/ Н. В. Волков [и др.]> // Письма в Журнал технической физики. - 2009. -
Т. 35,
№ 21. - С. 33-41
. - ISSN 0320-0116
Аннотация: Исследованы транспортные свойства туннельной структуры La0.7Sr0.3MnO3/обедненный слой манганита/MnSi. Роль потенциального барьера между проводящими слоями La0.7Sr0.3MnO3 и MnSi играет обедненный марганцем слой манганита. Исследования проводились в геометрии, при которой ток параллелен плоскости интерфейсов структуры. Обнаружены нелинейность ВАХ структуры и положительное магнитосопротивление, величина которого зависит от тока через структуру. Предполагается, что особенности транспортных свойств связаны с эффектом переключения токового канала между проводящими слоями структуры. В основе механизма переключения --- зависимость сопротивления туннельного перехода между проводящими слоями от смещения на нем и величины магнитного поля. PACS: 72.25.-b, 73.40.-c, 75.47.-m
РИНЦ,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку
Держатели документа: Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск, Россия Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия Сибирский государственный аэрокосмический университет, Красноярск, Россия Department of Physics, Chungbuk National University, Cheongju 361-763, Korea Center for Materials Science, National University of Hanoi, 334 Nguyen Trai, Hanoi, Vietnam
Сибирский федеральный университет
Сибирский государственный аэрокосмический университет
Department of Physics, Chungbuk National University, Cheongju 361-763
Korea Center for Materials Science
National University of Hanoi, 334 Nguyen Trai, Hanoi, Vietnam
Доп.точки доступа: Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Еремин, Евгений Владимирович; Eremin, E. V.;
Цикалов,
Виталий Сергеевич; Tsikalov V.S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Patrin, G. S.; Ким, Петр Дементьевич; Kim, P. D.; Yu Seong-Cho; Kim Dong-Nyun; Chau Nguyen