Перевод заглавия: The impact of the photon processing and temperature on the conductivity of In2O3 films produed with autowave oxidation
Кл.слова (ненормированные):
ТОНКИЕ ПЛЕНКИ -- ОКСИД ИНДИЯ -- АВТОВОЛНОВОЕ ОКИСЛЕНИЕ -- УЛЬТРАФИОЛЕТОВОЕ ОБЛУЧЕНИЕ -- THIN FILMS -- INDIUM OXIDE -- AUTO-WAVE OXIDATION -- ULTRAVIOLET IRRADIATION
Аннотация: Пленки оксида индия были синтезированы автоволновой реакцией окисления на покровном стекле, кварце и монокристалле MgO. Толщина пленки измерялась с помощью режима «cross-section» сканирующего электронного микроскопа и составляла ~300 нм. Оптическая ширина запрещенной зоны оксида индия была ~3.5 эВ. Исследования сопротивления In2O3 пленки от температуры в теневых условиях показали, что при нагревании до 100 0С сопротивление увеличивается на ~10 %. Показано, что при фотооблучении происходит резкое уменьшение электрического сопротивления пленок, максимальное изменение которого составило 52 % при комнатной температуре. Определены две скорости релаксации сопротивления пленок после прекращения облучения 15 Ом/сек первые 30 сек и 7 Ом/сек в остальное время. Сделано предположение, что фотовосстановление является доминирующим механизмом, ответственным за изменения проводимости пленок.
Indium oxide films were synthesized by auto-wave oxidation reaction on the cover glass, quartz and single crystal MgO. The film thickness was measured with a mode «cross-section» scanning electron microscope and was ~ 300 nm. Optical band gap of indium oxide was ~3.5 eV. The study of In2O3 film resistance versus temperature in the dark conditions showed that when heated to 100 °C the resistance increases by about 10 %. It is shown that the_ films electric resistance decreases sharply under photo radiation and the maximum change was 52 % at room temperature. The two film resistance relaxation rates after irradiation have been determined to be 15 Ohm/s the first 30 seconds and 7 Оhm/s f for the rest, respectively. On the basis of the above stated the authors suggest that the photo reduction is the dominant mechanism responsible for the changes in conductivity of In 2O 3 films.
Смотреть статью,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Тамбасов, Игорь Анатольевич; Tambasov, I.A.; Немцев, Иван Васильевич; Nemtsev, I.V.; Савранский, Д. С.; Мацынин, Алексей Александрович; Matsynin, A.A.; Ежикова, Е. В.