/ С. А. Лященко [и др.] // Журн. техн. физ. - 2013. - Т. 83, Вып. 10. - С. 139-142
Аннотация: Методом термического испарения в сверхвысоком вакууме получена тонкая поликристаллическая пленка Fe на монокристаллической подложке Si с естественным оксидом SiO2. Исследованы магнитооптические свойства полученной структуры in situ методами спектральной эллипсометрии. Найдены значения коэрцитивной силы пленки Fe, построены петля перемагничивания и энергетическая зависимость экваториального эффекта Керра. Показана эффективность магнитоэллипсометрии для in situ анализа геометрических и магнитооптических свойств тонких слоев ферромагнетиков.
Смотреть статью,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Лященко, Сергей Александрович; Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I.A.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S.N.; Шевцов, Дмитрий Валентинович; Shevtsov, D.V.; Швец, Василий Александрович; Заблуда, Владимир Николаевич; Zabluda, V.N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Косырев, Николай Николаевич; Kosyrev, N.N.; Бондаренко, Геннадий Васильевич; Bondarenko, G.V.; Рыхлицкий, С. В.
Труды сотрудников института физики
w10=
Найдено документов в текущей БД: 321
In-situ transmission electron microscopy ivestigation of solid-state reactions in Fe/Si multilayer nanofilms
/ S. M. Zharkov, R. R. Altunin, E. T. Moiseenko // V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism : abstracts. - Vladivostok : FEFU, 2013 = EASTMag-2013. - P41
. - ISBN 978-5-7444-3124-2
Доп.точки доступа:
Zharkov, S. M.; Жарков, Сергей Михайлович; Altunin, R. R.; Алтунин, Роман Русланович; Moiseenko, E. T.; Моисеенко, Евгений Тимофеевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; Sept. ; 15-21 ; Vladivostok)
Доп.точки доступа:
Zharkov, S. M.; Жарков, Сергей Михайлович; Altunin, R. R.; Алтунин, Роман Русланович; Moiseenko, E. T.; Моисеенко, Евгений Тимофеевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; Sept. ; 15-21 ; Vladivostok)
Impedance and magnetoimpedace in a hybrid structure Fe/SiO[[d]]2[[/d]]/n-Si
[Текст] / N. V. Volkov, Tarasov A.S., Eremin A.V. // V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism : abstracts. - Vladivostok : FEFU, 2013. - С. 84
. - ISBN 978-5-7444-3124-2
Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Eremin, E. V.; Еремин, Евгений Владимирович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; Sept. ; 15-21 ; Vladivostok)
Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Eremin, E. V.; Еремин, Евгений Владимирович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; Sept. ; 15-21 ; Vladivostok)
The in situ magneto ellipsometry method in the study magnetooptical properties of the iron thin films
[Текст] / S. A. Lvaschenko [и др.] // V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism : abstracts. - Vladivostok : FEFU, 2013. - С. 105
. - ISBN 978-5-7444-3124-2
Доп.точки доступа:
Lvaschenko, S. A.; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Shevtsov, D. V.; Шевцов, Дмитрий Валентинович; Shvets, V. A.; Швец, Василий Александрович; Zabluda, V. N.; Заблуда, Владимир Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Kosyrev, N. N.; Косырев, Николай Николаевич; Bondarenko, G. V.; Бондаренко, Геннадий Васильевич; Rykhkitskii, S. V.; Рыхлицкий С.В.; Latyshev, A. V.; Латышев А.В.; Saranin, A. A.; Саранин А.А.; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; Sept. ; 15-21 ; Vladivostok)
Доп.точки доступа:
Lvaschenko, S. A.; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Shevtsov, D. V.; Шевцов, Дмитрий Валентинович; Shvets, V. A.; Швец, Василий Александрович; Zabluda, V. N.; Заблуда, Владимир Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Kosyrev, N. N.; Косырев, Николай Николаевич; Bondarenko, G. V.; Бондаренко, Геннадий Васильевич; Rykhkitskii, S. V.; Рыхлицкий С.В.; Latyshev, A. V.; Латышев А.В.; Saranin, A. A.; Саранин А.А.; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; Sept. ; 15-21 ; Vladivostok)
In situ investigations of magneto-optical properties of thin Fe layers
/ S. A. Lyashchenko [et al.] // Tech. Phys. - 2013. - Vol. 58, Is. 10. - P. 1529-1532, DOI 10.1134/S1063784213100162
. - ISSN 1063-7842
Аннотация: A thin polycrystalline Fe film on a single-crystal Si substrate with natural SiO2 oxide is obtained by thermal evaporation in ultrahigh vacuum. The magneto-optical properties of the resultant structure are investigated in situ by the methods of spectral ellipsometry. The values of the coercive force for the Fe film are obtained, and the magnetization reversal loop and the energy dependence of the equatorial Kerr effect are constructed. The effectiveness of magnetoellipsometry for in situ analysis of the geometrical and magnetooptical properties of thin ferromagnetic layers is demonstrated. В© 2013 Pleiades Publishing, Ltd.
Scopus,
Смотреть статью,
WOS,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку
Держатели документа:
Russian Acad Sci, Kirensky Inst Phys, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia
Reshetnev Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia
Russian Acad Sci, Siberian Branch, Rzhanov Inst Semicond Phys, Novosibirsk 630090, Russia
Novosibirsk State Univ, Novosibirsk 630090, Russia
Доп.точки доступа:
Lyashchenko, S. A.; Лященко, Сергей Александрович; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Shevtsov, D. V.; Шевцов, Дмитрий Валентинович; Shvets, V. A.; Zabluda, V. N.; Заблуда, Владимир Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Kosyrev, N. N.; Косырев, Николай Николаевич; Bondarenko, G. V.; Бондаренко, Геннадий Васильевич; Rykhlitskii, S. V.
Аннотация: A thin polycrystalline Fe film on a single-crystal Si substrate with natural SiO2 oxide is obtained by thermal evaporation in ultrahigh vacuum. The magneto-optical properties of the resultant structure are investigated in situ by the methods of spectral ellipsometry. The values of the coercive force for the Fe film are obtained, and the magnetization reversal loop and the energy dependence of the equatorial Kerr effect are constructed. The effectiveness of magnetoellipsometry for in situ analysis of the geometrical and magnetooptical properties of thin ferromagnetic layers is demonstrated. В© 2013 Pleiades Publishing, Ltd.
Scopus,
Смотреть статью,
WOS,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку
Держатели документа:
Russian Acad Sci, Kirensky Inst Phys, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia
Reshetnev Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia
Russian Acad Sci, Siberian Branch, Rzhanov Inst Semicond Phys, Novosibirsk 630090, Russia
Novosibirsk State Univ, Novosibirsk 630090, Russia
Доп.точки доступа:
Lyashchenko, S. A.; Лященко, Сергей Александрович; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Shevtsov, D. V.; Шевцов, Дмитрий Валентинович; Shvets, V. A.; Zabluda, V. N.; Заблуда, Владимир Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Kosyrev, N. N.; Косырев, Николай Николаевич; Bondarenko, G. V.; Бондаренко, Геннадий Васильевич; Rykhlitskii, S. V.
XMCD study of (Fe/Si)[[]d]N[[/d]] nanostructured films
[Текст] / M. S. Platunov [и др.] // V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism : abstracts. - Vladivostok : FEFU, 2013. - P183
. - ISBN 978-5-7444-3124-2
Доп.точки доступа:
Platunov, M. S.; Платунов, Михаил Сергеевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Weschke, E.; Весчке И.; Schierle, E.; Счайле И.; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; Sept. ; 15-21 ; Vladivostok)
Доп.точки доступа:
Platunov, M. S.; Платунов, Михаил Сергеевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Weschke, E.; Весчке И.; Schierle, E.; Счайле И.; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; Sept. ; 15-21 ; Vladivostok)
Morphological and magnetic study at the interfaces of (fE/sI)3 multilayers
[Текст] / J. Bartolome [и др.] // V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism : abstracts. - Vladivostok : FEFU, 2013. - P206
. - ISBN 978-5-7444-3124-2
Доп.точки доступа:
Bartolome, J.; Badía-Romano, L.; Rubin, J.; Bürgler, D. E.; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Varnakov, S.N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; Sept. ; 15-21 ; Vladivostok)
Доп.точки доступа:
Bartolome, J.; Badía-Romano, L.; Rubin, J.; Bürgler, D. E.; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Varnakov, S.N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; Sept. ; 15-21 ; Vladivostok)
Optically controlled magnetorisistance effect in hybrid structures Fe/SiO[[d]]2[[/d]]/p-Si and Fe/SiO[[d]]2[[/d]]/n-Si
[Текст] / N. V. Volkov [и др.] // V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism : abstracts. - Vladivostok : FEFU, 2013. - P288
. - ISBN 978-5-7444-3124-2
Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Fedorishchev, R. M.; Федорищев, Роман Михайлович; Gustaitsev, A. O.; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; Sept. ; 15-21 ; Vladivostok)
Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Fedorishchev, R. M.; Федорищев, Роман Михайлович; Gustaitsev, A. O.; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; Sept. ; 15-21 ; Vladivostok)
Magnetic anisotropy in Fe films deposited on SiO2/Si(001) and Si(001) substrates
/ S. V. Komogortsev [et al.] // V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism : abstracts. - Vladivostok : FEFU, 2013. - P310
. - ISBN 978-5-7444-3124-2
Доп.точки доступа:
Komogortsev, S. V.; Комогорцев, Сергей Викторович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Satsuk, S. A.; Сацук, Светлана Александровна; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Bondarenko, G. V.; Бондаренко, Геннадий Васильевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; Sept. ; 15-21 ; Vladivostok)
Доп.точки доступа:
Komogortsev, S. V.; Комогорцев, Сергей Викторович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Satsuk, S. A.; Сацук, Светлана Александровна; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Bondarenko, G. V.; Бондаренко, Геннадий Васильевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; Sept. ; 15-21 ; Vladivostok)
Photoinduced giant magnetoresistance in the Fe/SiO2/p-Si hybrid structure with a schottky barrier
[Текст] / N. V. Volkov [и др.] // V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism : abstracts. - Vladivostok : FEFU, 2013. - P322
. - ISBN 978-5-7444-3124-2
Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Eremin, E. V.; Еремин, Евгений Владимирович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; Sept. ; 15-21 ; Vladivostok)
Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Eremin, E. V.; Еремин, Евгений Владимирович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; Sept. ; 15-21 ; Vladivostok)
Extremely large magnetoresistance induced by optical irradiation in the Fe/SiO2/p-Si hybrid structure with Schottky barrier
/ N. V. Volkov [et al.] // J. Appl. Phys. - 2013. - Vol. 114, Is. 9. - Ст. 093903. - P. , DOI 10.1063/1.4819975. - Cited References: 31. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, Project No. 11-02-00367-a; Presidium of the Russian Academy of Sciences, program Quantum Mesoscopic and Disordered Structures, Project No. 20.8; the Division of Physical Sciences of the Russian Academy of Sciences, program Spin Phenomena in Solids Nanostructures and Spintronics, Project No. II.4.3; the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, integration projects nos. 43, 85 and 102; Project of the Russian Ministry of Education and Science N 02.G25.31.0043.
. - ISSN 0021-8979
РУБ Physics, Applied
Аннотация: We report giant magnetoresistance (MR) effect that appears under the influence of optical radiation in common planar device built on Fe/SiO2/p-Si hybrid structure. Our device is made of two Schottky diodes connected to each other by the silicon substrate. Photo-induced MR is positive and the MR ratio reaches the values in excess of 10(4)%. The main peculiarity of the MR behavior is its strong dependence on the magnitude and the sign of the bias current across the device and, most surprisingly, upon polarity of the magnetic field. To explain such unexpected behavior of the MR, one needs to take into account contribution of several physical mechanisms. The main contribution comes from the existence of localized interface states at the SiO2/p-Si interface, which provide the spots for the photo-current conduction by virtue of the sequential tunneling through them or thermal generation and optical excitation of mobile charges. External magnetic field changes the probability of these processes due to its effect on the energy states of the conduction centers. Two possible mechanisms that may be responsible for the observed dependence of magneto-resistance on the field polarity are discussed: the effect of the Lorentz force on moving carriers and spin splitting of electrons moving in the electrostatic potential gradient (Rashba effect). The most significant observation, in our opinion, is that the observed MR effect is seen exclusively in the subsystem of minority carriers transferred into non-equilibrium state by optical excitation. We suggest that building such magneto-sensitive devices based on this mechanism may set a stage for new types of spintronic devices to emerge. (C) 2013 AIP Publishing LLC.
Смотреть статью,
WoS,
WOS,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку
Держатели документа:
SB RAS, LV Kirensky Phys Inst, Krasnoyarsk 660036, Russia
Siberian State Aerosp Univ, Inst Space Technol, Krasnoyarsk 660014, Russia
Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Eremin, E. V.; Еремин, Евгений Владимирович; Baron, F. A.; Барон, Филипп Алексеевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Russian Foundation for Basic Research [11-02-00367-a]; Presidium of the Russian Academy of Sciences, program Quantum Mesoscopic and Disordered Structures [20.8]; Division of Physical Sciences of the Russian Academy of Sciences, program Spin Phenomena in Solids Nanostructures and Spintronics [II.4.3]; Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences [43, 85, 102]; Russian Ministry of Education and Science [N 02.G25.31.0043]
Аннотация: We report giant magnetoresistance (MR) effect that appears under the influence of optical radiation in common planar device built on Fe/SiO2/p-Si hybrid structure. Our device is made of two Schottky diodes connected to each other by the silicon substrate. Photo-induced MR is positive and the MR ratio reaches the values in excess of 10(4)%. The main peculiarity of the MR behavior is its strong dependence on the magnitude and the sign of the bias current across the device and, most surprisingly, upon polarity of the magnetic field. To explain such unexpected behavior of the MR, one needs to take into account contribution of several physical mechanisms. The main contribution comes from the existence of localized interface states at the SiO2/p-Si interface, which provide the spots for the photo-current conduction by virtue of the sequential tunneling through them or thermal generation and optical excitation of mobile charges. External magnetic field changes the probability of these processes due to its effect on the energy states of the conduction centers. Two possible mechanisms that may be responsible for the observed dependence of magneto-resistance on the field polarity are discussed: the effect of the Lorentz force on moving carriers and spin splitting of electrons moving in the electrostatic potential gradient (Rashba effect). The most significant observation, in our opinion, is that the observed MR effect is seen exclusively in the subsystem of minority carriers transferred into non-equilibrium state by optical excitation. We suggest that building such magneto-sensitive devices based on this mechanism may set a stage for new types of spintronic devices to emerge. (C) 2013 AIP Publishing LLC.
Смотреть статью,
WoS,
WOS,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку
Держатели документа:
SB RAS, LV Kirensky Phys Inst, Krasnoyarsk 660036, Russia
Siberian State Aerosp Univ, Inst Space Technol, Krasnoyarsk 660014, Russia
Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Eremin, E. V.; Еремин, Евгений Владимирович; Baron, F. A.; Барон, Филипп Алексеевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Russian Foundation for Basic Research [11-02-00367-a]; Presidium of the Russian Academy of Sciences, program Quantum Mesoscopic and Disordered Structures [20.8]; Division of Physical Sciences of the Russian Academy of Sciences, program Spin Phenomena in Solids Nanostructures and Spintronics [II.4.3]; Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences [43, 85, 102]; Russian Ministry of Education and Science [N 02.G25.31.0043]
Спин-зависимый электронный транспорт в гибридных структурах с участием локализованных поверхностных состояний
/ Н. В. Волков [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : Труды XVII междунар. симп. - 2013. - Т. 1. - С. 101-102. - Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки РФ (соглашение № 8365), РФФИ (№ 11-02-00367-a), программы ОФН РАН № II.4.3, Президиума РАН № 20.8
Материалы симпозиума,
Материалы симпозиума
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A.S.; Еремин, Александр Владимирович; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S.N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Густайцев, Артур Олегович; Бондарев, Илья Александрович; Bondarev, I. A.; Институт физики микроструктур РАН; "Нанофизика и наноэлектроника", международный симпозиум(17 ; 2013 ; март. ; 11-15 ; Нижний Новгород)
Материалы симпозиума,
Материалы симпозиума
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A.S.; Еремин, Александр Владимирович; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S.N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Густайцев, Артур Олегович; Бондарев, Илья Александрович; Bondarev, I. A.; Институт физики микроструктур РАН; "Нанофизика и наноэлектроника", международный симпозиум(17 ; 2013 ; март. ; 11-15 ; Нижний Новгород)
Спин-зависимый электронный транспорт в гибридных наноструктурах ферромагнитный металл/диэлектрик/полупроводник
/ Н. В. Волков [и др.] // Междунар. Урал. сем. "Радиационная физ. мет. и сплавов" : Тезисы докладов. - 2013. - С. 75-76
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A.S.; Еремин, Александр Владимирович; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S.N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Густайцев, Артур Олегович; Бондарев, Илья Александрович; Bondarev, I. A.; "Радиационная физика металлов и сплавов", международный Уральский семинар (10 ; 2013 ; 25 февр.-3 марта ; Кыштым, Россия)
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A.S.; Еремин, Александр Владимирович; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S.N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Густайцев, Артур Олегович; Бондарев, Илья Александрович; Bondarev, I. A.; "Радиационная физика металлов и сплавов", международный Уральский семинар (10 ; 2013 ; 25 февр.-3 марта ; Кыштым, Россия)
Extremely large photoinduced magnetoresistance in the Fe/SiO2/p-Si hybrid structure
/ N. V. Volkov [et al.] // Joint Eur. Conf. on Magnetism : Book of abstracts. - 2013. - P. 55
Смотреть
Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Eremin, E. V.; Еремин, Евгений Владимирович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Joint European Conference on Magnetism (2013 ; August ; 25-30 ; Rhodes, Greece)
Смотреть
Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Eremin, E. V.; Еремин, Евгений Владимирович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Joint European Conference on Magnetism (2013 ; August ; 25-30 ; Rhodes, Greece)
Гос. рег. прогр. для ЭВМ 2012618677 Российская Федерация
Система регистрации и анализа магнитоэллипсометрических данных (Valnadin)
/ С. А. Лященко [и др.]. - № 2012616431 ; Заявл. 27.07.2012. - Введ. с 24.09.2012 // Программы для ЭВМ. Базы данных. Топологии интегральных микросхем : офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2012
. -
Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Лященко, Сергей Александрович; Lyashchenko, S. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I.A.; Косырев, Николай Николаевич; Kosyrev, N.N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S.N.; Заблуда, Владимир Николаевич; Zabluda, V.N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Шевцов, Дмитрий Валентинович; Shevtsov, D.V.; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент); Федеральный институт промышленной собственности
Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Лященко, Сергей Александрович; Lyashchenko, S. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I.A.; Косырев, Николай Николаевич; Kosyrev, N.N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S.N.; Заблуда, Владимир Николаевич; Zabluda, V.N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Шевцов, Дмитрий Валентинович; Shevtsov, D.V.; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент); Федеральный институт промышленной собственности
Гос. рег. прогр. для ЭВМ 2013619178 Российская Федерация
Система обработки и анализа данных одноволновой кинетической элипсометрии (SingleW)
/ И. А. Тарасов [и др.]. - № 2013615682 ; Заявл. 08.07.2013. - Введ. с 26.09.2013 // Программы для ЭВМ. Базы данных. Топологии интегральных микросхем : офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2013
. -
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I.A.; Лященко, Сергей Александрович; Lyashchenko, S. A.; Косырев, Николай Николаевич; Kosyrev, N.N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S.N.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I.A.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент); Федеральный институт промышленной собственности
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I.A.; Лященко, Сергей Александрович; Lyashchenko, S. A.; Косырев, Николай Николаевич; Kosyrev, N.N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S.N.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I.A.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент); Федеральный институт промышленной собственности
Magnetic anisotropy in Fe films deposited on SiO2/Si(001) and Si(001) substrates
/ S. V. Komogortsev [et al.] // J. Magn. Magn. Mater. - 2014. - Vol. 351. - P. 104-108, DOI 10.1016/j.jmmm.2013.09.058. - Cited References: 40. - The work has been supported by RFBR Grant 11-03-00168-a, 12-02-00943-a, 13-02-01265-a, Interdisciplinary integration of fundamental research of SB RAS (2012-2014) project No. 64. Also the study was supported by The Ministry of Education and Science of Russian Federation, project 14.513.11.0016.
. - ISSN 0304-8853. - ISSN 873-4766
РУБ Materials Science, Multidisciplinary + Physics, Condensed Matter
Аннотация: The magnetic anisotropy of 10 nm iron films deposited in an ultra high vacuum on the Si(001) surface and on the Si(001) over caped by 1.5 nm layer of SiO2 was investigated. There is in-plane uniaxial magnetic anisotropy caused by oblique sputtering in the Fe films on a SiO2 buffer layer. The easy magnetization axis is always normal to the atomic flux direction but the value of the anisotropy field is different depending on the axial angle among sputtering direction and the substrate crystallographic axes. It is argued that the uniaxial magnetic anisotropy results from elongated surface roughness formation during film deposition. Several easy magnetization axes are found in Fe/Si(001) film without the SiO2 buffer layer. The mutual orientation of the main easy axes and Si crystallographic axes indicates that there is epitaxial growth of Fe/Si(001) film with the following orientation relative to the substrate: Fe[100] ?Si[110]. The anisotropy energy of Fe/Si(001) film is estimated by simulation of angle dependence of remnant magnetization m r as the sum of the mr angle plot from uniaxial anisotropy (induced by oblique deposition) and the polar plot from biaxial magnetocrystalline anisotropy. В© 2013 Elsevier B.V.
Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
WOS,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку
Держатели документа:
Kirensky Inst Phys SB RAS, Krasnoyarsk 660036, Russia
Siberian State Technol Univ, Krasnoyarsk 660000, Russia
Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia
Доп.точки доступа:
Komogortsev, S. V.; Комогорцев, Сергей Викторович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Satsuk, S. A.; Сацук, Светлана Александровна; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич
Рубрики:
UNIAXIAL ANISOTROPY
SURFACE
SILICON
ROUGHNESS
Кл.слова (ненормированные):
Epitaxial growth -- Iron -- Magnetic anisotropy -- Thin film
UNIAXIAL ANISOTROPY
SURFACE
SILICON
ROUGHNESS
Кл.слова (ненормированные):
Epitaxial growth -- Iron -- Magnetic anisotropy -- Thin film
Аннотация: The magnetic anisotropy of 10 nm iron films deposited in an ultra high vacuum on the Si(001) surface and on the Si(001) over caped by 1.5 nm layer of SiO2 was investigated. There is in-plane uniaxial magnetic anisotropy caused by oblique sputtering in the Fe films on a SiO2 buffer layer. The easy magnetization axis is always normal to the atomic flux direction but the value of the anisotropy field is different depending on the axial angle among sputtering direction and the substrate crystallographic axes. It is argued that the uniaxial magnetic anisotropy results from elongated surface roughness formation during film deposition. Several easy magnetization axes are found in Fe/Si(001) film without the SiO2 buffer layer. The mutual orientation of the main easy axes and Si crystallographic axes indicates that there is epitaxial growth of Fe/Si(001) film with the following orientation relative to the substrate: Fe[100] ?Si[110]. The anisotropy energy of Fe/Si(001) film is estimated by simulation of angle dependence of remnant magnetization m r as the sum of the mr angle plot from uniaxial anisotropy (induced by oblique deposition) and the polar plot from biaxial magnetocrystalline anisotropy. В© 2013 Elsevier B.V.
Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
WOS,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку
Держатели документа:
Kirensky Inst Phys SB RAS, Krasnoyarsk 660036, Russia
Siberian State Technol Univ, Krasnoyarsk 660000, Russia
Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia
Доп.точки доступа:
Komogortsev, S. V.; Комогорцев, Сергей Викторович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Satsuk, S. A.; Сацук, Светлана Александровна; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич
Инновационный потенциал российско-китайского научно-технического сотрудничества в области энергетических технологий
/ Л. Н. Перепечко [и др.] // Всерос. журн. науч. публикаций. - 2013. - № 5(15). - С. 46-48
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Перепечко, Л. Н.; Фидлер, Е. А.; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Зеленков, П. В.; Слизников, В. В.; Шипилова, К. О.; Колесникова, К. А.; Левихина, В. А.; Зеленская, С. И.; Казакова, О. А.; Табакеев, Р. Б.; Софонов, А. И.
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Перепечко, Л. Н.; Фидлер, Е. А.; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Зеленков, П. В.; Слизников, В. В.; Шипилова, К. О.; Колесникова, К. А.; Левихина, В. А.; Зеленская, С. И.; Казакова, О. А.; Табакеев, Р. Б.; Софонов, А. И.
Формирование границы раздела структуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs для оптической регистрации спина свободных электронов
/ О. Е. Терещенко [и др.] // Письма в Журн. техн. физ. - 2012. - Т. 38, Вып. 1. - С. 27-36. - Библиогр.: 13 назв. - Авторы выражают благодарность А.Г. Черкову за изготовление образцов для просвечивающей электронной микроскопии. - Работа частично поддержана Российской академией наук (программа "спинтроника"), грантом РФФИ (10-02-91067-НЦНИ) и междисциплинарным интеграционным проектом СО РАН.
. - ISSN 0320-0116
Аннотация: Изучены условия формирования границы раздела Fe/GaAs, а также электрические, магнитные и оптические свойства гетероструктуры Pd/Fe/GaAs с квантовыми ямами InGaAs. Продемонстрирована возможность эпитаксиального роста Fe на поверхности GaAs(001) при комнатной температуре. Кривая намагниченности слоя железа имеет прямоугольную петлю гистерезиса с легкой осью намагниченности в плоскости образца. Обнаружена сегрегация железа через слой палладия толщиной 4 nm. Оптические свойства гетероструктуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs указывают на возможность использования такой структуры в качестве оптического детектора спина свободных электронов.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Терещенко, О. Е.; Паулиш, А. Г.; Неклюдова, М. А.; Шамирзаев, T. C.; Ярошевич, А. С.; Просвирин, И. П.; Жаксылыкова, И. Э.; Дмитриев, Д. В.; Торопов, А. И.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov S.N.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Rautskii, M.V.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov S. G.; Латышев, А. В.
Аннотация: Изучены условия формирования границы раздела Fe/GaAs, а также электрические, магнитные и оптические свойства гетероструктуры Pd/Fe/GaAs с квантовыми ямами InGaAs. Продемонстрирована возможность эпитаксиального роста Fe на поверхности GaAs(001) при комнатной температуре. Кривая намагниченности слоя железа имеет прямоугольную петлю гистерезиса с легкой осью намагниченности в плоскости образца. Обнаружена сегрегация железа через слой палладия толщиной 4 nm. Оптические свойства гетероструктуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs указывают на возможность использования такой структуры в качестве оптического детектора спина свободных электронов.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Терещенко, О. Е.; Паулиш, А. Г.; Неклюдова, М. А.; Шамирзаев, T. C.; Ярошевич, А. С.; Просвирин, И. П.; Жаксылыкова, И. Э.; Дмитриев, Д. В.; Торопов, А. И.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov S.N.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Rautskii, M.V.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov S. G.; Латышев, А. В.
Эллипсометрическая экспресс-методика определения толщины и профилей оптических постоянных в процессе роста наноструктур Fe/SiO2/Si(100)
/ И. А. Тарасов [и др.] // Журн. техн. физ. - 2012. - Т. 82, Вып. 9. - С. 44-48. - Библиогр.: 18 назв. - Работа выполнена при поддержке Интеграционного проекта СО РАН-ДВО РАН No 22, Программы Президиума РАН No 27, Федеральной целевой программы ”Научные и научно-педагогические кадры инновационной России 2009–2013 г.“, программы ОФН РАН No 4 ”Спинтроника"
Аннотация: Разработан и реализован алгоритм, позволяющий проводить эксперсс-контроль толщины и оптических постоянных структур в процессе роста. Проведена апробация алгоритма на структурах Fe/SiO2/Si(100), полученных в установке молекулярно-лучевой эпитаксии " Ангара". Значения толщин пленок, рассчитанные в ходе их роста, сравнены с данными рентгеноспектрального флуоресцентного анализа и просвечивающей электронной микроскопии.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I.A.; Косырев, Николай Николаевич; Kosyrev, N.N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S.N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Жарков, Сергей Михайлович; Zharkov, S.M.; Швец, Василий Александрович; Shvets, V.A.; Бондаренко, С. Г.; Bondarenko, S.G.; Терещенко, О. Е.
Аннотация: Разработан и реализован алгоритм, позволяющий проводить эксперсс-контроль толщины и оптических постоянных структур в процессе роста. Проведена апробация алгоритма на структурах Fe/SiO2/Si(100), полученных в установке молекулярно-лучевой эпитаксии " Ангара". Значения толщин пленок, рассчитанные в ходе их роста, сравнены с данными рентгеноспектрального флуоресцентного анализа и просвечивающей электронной микроскопии.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I.A.; Косырев, Николай Николаевич; Kosyrev, N.N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S.N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Жарков, Сергей Михайлович; Zharkov, S.M.; Швец, Василий Александрович; Shvets, V.A.; Бондаренко, С. Г.; Bondarenko, S.G.; Терещенко, О. Е.