Труды сотрудников института физики

w10=
Найдено документов в текущей БД: 5
   В37
   Б 82

    Температурная и концентрационная зависимости электронной структуры оксидов меди в рамках обобщенного метода сильной связи
[Рукопись] : дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 : защищена 25.12.2002 / А. А. Борисов ; науч. рук.: С. Г. Овчинников, В. А. Гавричков ; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики им. Л.В. Киренского. - Красноярск, 2002. - 173 с. - Библиогр.: 114 назв. -
ГРНТИ
ББК В373.1я031


Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л. В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Овчинников, Сергей Геннадьевич \науч. рук.\; Ovchinnikov, S. G.; Гавричков, Владимир Александрович \науч. рук.\; Gavrichkov, V. A.; Borisov A.A.; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Экземпляры всего: 1
Дс (1)
Свободны: Дс (1)

    Температурная и концентрационная зависимости электронной структуры оксидов меди в обобщенном методе сильной связи
/ А. А. Борисов, В. А. Гавричков, С. Г. Овчинников // Журн. эксперим. и теор. физ. - 2003. - Т. 124, Вып. 4. - С. 862-870 . - ISSN 0044-4510
ГРНТИ

Аннотация: Электронная структура дырочно допированных ВТСП-купратов рассчитывается с явным учетом сильных электронных корреляций. Прослежена плавная эволюция электронной структуры от недопированного антиферромагнетика к оптимально и сильно допированным парамагнитным составам. При малом допировании получены внутрищелевые состояния примесного типа, на которых пиннингуется уровень Ферми в области слабого допирования. Эти состояния отделены псевдощелью от валентной зоны. В парамагнитной фазе рассчитанные поверхности Ферми для разной концентрации дырок хорошо согласуются с данными ARPES-экспериментов и показывают постепенную смену типа поверхности Ферми от дырочного к электронному.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Гавричков, Владимир Александрович; Gavrichkov, V. A.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.

    Эволюция зонной структуры квазичастиц с допированием в оксидах меди в рамках обобщенного метода сильной связи
/ В. А. Гавричков [и др.] // Журн. эксперим. и теор. физ. - 2000. - Т. 118, Вып. 2. - С. 422-437 . - ISSN 0044-4510
ГРНТИ

Аннотация: В настоящей работе на основе ортогонального ячеечного базиса для реалистичной многозонной pd-модели CuO2-слоя определены два способа стабилизации двухдырочного 3B1g-состояния в качестве основного вместо синглета Жанга-Райса; вычислены дисперсионные зависимости потолка валентной зоны как в недопированном, так и в допированном случаях. В недопированном случае, помимо валентной зоны, качественно соответствующей экспериментальным ARPES-данным для Sr2CuO2Cl2 и результатам, полученным в рамках t-t'-J-модели, расчеты дают бездисперсный виртуальный уровень на самом потолке валентной зоны. Из-за нулевой амплитуды переходов, формирующих виртуальный уровень, соответствующий ему отклик отсутствует в функции спектральной плотности. Как следствие, экспериментальные ARPES-данные не воспроизводят его присутствие в этом антиферромагнитном недопированном диэлектрике. Расчет допированного случая показал, что виртуальный уровень трансформируется в зону примесного типа и приобретает дисперсию благодаря отличным от нуля числам заполнения двухдырочных состояний и, как следствие, должен детектироваться в ARPES-эксперименте в качестве высокоэнергетичного пика в спектральной плотности. Расчетная дисперсионная зависимость для потолка валентной зоны воспроизводит дисперсию, полученную с помощью метода Moнте-Карло, и ARPES-данные для оптимально допированных образцов Bi2Sr2CaCu2O8+δ. Полученные данные также позволяют объяснить наличие энергетической псевдощели в симметричной точке X зоны Бриллюэна ВТСП-соединений. [-2mm]

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Гавричков, Владимир Александрович; Gavrichkov, V. A.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Борисов, Алексей Александрович; Borisov A.A.; Горячев, Евгений Геннадьевич

    Анализ поляризованных ARPES-спектров недопированных купратов
/ В. А. Гавричков, А. А. Борисов, С. Г. Овчинников // Физ. тверд. тела. - 2001. - Т. 43, Вып. 10. - С. 1799-1807 . - ISSN 0367-3294
ГРНТИ

Аннотация: С помощью обобщенного метода сильной связи исследована спектральная плотность в ARPES-спектрах антиферромагн. диэлектриков Sr[2]CuO[2]Cl[2] и Ca[2]CuO[2]Cl[2] вдоль основных симметричных направлений зоны Бриллюэна. Установлено, что на потолке валентной зоны данных недопированных соединений в АФМ фазе имеется псевдощель магн. природы E[s](k)'ЭКВИВ'0-0.4 eV между виртуальным уровнем и самой валентной зоной, а близость триплета {3}B[1g] и уровня ZR-синглета может являться причиной наблюдаемого подобия дисперсии вдоль направлений 'ГАММА''↔'M и X'↔'Y. Рассчитанная четность поляризованных ARPES-спектров в точках 'ГАММА', M, X для АФМ фазы с учетом парциальных вкладов является положительной. Указаны также условия наблюдения парциальных вкладов в поляризованных ARPES-экспериментах. За счет спиновых флуктуаций виртуальный уровень приобретает дисперсию и малый спектральный вес. Вероятно, эффекты затухания просто не позволяют его разрешить на фоне основного квазичастичного пика.

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Борисов, Алексей Александрович; Borisov A.A.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Gavrichkov, V. A.
   В37
    Температурная и концентрационная зависимости электронной структуры оксидов меди в рамках обобщенного метода сильной связи
: автореферат дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 : защищена 25.12.2002 / А. А. Борисов ; науч. рук.: С. Г. Овчинников, В. А. Гавричков ; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики им. Л.В. Киренского. - Красноярск, 2002. - 17 с. - Библиогр. - 60 экз. -
ГРНТИ


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Овчинников, Сергей Геннадьевич \науч. рук.\; Ovchinnikov, S. G.; Гавричков, Владимир Александрович \науч. рук.\; Gavrichkov, V. A.; Вальков, Валерий Владимирович \офиц. опп.\; Val'kov, V. V.; Захаров, Юрий Владимирович \офиц. опп.\; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Свободных экз. нет