/ И. А. Тарасов [и др.]> // Письма в Журн. эксперим. и теор. физ. - 2014. -
Т. 99,
Вып. 10. - С. 651-655
DOI 10.7868/S0370274X14100026. - Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (гранты # 13-02-01265, 14-02-31309), гранта поддержки ведущей научной школы (проект НШ-2886.2014.2), Министерства образования и науки Российской Федерации (госконтракт # 02.G25.31.0043) и программы президиума РАН # 24.34
. -
Аннотация: Методом спектральной эллипсометрии измерена дисперсия диэлектрической проницаемости \varepsilon эпитаксиальной
пленки силицида железа Fe3Si толщиной 27 нм в области энергий E=(1.16-4.96) эВ. Результаты сравниваются с дисперсией диэлектрической проницаемости, вычисленной в рамках метода функционала плотности с аппроксимацией GGA-PBE. Рассчитаны электронная структура Fe3Si и плотность электронных состояний (DOS). Анализ частот теоретически рассчитанных оптических переходов между пиками DOS дает качественное согласие с экспериментально измеренными пиками поглощения. Анализ данных одноволновой лазерной эллипсометрии, полученных в процессе синтеза
пленки, показывает, что формирование сплошного слоя
пленки силицида железа Fe3Si происходит при достижении ее толщиной в 5 нм.
Смотреть статью,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку
Держатели документа: Институт физики им. Киренского СО РАН, 660036 Красноярск, Россия
Сибирский государственный аэрокосмический университет им. Решетнева, 660014 Красноярск, Россия
Доп.точки доступа: Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Попов, Захар Иванович; Popov, Z. I.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Молокеев, Максим Сергеевич; Molokeev, M. S.; Федоров, Александр Семенович; Fedorov, A. S.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Федоров, Дмитрий Александрович; Fedorov, D. A.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.