBN 978-5-8044-1556-4
Материалы конференции
Доп.точки доступа:
Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Dorofeev, N. V.; Дорофеев, Николай Владимирович; Rautckii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials(3 ; 2015 ; Aug. ; 19-26 ; Vladivostok); Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов(3 ; 2015 ; авг. ; 19-26 ; Владивосток)
Материалы конференции
Доп.точки доступа:
Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Dorofeev, N. V.; Дорофеев, Николай Владимирович; Rautckii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials(3 ; 2015 ; Aug. ; 19-26 ; Vladivostok); Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов(3 ; 2015 ; авг. ; 19-26 ; Владивосток)
The optically induced and bias-voltage-driven magnetoresistive effect in a silicon-based device
/ N. V. Volkov [et al.] // J. Surf. Invest. - 2015. - Vol. 9, Is. 5. - P. 984-994, DOI 10.1134/S1027451015050432. - Cited References: 32. - This work was supported by the Russian Foundation for Basic Research, project nos. 14-02-00234-a and 14-02-31156; the Russian Ministry of Education and Science, state task no. 16.663.2014K; and the Russian Ministry of Education and Science, project no. 02.G25.31.0043.
. - ISSN 1027-4510
Перевод заглавия: Оптически индуцированный и управляемый напряжением магниторезистивный эффект в устройстве на основе кремния
РУБ Surfaces and Interfaces, Thin Films
Кл.слова (ненормированные):
magnetoresistance -- magnetotransport properties -- photoconductivity -- bias voltage
Аннотация: The giant change in photoconductivity of a device based on the Fe/SiO2/p-Si structure in magnetic field is reported. As the magnetic field increases to 1 T, the conductivity changes by a factor of more than 25. The optically induced magnetoresistance effect is strongly dependent of the applied magnetic field polarity, as well as of sign and value of a bias voltage across the device. The main mechanism of the magnetic field effect is related to the Lorentz force, which deflects the trajectories of photogenerated carriers, thereby changing their recombination rate. The structural asymmetry of the device leads to the asymmetry of the dependence of recombination on the magnetic field polarity: recombination of carriers deflected in the bulk of semiconductor is relatively slow, while recombination of carriers at the SiO2/p-Si interface is faster. In the latter case, the interface states serve as effective recombination centers. The bias voltage sign specifies the type of carriers, whose trajectories pass near the interface, providing the main contribution to the magnetoresistance effect. The bias voltage controls the electric field accelerating carriers and, thus, affects the hole and electron trajectories. Moreover, when the bias voltage exceeds a certain threshold value, the electron impact ionization regime is implemented. The magnetic field suppresses impact ionization by enhancing recombination, which makes the largest contribution to the magnetoresistance of the device. The investigated device can be used as a prototype of silicon chips controlled simultaneously by optical radiation, magnetic field, and bias voltage. © 2015, Pleiades Publishing, Ltd.
Смотреть статью,
Scopus,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Russian Academy of Sciences, Siberian branch, Krasnoyarsk, Russian Federation
Siberian Federal University, Institute of Engineering Physics and Radio Electronics, Krasnoyarsk, Russian Federation
Siberian State Aerospace University, Institute of Space Technology, Krasnoyarsk, Russian Federation
Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Baron, F. A.; Барон, Филипп Алексеевич; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич
Перевод заглавия: Оптически индуцированный и управляемый напряжением магниторезистивный эффект в устройстве на основе кремния
Кл.слова (ненормированные):
magnetoresistance -- magnetotransport properties -- photoconductivity -- bias voltage
Аннотация: The giant change in photoconductivity of a device based on the Fe/SiO2/p-Si structure in magnetic field is reported. As the magnetic field increases to 1 T, the conductivity changes by a factor of more than 25. The optically induced magnetoresistance effect is strongly dependent of the applied magnetic field polarity, as well as of sign and value of a bias voltage across the device. The main mechanism of the magnetic field effect is related to the Lorentz force, which deflects the trajectories of photogenerated carriers, thereby changing their recombination rate. The structural asymmetry of the device leads to the asymmetry of the dependence of recombination on the magnetic field polarity: recombination of carriers deflected in the bulk of semiconductor is relatively slow, while recombination of carriers at the SiO2/p-Si interface is faster. In the latter case, the interface states serve as effective recombination centers. The bias voltage sign specifies the type of carriers, whose trajectories pass near the interface, providing the main contribution to the magnetoresistance effect. The bias voltage controls the electric field accelerating carriers and, thus, affects the hole and electron trajectories. Moreover, when the bias voltage exceeds a certain threshold value, the electron impact ionization regime is implemented. The magnetic field suppresses impact ionization by enhancing recombination, which makes the largest contribution to the magnetoresistance of the device. The investigated device can be used as a prototype of silicon chips controlled simultaneously by optical radiation, magnetic field, and bias voltage. © 2015, Pleiades Publishing, Ltd.
Смотреть статью,
Scopus,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Russian Academy of Sciences, Siberian branch, Krasnoyarsk, Russian Federation
Siberian Federal University, Institute of Engineering Physics and Radio Electronics, Krasnoyarsk, Russian Federation
Siberian State Aerospace University, Institute of Space Technology, Krasnoyarsk, Russian Federation
Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Baron, F. A.; Барон, Филипп Алексеевич; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич
Magnetic and transport properties of Fe3Si on the Si (111) substrate
/ I. A. Bondarev [et al.] // Int. conf. "Spin physics, spin chem., and spin technol.". - 2015. - P. 59. - Библиогр.: 2. - This work was supported by the Russian Foundation for Basic Research, project nos. 14-02-00234-a and 14-02-31156, and the Russian Ministry of Education and Science, project no. 02.G25.31.0043
Материалы конференции
Доп.точки доступа:
Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Dorofeev, N. V.; Дорофеев, Николай Владимирович; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; "Spin physics, spin chemistry, and spin technology", Internnational conference(2015 ; Jun. ; 1-5 ; Saint Peterburg); Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН; Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского Казанского научного центра РАН; "Инно-мир", центр межрегионального инновационного развития
Материалы конференции
Доп.точки доступа:
Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Dorofeev, N. V.; Дорофеев, Николай Владимирович; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; "Spin physics, spin chemistry, and spin technology", Internnational conference(2015 ; Jun. ; 1-5 ; Saint Peterburg); Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН; Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского Казанского научного центра РАН; "Инно-мир", центр межрегионального инновационного развития
Magnetotransport properties of the Mn/SiO2/p-Si hybrid structures
/ N. V. Dorofeev [et al.] // Int. conf. "Spin physics, spin chem., and spin technol.". - 2015. - P. 69. - Библиогр.: 4. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, projects nos. 14-02-31156 and 14-02-00234, and the Russian Ministry of Education and Science, project no. 02.G25.31.0043
Материалы конференции
Доп.точки доступа:
Dorofeev, N. V.; Дорофеев, Николай Владимирович; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; "Spin physics, spin chemistry, and spin technology", Internnational conference(2015 ; Jun. ; 1-5 ; Saint Peterburg); Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН; Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского Казанского научного центра РАН; "Инно-мир", центр межрегионального инновационного развития
Материалы конференции
Доп.точки доступа:
Dorofeev, N. V.; Дорофеев, Николай Владимирович; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; "Spin physics, spin chemistry, and spin technology", Internnational conference(2015 ; Jun. ; 1-5 ; Saint Peterburg); Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН; Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского Казанского научного центра РАН; "Инно-мир", центр межрегионального инновационного развития
Magnetotransport effects in the Mn/SiO2/p-Si Hybrid Structure
/ D. A. Smolyakov [et al.] // VI Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism" (EASTMAG-2016) : abstracts / ed.: O. A. Maksimova, R. D. Ivantsov. - Krasnoyarsk : KIP RAS SB, 2016. - Ст. P1.17. - P. 77. - References: 2. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, project no. 14-02-00234-a
. - ISBN 978-5-904603-06-9
Доп.точки доступа:
Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Gustaitsev, A. O.; Густайцев, Артур Олегович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Нет сведений об экземплярах
Доп.точки доступа:
Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Gustaitsev, A. O.; Густайцев, Артур Олегович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Нет сведений об экземплярах
Magnetic field-sensitive lateral photovoltaic effect in the Fe/SiO2/p-Si hybrid structure
/ I. A. Bondarev [et al.] // VI Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism" (EASTMAG-2016) : abstracts / ed.: O. A. Maksimova, R. D. Ivantsov. - Krasnoyarsk : KIP RAS SB, 2016. - Ст. P4.11. - P. 239. - References: 1. - This work was supported by the Russian Foundation of Basic Research, project nos. 14-02-00234
. - ISBN 978-5-904603-06-9
Доп.точки доступа:
Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Нет сведений об экземплярах
Доп.точки доступа:
Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Нет сведений об экземплярах
Ferromagnetic Resonance Study of the epitaxial Fe3Si(111) film on the Si(111) substrate
/ M. V. Rautskii [et al.] // VI Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism" (EASTMAG-2016) : abstracts / ed.: O. A. Maksimova, R. D. Ivantsov. - Krasnoyarsk : KIP RAS SB, 2016. - Ст. O5.5. - P. 253. - References: 2
. - ISBN 978-5-904603-06-9
Доп.точки доступа:
Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Нет сведений об экземплярах
Доп.точки доступа:
Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Нет сведений об экземплярах
FIB and photolithography fabrication of low-dimensional devices based on the Co/Al2O3/Ge/Al2O3/Si hybrid structures
/ A. V. Lukyanenko [et al.] // VI Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism" (EASTMAG-2016) : abstracts / ed.: O. A. Maksimova, R. D. Ivantsov. - Krasnoyarsk : KIP RAS SB, 2016. - Ст. P10.17. - P. 485
. - ISBN 978-5-904603-06-9
Доп.точки доступа:
Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Нет сведений об экземплярах
Доп.точки доступа:
Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Нет сведений об экземплярах
Магнитотранспортные свойства гибридной структуры Co/Al2O3/Ge/Al2O3/Si с наноразмерным полупроводниковым каналом
/ М. В. Рауцкий [и др.] // Магнитные материалы. Новые технологии : тез. докл. VII Байкал. Междунар. конф. / Иркутский гос. ун-т. - Иркутск, 2016. - С. 115
. - ISBN 978-591-345-152-1. - ISBN 978-591-345-152-1
Материалы конференции,
Чиать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Исхаков, Рауф Садыкович \чл. прогр. ком.\; Iskhakov, R. S.; Аплеснин, Сергей Степанович \чл. прогр. ком.\; Aplesnin, S. S.; Овчинников, Сергей Геннадьевич \чл. прогр. ком.\; Ovchinnikov, S. G.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Rautskii, M. V.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.; Бондарев, Илья Александрович; Bondarev, I. A.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Волочаев, Михаил Николаевич; Volochaev, M. N.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; "Магнитные материалы. Новые технологии", Байкальская международная конференция(7 ; 2016 ; авг. ; 22-26 ; Листвянка, пос. (Иркутская обл.)); "Magnetic materials. New tecnologies", Baikal International Conference(7 ; 2016 ; Aug. ; 22-26 ; Listvyanka, Irkutsk region); Байкальская международная конференция "Магнитные материалы. Новые технологии"(7 ; 2016 ; авг. ; 22-26 ; п. Листвянка, Иркутская обл.); Иркутский государственный университет
Материалы конференции,
Чиать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Исхаков, Рауф Садыкович \чл. прогр. ком.\; Iskhakov, R. S.; Аплеснин, Сергей Степанович \чл. прогр. ком.\; Aplesnin, S. S.; Овчинников, Сергей Геннадьевич \чл. прогр. ком.\; Ovchinnikov, S. G.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Rautskii, M. V.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.; Бондарев, Илья Александрович; Bondarev, I. A.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Волочаев, Михаил Николаевич; Volochaev, M. N.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; "Магнитные материалы. Новые технологии", Байкальская международная конференция(7 ; 2016 ; авг. ; 22-26 ; Листвянка, пос. (Иркутская обл.)); "Magnetic materials. New tecnologies", Baikal International Conference(7 ; 2016 ; Aug. ; 22-26 ; Listvyanka, Irkutsk region); Байкальская международная конференция "Магнитные материалы. Новые технологии"(7 ; 2016 ; авг. ; 22-26 ; п. Листвянка, Иркутская обл.); Иркутский государственный университет
Marnetic-field sensitivity of charge transport in silicon-based hybrid structures
: Invited / N. V. Volkov [et al.] // International workshop on actual problems of condensed matter physics : Program. Book of abstracts / Fed. Res. Center KSC SB RAS, Kirensky Inst. of phys., Sib. Fed. Univ. - Krasnoyarsk, 2017. - P10
Материалы совещания
Доп.точки доступа:
Ovchinnikov, S. G. \предс. прогр. ком.\; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Volkov, N. V.; Tarasov, A. S.; Rautskii, M. V.; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Ovchinnikov, S. G.; Federal Research Center KSC SB RAS; Kirensky Institute of Physics; Siberian Federal Univercity; International Workshop on Actual Problems of Condensed Matter Physics(27 Mar. - 1 Apr. 2017 ; Krasnoyarsk / Cheremushki)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)
Материалы совещания
Доп.точки доступа:
Ovchinnikov, S. G. \предс. прогр. ком.\; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Volkov, N. V.; Tarasov, A. S.; Rautskii, M. V.; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Ovchinnikov, S. G.; Federal Research Center KSC SB RAS; Kirensky Institute of Physics; Siberian Federal Univercity; International Workshop on Actual Problems of Condensed Matter Physics(27 Mar. - 1 Apr. 2017 ; Krasnoyarsk / Cheremushki)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)