/ Н. А. Дрокин, В. К. Чернов> // Физ. тверд. тела. - 1979. - Т. 21, Вып. 4. - С. 1230-1231. - Библиогр.: 8 назв.
Держатели документа:
Институт физики Сибирского отделения АН СССР
Доп.точки доступа:
Чернов, Владимир Кондратьевич; Chernov, V.K.; Drokin, N. A.
Труды сотрудников института физики
w10=
Найдено документов в текущей БД: 4
Фотоиндуцированное изменение магнитной проницаемости и фотопроводимость в магнетите
Фотопроводимость 'альфа'-MnS и MnO
/ Н. А. Дрокин, С. Г. Овчинников, Л. И. Рябинкина> // Физ. тверд. тела. - 1987. - Т. 29, Вып. 6. - С. 1625-1628
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Рябинкина, Людмила Ивановна; Ryabinkina, L. I.; Drokin, N. A.
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Рябинкина, Людмила Ивановна; Ryabinkina, L. I.; Drokin, N. A.
Фотопроводимость в магнитных полупроводниках на основе CdCr2Se4
[Препринт] : препринт. № 151Ф / В. К. Чернов, В. Н. Бержанский. - Красноярск : ИФ СО АН СССР, 1980. - 39 с. - Библиогр. - 200 экз. -
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку
Держатели документа:
ГУНБ Красноярского края
Доп.точки доступа:
Бержанский, Владимир Наумович; Berzhansky, V. N.; Chernov V.K.; Академия наук СССР; Сибирское отделение АН СССР; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения АН СССР
Свободных экз. нет
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку
Держатели документа:
ГУНБ Красноярского края
Доп.точки доступа:
Бержанский, Владимир Наумович; Berzhansky, V. N.; Chernov V.K.; Академия наук СССР; Сибирское отделение АН СССР; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения АН СССР
Свободных экз. нет
Физические и оптические свойства поликристаллических пленок Cu0.27Ga1.85Se1.88 и Cu0.33Ga1.54Se2.13, синтезированных методом управляемой селенизации
/ О. Б. Романова, Ю. В. Герасимова, Т. М. Гаджиев [и др.]> // Физ. твердого тела. - 2023. - Т. 65, Вып. 10. - С. 1698-1706, DOI 10.61011/FTT.2023.10.56316.90. - Библиогр.: 34
. - ISSN 0367-3294. - ISSN 1726-7498
Кл.слова (ненормированные):
поликристаллические пленки -- синтез пленок системы Cu-Ga-Se -- КР спектры -- электрофизические свойства -- фотопроводимость
Аннотация: Синтезированы поликристаллические пленки Cu0.27Ga1.85Se1.88 и Cu0.33Ga1.54Se2.13 со структурой халькопирита системы Cu–Ga–Se. Влияние температуры селенизации на химический состав и структуру пленок исследовали методом рентгенофазового анализа и электронной микроскопией. Изучена зависимость сопротивления пленок от концентрации и температуры. На пленках Cu0.27Ga1.85Se1.88 обнаружен эффект фотопроводимости. Проведен расчет спектров комбинационного рассеяния этих пленок. Из спектров поглощения определена энергия Урбаха EU=0.9 eV, которая свидетельствует о неоднородном распределении локализованных состояний в электронной структуре пленок. Установлены миграционный и дипольно-ориентационный вклады в электрическую поляризацию пленок. В рамках модели Дебая вычислено время релаксации в пленочных образцах системы Cu–Ga–Se.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Институт инженерной физики и радиоэлектронники, Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия
Институт физики им. Х.И. Амирханова ДФИЦ РАН, Махачкала, Россия
Сибирский государственный университет науки и технологий им. М.Ф. Решетнева, Красноярск, Россия
Доп.точки доступа:
Романова, Оксана Борисовна; Romanova, O. B.; Герасимова, Юлия Валентиновна; Gerasimova, J. V.; Гаджиев, Т. М.; Аплеснин, Сергей Степанович; Aplesnin, S. S.; Александровский, Александр Сергеевич; Aleksandrovsky, A. S.; Ситников, М. Н.; Алиев, М. А.; Удод, Любовь Викторовна; Udod, L. V.; Абдельбаки, Х.
Кл.слова (ненормированные):
поликристаллические пленки -- синтез пленок системы Cu-Ga-Se -- КР спектры -- электрофизические свойства -- фотопроводимость
Аннотация: Синтезированы поликристаллические пленки Cu0.27Ga1.85Se1.88 и Cu0.33Ga1.54Se2.13 со структурой халькопирита системы Cu–Ga–Se. Влияние температуры селенизации на химический состав и структуру пленок исследовали методом рентгенофазового анализа и электронной микроскопией. Изучена зависимость сопротивления пленок от концентрации и температуры. На пленках Cu0.27Ga1.85Se1.88 обнаружен эффект фотопроводимости. Проведен расчет спектров комбинационного рассеяния этих пленок. Из спектров поглощения определена энергия Урбаха EU=0.9 eV, которая свидетельствует о неоднородном распределении локализованных состояний в электронной структуре пленок. Установлены миграционный и дипольно-ориентационный вклады в электрическую поляризацию пленок. В рамках модели Дебая вычислено время релаксации в пленочных образцах системы Cu–Ga–Se.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Институт инженерной физики и радиоэлектронники, Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия
Институт физики им. Х.И. Амирханова ДФИЦ РАН, Махачкала, Россия
Сибирский государственный университет науки и технологий им. М.Ф. Решетнева, Красноярск, Россия
Доп.точки доступа:
Романова, Оксана Борисовна; Romanova, O. B.; Герасимова, Юлия Валентиновна; Gerasimova, J. V.; Гаджиев, Т. М.; Аплеснин, Сергей Степанович; Aplesnin, S. S.; Александровский, Александр Сергеевич; Aleksandrovsky, A. S.; Ситников, М. Н.; Алиев, М. А.; Удод, Любовь Викторовна; Udod, L. V.; Абдельбаки, Х.