ГРНТИ |
Аннотация: Исследованы магниторезистивные свойства структуры, представляющей собой монокристалл манганита Eu[0,7]Pb[0,3]MnO[3] с нанесенной на него эпитаксиальной пленкой Fe. При температурах ниже T[C] кристалла манганита для структуры наблюдается эффект положительного магнитосопротивления. Поведение зависимости сопротивления структуры от магнитного поля имеет вид, характерный для туннельных переходов с электродами из ферромагнитных материалов, разделенных тонким слоем диэлектрика. Эффект связывается с формированием в приконтактной области манганит-Fe переходного слоя, обедненного кислородом, обладающего диэлектрич. свойствами. Чувствительность сопротивления исследуемой структуры к магнитному полю определяется как отрицательным магнитосопротивлением кристалла манганита, так и туннельным вкладом в механизм проводимости, при котором величина туннельного тока зависит от взаимной ориентации магн. моментов электродов (кристалл Eu[0,7]Pb[0,3]MnO[3] и пленка Fe)
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Патрин, Геннадий Семёнович; Patrin, G. S.; Петраковский, Герман Антонович; Petrakovskii, G. A.; Саблина, Клара Александровна; Sablina, K. A.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.