[Текст] / N. V. Volkov [и др.] // V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism : abstracts. - Vladivostok : FEFU, 2013. - P288
. - ISBN 978-5-7444-3124-2
Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Fedorishchev, R. M.; Федорищев, Роман Михайлович; Gustaitsev, A. O.; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; Sept. ; 15-21 ; Vladivostok)
Труды сотрудников института физики
w10=
Найдено документов в текущей БД: 15
Optically controlled magnetorisistance effect in hybrid structures Fe/SiO[[d]]2[[/d]]/p-Si and Fe/SiO[[d]]2[[/d]]/n-Si
Magnetic-field-dependent electron transport in NiFe/TiOy/NiFe trilayers
[Текст] / A. O. Gustaitsev [и др.] // V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism : abstracts. - Vladivostok : FEFU, 2013. - P290
. - ISBN 978-5-7444-3124-2
Доп.точки доступа:
Gustaitsev, A. O.; Fedorishchev, R. M.; Федорищев, Роман Михайлович; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Polyakov, V. V.; Поляков, Виктор Васильевич; Polyakova, K. P.; Полякова, Клавдия Павловна; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; Sept. ; 15-21 ; Vladivostok)
Доп.точки доступа:
Gustaitsev, A. O.; Fedorishchev, R. M.; Федорищев, Роман Михайлович; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Polyakov, V. V.; Поляков, Виктор Васильевич; Polyakova, K. P.; Полякова, Клавдия Павловна; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; Sept. ; 15-21 ; Vladivostok)
The bias-controlled giant magnetoimpedance effect caused by the interface states in a metal-insulator-semiconductor structure with the Schottky barrier
/ N. V. Volkov [et al.] // Appl. Phys. Lett. - 2014. - Vol. 104, Is. 22. - Ст. 222406, DOI 10.1063/1.4881715. - Cited References: 20. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, Project Nos. 14-02-00234-a and 14-02-31156; the Presidium of the Russian Academy of Sciences, program Quantum Mesoscopic and Disordered Structures, Project No. 20.8; and the Russian Ministry of Education and Science, Project No. 02.G25.31.0043.
. - ISSN 0003-6951. - ISSN 1077-3118
РУБ Physics, Applied
Аннотация: We demonstrate that ferromagnetic metal/insulator/semiconductor hybrid structures represent a class of materials with the giant magnetoimpedance effect. In a metal-insulator-semiconductor diode with the Schottky barrier fabricated on the basis of the Fe/SiO2/n-Si structure, a drastic change in the impedance in an applied magnetic field was found. The maximum value of this effect was observed at temperatures of 10–30 K in the frequency range of 10 Hz–1 MHz where the ac magnetoresistance and magnetoreactance ratios exceeded 300% and 600%, respectively. In the low-frequency region (<1 kHz), these ratios could be controlled in wide range by applying bias to the device. The main contribution to the impedance when measured at temperatures corresponding to the strongest magnetic-field sensitivity comes from the interface states localized near the SiO2/n-Si interface and the processes of their recharging in an applied ac voltage. The applied magnetic field changes the energy structure of the interface states, thus affecting the processes of the charging dynamics.
Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку
Держатели документа:
Russian Acad Sci, Kirensky Inst Phys, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia
Siberian Fed Univ, Inst Engn Phys & Radio Elect, Krasnoyarsk 660041, Russia
Russian Acad Sci, Inst Automat & Control Proc, Far East Branch, Vladivostok 690041, Russia
Far Eastern Fed Univ, Sch Nat Sci, Vladivostok 690950, Russia
Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Gustaitsev, A. O.; Balashov, V. V.; Korobtsov, V .V.; Russian Foundation for Basic Research [14-02-00234-a, 14-02-31156]; Presidium of the Russian Academy of Sciences [20.8]; Russian Ministry of Education and Science [02.G25.31.0043.]
Аннотация: We demonstrate that ferromagnetic metal/insulator/semiconductor hybrid structures represent a class of materials with the giant magnetoimpedance effect. In a metal-insulator-semiconductor diode with the Schottky barrier fabricated on the basis of the Fe/SiO2/n-Si structure, a drastic change in the impedance in an applied magnetic field was found. The maximum value of this effect was observed at temperatures of 10–30 K in the frequency range of 10 Hz–1 MHz where the ac magnetoresistance and magnetoreactance ratios exceeded 300% and 600%, respectively. In the low-frequency region (<1 kHz), these ratios could be controlled in wide range by applying bias to the device. The main contribution to the impedance when measured at temperatures corresponding to the strongest magnetic-field sensitivity comes from the interface states localized near the SiO2/n-Si interface and the processes of their recharging in an applied ac voltage. The applied magnetic field changes the energy structure of the interface states, thus affecting the processes of the charging dynamics.
Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку
Держатели документа:
Russian Acad Sci, Kirensky Inst Phys, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia
Siberian Fed Univ, Inst Engn Phys & Radio Elect, Krasnoyarsk 660041, Russia
Russian Acad Sci, Inst Automat & Control Proc, Far East Branch, Vladivostok 690041, Russia
Far Eastern Fed Univ, Sch Nat Sci, Vladivostok 690950, Russia
Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Gustaitsev, A. O.; Balashov, V. V.; Korobtsov, V .V.; Russian Foundation for Basic Research [14-02-00234-a, 14-02-31156]; Presidium of the Russian Academy of Sciences [20.8]; Russian Ministry of Education and Science [02.G25.31.0043.]
Giant magnetoresistance in Fe/SiO2/p-Si hybrid structure under non-equilibrium conditions
[Текст] / N. V. Volkov [и др.] // Adv. metals, ceramics and composites : 12th China-Russia Symposium on Advaced Materials and Technologies. - 2013. - Pt. 2. - P. 216-219
. - ISBN 978-7-5415-7650-5
Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Gustaitsev, A. O.; Густайцев Артур Олегович; Volkova, O. N.; Волкова, О. Н.; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; China-Russia Symposium on Advaced Materials and Technologies (12 ; 2013 ; Nov. 18-22 ; Kunming, China)
Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Gustaitsev, A. O.; Густайцев Артур Олегович; Volkova, O. N.; Волкова, О. Н.; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; China-Russia Symposium on Advaced Materials and Technologies (12 ; 2013 ; Nov. 18-22 ; Kunming, China)
Impedance of the Fe/SiO2/N-SI hybrid structure in a high magnetic field
/ A. O. Gustaitsev, D. A. Smolyakov, N. V. Volkov // Moscow Int. Symp. on Magnet. (MISM-2014) : Book of abstracts. - 2014. - Ст. 1PO-K-5. - P. 538
. - ISBN 978-5-91978-025-0
Материалы конференции,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку
Доп.точки доступа:
Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Густайцев Артур Олегович; Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова; Moscow International Symposium on Magnetism(6 ; 2014 ; June-July ; Moscow)
Материалы конференции,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку
Доп.точки доступа:
Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Густайцев Артур Олегович; Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова; Moscow International Symposium on Magnetism(6 ; 2014 ; June-July ; Moscow)
Bias-controlled magnetoimpedance effect in a mis structure
/ D. A. Smolyakov, A. O. Gustaitsev, N. V. Volkov // Moscow Int. Symp. on Magnet. (MISM-2014) : Book of abstracts. - 2014. - Ст. 1PO-K-8. - P. 541
. - ISBN 978-5-91978-025-0
Материалы конференции,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку
Доп.точки доступа:
Gustaitsev, A. O.; Густайцев Артур Олегович; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Смоляков, Дмитрий Александрович; Moscow International Symposium on Magnetism(6 ; 2014 ; June-July ; Moscow)
Материалы конференции,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку
Доп.точки доступа:
Gustaitsev, A. O.; Густайцев Артур Олегович; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Смоляков, Дмитрий Александрович; Moscow International Symposium on Magnetism(6 ; 2014 ; June-July ; Moscow)
Frequency-dependent magnetotransport properties of the schottky diode based on the Fe3Si/p-Si hybrid structure
/ A. S. Tarasov [et al.] // Third Asian school-conference on physics and technology of nanostructured materials (ASCO-NANOMAT 2015) : proceedings. - Vladivostok : Dalnauka, 2015. - Ст. III.22.02o. - P.
. - ISBN 978-5-8044-1556-4
Материалы конференции
Доп.точки доступа:
Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Gustaitsev, A. O.; Густайцев, Артур Олегович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials(3 ; 2015 ; Aug. ; 19-26 ; Vladivostok); Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов(3 ; 2015 ; авг. ; 19-26 ; Владивосток)
Материалы конференции
Доп.точки доступа:
Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Gustaitsev, A. O.; Густайцев, Артур Олегович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials(3 ; 2015 ; Aug. ; 19-26 ; Vladivostok); Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов(3 ; 2015 ; авг. ; 19-26 ; Владивосток)
The bias-controlled magnetoimpedance effect in a MIS structure
/ D. A. Smolyakov [et al.] // Solid State Phenom. : Selected, peer reviewed papers. - 2015. - Vol. 233-234: Achievements in Magnetism. - P. 451-455, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.233-234.451
. - ISSN 1662-9779. - ISSN 978-3-038
Перевод заглавия: Контролируемый напряжением смещения эффект магнитоимпеданса в МДП структуре
Кл.слова (ненормированные):
Bias -- Magnetoimpedance -- MIS-structure -- Magnetic fields -- Schottky barrier diodes -- Temperature distribution -- Applied magnetic fields -- Bias -- Giant magneto impedance effect -- Lower temperatures -- Magneto-impedance -- Magneto-impedance effects -- MIS structure -- Temperature dependence -- Magnetism
Аннотация: We report the giant magnetoimpedance effect in a ferromagnetic metal/insulator/semiconductor (MIS) diode with the Schottky barrier based on the Fe/SiO2/n-Si structure. It was established that the applied magnetic field strongly influences the impedance of the structure in the temperature range 10—30 K. In this range, there is the pronounced peak in the temperature dependence of the real part of the impedance at frequencies from 10 Hz to 1 MHz. The effect of the magnetic field manifests itself as a shift of the peak of the real part of the impedance. Under the action of a bias voltage of 5 V, the peak of the real part of the impedance similarly shifts toward lower temperatures with and without applied magnetic field. © (2015) Trans Tech Publications, Switzerland.
Scopus,
Материалы конференции,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку
Доп.точки доступа:
Perov, N. \ed.\; Semisalova, A. \ed.\; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Gustaitsev, A. O.; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Moscow International Symposium on Magnetism(6 ; 2014 ; June-July ; Moscow)
Перевод заглавия: Контролируемый напряжением смещения эффект магнитоимпеданса в МДП структуре
Кл.слова (ненормированные):
Bias -- Magnetoimpedance -- MIS-structure -- Magnetic fields -- Schottky barrier diodes -- Temperature distribution -- Applied magnetic fields -- Bias -- Giant magneto impedance effect -- Lower temperatures -- Magneto-impedance -- Magneto-impedance effects -- MIS structure -- Temperature dependence -- Magnetism
Аннотация: We report the giant magnetoimpedance effect in a ferromagnetic metal/insulator/semiconductor (MIS) diode with the Schottky barrier based on the Fe/SiO2/n-Si structure. It was established that the applied magnetic field strongly influences the impedance of the structure in the temperature range 10—30 K. In this range, there is the pronounced peak in the temperature dependence of the real part of the impedance at frequencies from 10 Hz to 1 MHz. The effect of the magnetic field manifests itself as a shift of the peak of the real part of the impedance. Under the action of a bias voltage of 5 V, the peak of the real part of the impedance similarly shifts toward lower temperatures with and without applied magnetic field. © (2015) Trans Tech Publications, Switzerland.
Scopus,
Материалы конференции,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку
Доп.точки доступа:
Perov, N. \ed.\; Semisalova, A. \ed.\; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Gustaitsev, A. O.; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Moscow International Symposium on Magnetism(6 ; 2014 ; June-July ; Moscow)
Anisotropy of the magnetoimpedance in hybrid hetero structure FeNi/SiO2/p-Si
/ A. V. Lukyanenko [et al.] // Int. conf. "Spin physics, spin chem., and spin technol.". - 2015. - P. 111. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, projects nos. 14-02-31156 and 14-02-00234, and the Russian Ministry of Education and Science, project no. 02.G25.31.0043
Материалы конференции
Доп.точки доступа:
Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Gustaitsev, A. O.; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; "Spin physics, spin chemistry, and spin technology", Internnational conference(2015 ; Jun. ; 1-5 ; Saint Peterburg); Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН; Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского Казанского научного центра РАН; "Инно-мир", центр межрегионального инновационного развития
Материалы конференции
Доп.точки доступа:
Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Gustaitsev, A. O.; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; "Spin physics, spin chemistry, and spin technology", Internnational conference(2015 ; Jun. ; 1-5 ; Saint Peterburg); Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН; Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского Казанского научного центра РАН; "Инно-мир", центр межрегионального инновационного развития
The magnetoimpedance effect in the Fe3Si/p-Si structure
/ D. A. Smolyakov [et al.] // Int. conf. "Spin physics, spin chem., and spin technol.". - 2015. - P. 161. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, projects nos. 14-02-31156 and 14-02-00234, and the Russian Ministry of Education and Science, project no. 02.G25.31.0043
Материалы конференции
Доп.точки доступа:
Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Gustaitsev, A. O.; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; "Spin physics, spin chemistry, and spin technology", Internnational conference(2015 ; Jun. ; 1-5 ; Saint Peterburg); Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН; Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского Казанского научного центра РАН; "Инно-мир", центр межрегионального инновационного развития
Материалы конференции
Доп.точки доступа:
Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Gustaitsev, A. O.; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; "Spin physics, spin chemistry, and spin technology", Internnational conference(2015 ; Jun. ; 1-5 ; Saint Peterburg); Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН; Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского Казанского научного центра РАН; "Инно-мир", центр межрегионального инновационного развития
The bias-controlled frequency-dependent ac transport properties of the FeNi/SiO2/p-Si Schottky diode
/ A. O. Gustaitsev [et al.] // Int. conf. "Spin physics, spin chem., and spin technol.". - 2015. - P. 111. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, projects nos. 14-02-31156 and 14-02-00234, and the Russian Ministry of Education and Science, project no. 02.G25.31.0043
Материалы конференции
Доп.точки доступа:
Gustaitsev, A. O.; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; "Spin physics, spin chemistry, and spin technology", Internnational conference(2015 ; Jun. ; 1-5 ; Saint Peterburg); Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН; Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского Казанского научного центра РАН; "Инно-мир", центр межрегионального инновационного развития
Материалы конференции
Доп.точки доступа:
Gustaitsev, A. O.; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; "Spin physics, spin chemistry, and spin technology", Internnational conference(2015 ; Jun. ; 1-5 ; Saint Peterburg); Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН; Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского Казанского научного центра РАН; "Инно-мир", центр межрегионального инновационного развития
The Bias-Controlled Frequency-Dependent ac Transport Properties of the FeNi/SiO2/p-Si Schottky Diode
/ A. O. Gustaitsev [et al.] // Int. conf. "Spin physics, spin chem., and spin technol.". - 2015. - P. 84
Материалы конференции
Доп.точки доступа:
Gustaitsev, A. O.; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; "Spin physics, spin chemistry, and spin technology", Internnational conference(2015 ; jun. ; 1-5 ; Saint Peterburg); Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН; Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского Казанского научного центра РАН; "Инно-мир", центр межрегионального инновационного развития
Материалы конференции
Доп.точки доступа:
Gustaitsev, A. O.; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; "Spin physics, spin chemistry, and spin technology", Internnational conference(2015 ; jun. ; 1-5 ; Saint Peterburg); Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН; Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского Казанского научного центра РАН; "Инно-мир", центр межрегионального инновационного развития
Magnetotransport effects in the Mn/SiO2/p-Si Hybrid Structure
/ D. A. Smolyakov [et al.] // VI Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism" (EASTMAG-2016) : abstracts / ed.: O. A. Maksimova, R. D. Ivantsov. - Krasnoyarsk : KIP RAS SB, 2016. - Ст. P1.17. - P. 77. - References: 2. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, project no. 14-02-00234-a
. - ISBN 978-5-904603-06-9
Доп.точки доступа:
Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Gustaitsev, A. O.; Густайцев, Артур Олегович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Нет сведений об экземплярах
Доп.точки доступа:
Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Gustaitsev, A. O.; Густайцев, Артур Олегович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Нет сведений об экземплярах
Magnetoimpedance of Silicon-Based Hybrid Structures with a Schottky Barrier
/ A. O. Gustaitsev [et al.] // VI Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism" (EASTMAG-2016) : abstracts / ed.: O. A. Maksimova, R. D. Ivantsov. - Krasnoyarsk : KIP RAS SB, 2016. - Ст. P1.31. - P. 92. - References: 3
. - ISBN 978-5-904603-06-9
Кл.слова (ненормированные):
hybrid structures -- Schottky barrier -- Schottky diode -- magnetoimpedance -- spintronic devices
Доп.точки доступа:
Gustaitsev, A. O.; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Нет сведений об экземплярах
Кл.слова (ненормированные):
hybrid structures -- Schottky barrier -- Schottky diode -- magnetoimpedance -- spintronic devices
Доп.точки доступа:
Gustaitsev, A. O.; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Нет сведений об экземплярах
Extremely high magnetic-field sensitivity of charge transport in the Mn/SiO2/ p -Si hybrid structure
/ N. V. Volkov [et al.] // AIP Adv. - 2017. - Vol. 7, Is. 1. - Ст. 015206, DOI 10.1063/1.4974876. - Cited References: 29. - The reported study was funded by Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund to the research Projects Nos. 16-42-242036 and 16-42-243046, the Russian Ministry of Education and Science, state assignment no. 16.663.2014K.
. - ISSN 2158-3226
Кл.слова (ненормированные):
Electric fields -- Impact ionization -- Ionization -- Magnetic fields -- Magnetism -- Manganese -- Schottky barrier diodes -- Effect of magnetic field -- High magnetic fields -- Low temperatures -- Magnetic and electric fields -- Magnetotransport effects -- Magnetotransport phenomena -- Schottky barriers -- Switching devices -- Magnetic field effects
Аннотация: We report on abrupt changes in dc resistance and impedance of a diode with the Schottky barrier based on the Mn/SiO2/p-Si structure in a magnetic field. It was observed that at low temperatures the dc and ac resistances of the device change by a factor of more than 106 with an increase in a magnetic field to 200 mT. The strong effect of the magnetic field is observed only above the threshold forward bias across the diode. The ratios between ac and dc magnetoresistances can be tuned from almost zero to 108% by varying the bias. To explain the diversity of magnetotransport phenomena observed in the Mn/SiO2/p-Si structure, it is necessary to attract several mechanisms, which possibly work in different regions of the structure. The anomalously strong magnetotransport effects are attributed to the magnetic-field-dependent impact ionization in the bulk of a Si substrate. At the same time, the conditions for this process are specified by structure composition, which, in turn, affects the current through each structure region. The effect of magnetic field attributed to suppression of impact ionization via two mechanisms leads to an increase in the carrier energy required for initiation of impact ionization. The first mechanism is related to displacement of acceptor levels toward higher energies relative to the top of the valence band and the other mechanism is associated with the Lorentz forces affecting carrier trajectories between scatterings events. The estimated contributions of these two mechanisms are similar. The proposed structure is a good candidate for application in CMOS technology-compatible magnetic- and electric-field sensors and switching devices.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Russian Academy of Sciences, Siberian Branch, Krasnoyarsk, Russian Federation
Institute of Space Technology, Siberian State Aerospace University, Krasnoyarsk, Russian Federation
Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Gustaitsev, A. O.; Густайцев, Артур Олегович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич
Кл.слова (ненормированные):
Electric fields -- Impact ionization -- Ionization -- Magnetic fields -- Magnetism -- Manganese -- Schottky barrier diodes -- Effect of magnetic field -- High magnetic fields -- Low temperatures -- Magnetic and electric fields -- Magnetotransport effects -- Magnetotransport phenomena -- Schottky barriers -- Switching devices -- Magnetic field effects
Аннотация: We report on abrupt changes in dc resistance and impedance of a diode with the Schottky barrier based on the Mn/SiO2/p-Si structure in a magnetic field. It was observed that at low temperatures the dc and ac resistances of the device change by a factor of more than 106 with an increase in a magnetic field to 200 mT. The strong effect of the magnetic field is observed only above the threshold forward bias across the diode. The ratios between ac and dc magnetoresistances can be tuned from almost zero to 108% by varying the bias. To explain the diversity of magnetotransport phenomena observed in the Mn/SiO2/p-Si structure, it is necessary to attract several mechanisms, which possibly work in different regions of the structure. The anomalously strong magnetotransport effects are attributed to the magnetic-field-dependent impact ionization in the bulk of a Si substrate. At the same time, the conditions for this process are specified by structure composition, which, in turn, affects the current through each structure region. The effect of magnetic field attributed to suppression of impact ionization via two mechanisms leads to an increase in the carrier energy required for initiation of impact ionization. The first mechanism is related to displacement of acceptor levels toward higher energies relative to the top of the valence band and the other mechanism is associated with the Lorentz forces affecting carrier trajectories between scatterings events. The estimated contributions of these two mechanisms are similar. The proposed structure is a good candidate for application in CMOS technology-compatible magnetic- and electric-field sensors and switching devices.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Russian Academy of Sciences, Siberian Branch, Krasnoyarsk, Russian Federation
Institute of Space Technology, Siberian State Aerospace University, Krasnoyarsk, Russian Federation
Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Gustaitsev, A. O.; Густайцев, Артур Олегович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич