/ В. Г. Шенгуров, А. В. Шабанов, В. Ф. Шабанов> // Неорган. матер. - 1999. - Т. 35, N 5. - С. 519-522
. - ISSN 0002-337X
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Шабанов, Александр Васильевич; Shabanov, A. V.; Шабанов, Василий Филиппович; Shabanov, V. F.
Труды сотрудников института физики
w10=
Найдено документов в текущей БД: 1
![](http://irbiscorp.spsl.nsc.ru/webirbis-cnb-new-htdocs/new/img/card-blank.png)
Дельта-легированные слои кремния, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии с облучением поверхности роста низкоэнергетическими ионами