Труды сотрудников института физики

[Текст] / N. V. Volkov [и др.] // V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism : abstracts. - Vladivostok : FEFU, 2013. - P96 . - ISBN 978-5-7444-3124-2


Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Chichkov, V. I.; Чичков В.И.; Mukovskii, Y. M.; Муковский Я. М.; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; Sept. ; 15-21 ; Vladivostok)

/ N. V. Volkov [et al.] // Appl. Phys. Lett. - 2014. - Vol. 104, Is. 22. - Ст. 222406, DOI 10.1063/1.4881715. - Cited References: 20. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, Project Nos. 14-02-00234-a and 14-02-31156; the Presidium of the Russian Academy of Sciences, program Quantum Mesoscopic and Disordered Structures, Project No. 20.8; and the Russian Ministry of Education and Science, Project No. 02.G25.31.0043. . - ISSN 0003-6951. - ISSN 1077-3118РУБ Physics, Applied

Аннотация: We demonstrate that ferromagnetic metal/insulator/semiconductor hybrid structures represent a class of materials with the giant magnetoimpedance effect. In a metal-insulator-semiconductor diode with the Schottky barrier fabricated on the basis of the Fe/SiO2/n-Si structure, a drastic change in the impedance in an applied magnetic field was found. The maximum value of this effect was observed at temperatures of 10–30 K in the frequency range of 10 Hz–1 MHz where the ac magnetoresistance and magnetoreactance ratios exceeded 300% and 600%, respectively. In the low-frequency region (<1 kHz), these ratios could be controlled in wide range by applying bias to the device. The main contribution to the impedance when measured at temperatures corresponding to the strongest magnetic-field sensitivity comes from the interface states localized near the SiO2/n-Si interface and the processes of their recharging in an applied ac voltage. The applied magnetic field changes the energy structure of the interface states, thus affecting the processes of the charging dynamics.

Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку

Держатели документа:
Russian Acad Sci, Kirensky Inst Phys, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia
Siberian Fed Univ, Inst Engn Phys & Radio Elect, Krasnoyarsk 660041, Russia
Russian Acad Sci, Inst Automat & Control Proc, Far East Branch, Vladivostok 690041, Russia
Far Eastern Fed Univ, Sch Nat Sci, Vladivostok 690950, Russia

Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Gustaitsev, A. O.; Balashov, V. V.; Korobtsov, V .V.; Russian Foundation for Basic Research [14-02-00234-a, 14-02-31156]; Presidium of the Russian Academy of Sciences [20.8]; Russian Ministry of Education and Science [02.G25.31.0043.]

/ N. V. Volkov [et al.] // Solid State Phenom. : Selected, peer reviewed papers. - 2014. - Vol. 215: Trends in Magnetism: Nanomagnetism (EASTMAG-2013). - P. 368-371, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.215.368. - Cited References: 6 . - ISSN 978-30383. - ISSN 1662-9779
Аннотация: We present the results of investigations of the spin-polarized current and spin dynamics in the hybrid structures ferrimagnetic insulator/ferromagnetic metal subjected to microwave radiation. We studied the La0.7Sr0.3MnO3/Y3Fe5O12 bilayer films on the Gd3Ga5O12 substrate. It was experimentally established that under the action of spin pumping the resistance of the La0.7Sr0.3MnO3 film changes. The value of ?R is maximum in the sample with a La0.7Sr0.3MnO3 layer thickness of 10 nm and sharply drops as the manganite film thickness is increased. The resistance decreases in the paramagnetic region and grows in the ferromagnetic region at temperatures below the metal-insulator transition point. The variation in the resistance of the manganite film can be attributed to the correlation of the spin dynamics and transport properties of conduction electrons in the structure. © (2014) Trans Tech Publications, Switzerland.


Доп.точки доступа:
Ovchinnikov, S. G. \ed.\; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Samardak, A. \ed.\; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Chichkov, V. I.; Чичков В. И.; Mukovskii, Y. M.; Муковский Я. М.; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; sept. ; 15-21 ; Vladivostok)

[Текст] / A. S. Tarasov [и др.] // Moscow Int. Symp. on Magnet. (MISM-2014) : Book of abstracts. - 2014. - Ст. 1PO-K-15. - P. 548 . - ISBN 978-5-91978-025-0

Материалы конференции,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку


Доп.точки доступа:
Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Moscow International Symposium on Magnetism(6 ; 2014 ; 29 June-3 July ; Moscow); Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова

/ N. V. Volkov [et al.] // J. Magn. Magn. Mater. - 2015. - Vol. 383. - P. 69-72, DOI 10.1016/j.jmmm.2014.11.014. - Cited References:15. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, Projects nos. 14-02-00234-a and 14-02-31156, the Presidium of the Russian Academy of Sciences, Program Quantum Mesoscopic and Disordered Structures, Project no. 20.8 and the Ministry of Education and Science of the Russian Federation, Project no. 02.G25.31.0043. . - ISSN 0304-8853
   Перевод заглавия: Контролируемые напряжением смещения магнитотранспортные явления, наблюдаемые на постоянном и переменном токе в гибридных структурахРУБ Materials Science, Multidisciplinary + Physics, Condensed Matter

Аннотация: We report some ac and dc magnetotransport phenomena in silicon-based hybrid structures. The giant impedance change under an applied magnetic field has been experimentally found in the metal/insulator/semiconductor (MIS) diode with the Schottky barrier based on the Fe/SiO2/p-Si and Fe/SiO2/n-Si structures. The maximum effect is found to observe at temperatures of 10-30 K in the frequency range 10 Hz-1 MHz, Below 1 kHz the magnetoresistance can be controlled in a wide range by applying a bias to the device. A photoinduced dc magnetoresistance of over 104% has been found in the Fe/SiO2/p-Si back-to-back Schottky diode. The observed magnetic-field-dependent effects are caused by the interface states localized in the insula-tor/semiconductor interface. (C) 2014 Elsevier B.V. All rights reserved.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку


Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Russian Foundation for Basic Research [14-02-00234-a, 14-02-31156]; Presidium of the Russian Academy of Sciences [20.8]; Ministry of Education and Science of the Russian Federation [02.G25.31.0043]; Moscow International Symposium on Magnetism(6 ; 2014 ; June-July ; Moscow)

/ N. V. Volkov [et al.] // Moscow Int. Symp. on Magnet. (MISM-2014) : 29 June - 3 July 2014 : вook of abstracts. - 2014. - Ст. 1RP-A-10. - P. 315 . - ISBN 978-5-91978-025-0

Материалы конференции,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку


Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Moscow International Symposium on Magnetism(6 ; 2014 ; June-July ; Moscow)

/ A. O. Gustaitsev, D. A. Smolyakov, N. V. Volkov // Moscow Int. Symp. on Magnet. (MISM-2014) : Book of abstracts. - 2014. - Ст. 1PO-K-5. - P. 538 . - ISBN 978-5-91978-025-0

Материалы конференции,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку


Доп.точки доступа:
Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Густайцев Артур Олегович; Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова; Moscow International Symposium on Magnetism(6 ; 2014 ; June-July ; Moscow)

/ D. A. Smolyakov, A. O. Gustaitsev, N. V. Volkov // Moscow Int. Symp. on Magnet. (MISM-2014) : Book of abstracts. - 2014. - Ст. 1PO-K-8. - P. 541 . - ISBN 978-5-91978-025-0

Материалы конференции,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку


Доп.точки доступа:
Gustaitsev, A. O.; Густайцев Артур Олегович; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Смоляков, Дмитрий Александрович; Moscow International Symposium on Magnetism(6 ; 2014 ; June-July ; Moscow)

/ A. S. Tarasov [et al.] // Third Asian school-conference on physics and technology of nanostructured materials (ASCO-NANOMAT 2015) : proceedings. - Vladivostok : Dalnauka, 2015. - Ст. III.22.02o. - P. . - ISBN 978-5-8044-1556-4

Материалы конференции


Доп.точки доступа:
Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Gustaitsev, A. O.; Густайцев, Артур Олегович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials(3 ; 2015 ; Aug. ; 19-26 ; Vladivostok); Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов(3 ; 2015 ; авг. ; 19-26 ; Владивосток)

/ I. A. Bondarev [et al.] // Third Asian school-conference on physics and technology of nanostructured materials (ASCO-NANOMAT 2015) : proceedings. - Vladivostok : Dalnauka, 2015. - Ст. IX.24.02p . - ISBN 978-5-8044-1556-4

Материалы конференции


Доп.точки доступа:
Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Dorofeev, N. V.; Дорофеев, Николай Владимирович; Rautckii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials(3 ; 2015 ; Aug. ; 19-26 ; Vladivostok); Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов(3 ; 2015 ; авг. ; 19-26 ; Владивосток)

/ N. V. Volkov [et al.] // Int. conf. "Spin physics, spin chem., and spin technol.". - 2015. - P. 36. - Библиогр.: 4 назв.

Материалы конференции


Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; "Spin physics, spin chemistry, and spin technology", Internnational conference(2015 ; jun. ; 1-5 ; Saint Peterburg); Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН; Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского Казанского научного центра РАН; "Инно-мир, центр межрегионального инновационного развития

/ Д. А. Смоляков [и др.] ; патентообладатель Ин-т физики им. Л.В. Киренского. - № 2014124563/28 ; Заявл. 17.06.2014 ; Опубл. 27.08.2015. - по 20140617 // Изобретения. Полезные модели : офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2015. - № 24 . -
Аннотация: Использование: для создания новых элементов, необходимых для хранения, обработки и передачи данных. Сущность изобретения заключается в том, что чувствительный элемент на основе эффекта магнитоимпеданса включает немагнитную подложку, слой диэлектрика и контакты и имеет срр геометрию, где в качестве подложки используют п-Si, в качестве диэлектрика используют Si02 и металлические электроды в виде полос, нанесенных на Si02 и нижнюю часть полупроводника п-Si, и поведение магнитоимпеданса обусловлено процессами перезарядки поверхностных состояний на границе диэлектрик/полупроводник при приложенном к структуре переменном напряжении. Технический результат: обеспечение возможности реализации большой величины МИ эффекта в МДП структуре при использовании

Смотреть патент,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Смоляков, Дмитрий Александрович; Smolyakov, D. A.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Густайцев, Артур Олегович; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент); Федеральный институт промышленной собственности

/ D. A. Smolyakov [et al.] // Solid State Phenom. : Selected, peer reviewed papers. - 2015. - Vol. 233-234: Achievements in Magnetism. - P. 451-455, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.233-234.451 . - ISSN 1662-9779. - ISSN 978-3-038
   Перевод заглавия: Контролируемый напряжением смещения эффект магнитоимпеданса в МДП структуре
Аннотация: We report the giant magnetoimpedance effect in a ferromagnetic metal/insulator/semiconductor (MIS) diode with the Schottky barrier based on the Fe/SiO2/n-Si structure. It was established that the applied magnetic field strongly influences the impedance of the structure in the temperature range 10—30 K. In this range, there is the pronounced peak in the temperature dependence of the real part of the impedance at frequencies from 10 Hz to 1 MHz. The effect of the magnetic field manifests itself as a shift of the peak of the real part of the impedance. Under the action of a bias voltage of 5 V, the peak of the real part of the impedance similarly shifts toward lower temperatures with and without applied magnetic field. © (2015) Trans Tech Publications, Switzerland.

Scopus,
Материалы конференции,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку


Доп.точки доступа:
Perov, N. \ed.\; Semisalova, A. \ed.\; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Gustaitsev, A. O.; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Moscow International Symposium on Magnetism(6 ; 2014 ; June-July ; Moscow)

/ N. V. Dorofeev [et al.] // Int. conf. "Spin physics, spin chem., and spin technol.". - 2015. - P. 69. - Библиогр.: 4. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, projects nos. 14-02-31156 and 14-02-00234, and the Russian Ministry of Education and Science, project no. 02.G25.31.0043

Материалы конференции


Доп.точки доступа:
Dorofeev, N. V.; Дорофеев, Николай Владимирович; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; "Spin physics, spin chemistry, and spin technology", Internnational conference(2015 ; Jun. ; 1-5 ; Saint Peterburg); Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН; Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского Казанского научного центра РАН; "Инно-мир", центр межрегионального инновационного развития

/ A. V. Lukyanenko [et al.] // Int. conf. "Spin physics, spin chem., and spin technol.". - 2015. - P. 111. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, projects nos. 14-02-31156 and 14-02-00234, and the Russian Ministry of Education and Science, project no. 02.G25.31.0043

Материалы конференции


Доп.точки доступа:
Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Gustaitsev, A. O.; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; "Spin physics, spin chemistry, and spin technology", Internnational conference(2015 ; Jun. ; 1-5 ; Saint Peterburg); Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН; Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского Казанского научного центра РАН; "Инно-мир", центр межрегионального инновационного развития

/ D. A. Smolyakov [et al.] // Int. conf. "Spin physics, spin chem., and spin technol.". - 2015. - P. 161. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, projects nos. 14-02-31156 and 14-02-00234, and the Russian Ministry of Education and Science, project no. 02.G25.31.0043

Материалы конференции


Доп.точки доступа:
Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Gustaitsev, A. O.; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; "Spin physics, spin chemistry, and spin technology", Internnational conference(2015 ; Jun. ; 1-5 ; Saint Peterburg); Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН; Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского Казанского научного центра РАН; "Инно-мир", центр межрегионального инновационного развития

/ A. S. Tarasov [et al.] // Int. conf. "Spin physics, spin chem., and spin technol.". - 2015. - P. 173. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, projects nos. 14-02-31156 and 14-02-00234, and the Russian Ministry of Education and Science, project no. 02.G25.31.0043

Материалы конференции


Доп.точки доступа:
Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; "Spin physics, spin chemistry, and spin technology", Internnational conference(2015 ; Jun. ; 1-5 ; Saint Peterburg); Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН; Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского Казанского научного центра РАН; "Инно-мир", центр межрегионального инновационного развития

/ A. O. Gustaitsev [et al.] // Int. conf. "Spin physics, spin chem., and spin technol.". - 2015. - P. 111. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, projects nos. 14-02-31156 and 14-02-00234, and the Russian Ministry of Education and Science, project no. 02.G25.31.0043

Материалы конференции


Доп.точки доступа:
Gustaitsev, A. O.; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; "Spin physics, spin chemistry, and spin technology", Internnational conference(2015 ; Jun. ; 1-5 ; Saint Peterburg); Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН; Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского Казанского научного центра РАН; "Инно-мир", центр межрегионального инновационного развития

/ A. O. Gustaitsev [et al.] // Int. conf. "Spin physics, spin chem., and spin technol.". - 2015. - P. 84

Материалы конференции


Доп.точки доступа:
Gustaitsev, A. O.; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; "Spin physics, spin chemistry, and spin technology", Internnational conference(2015 ; jun. ; 1-5 ; Saint Peterburg); Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН; Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского Казанского научного центра РАН; "Инно-мир", центр межрегионального инновационного развития

/ D. A. Smolyakov [et al.] // VI Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism" (EASTMAG-2016) : abstracts / ed.: O. A. Maksimova, R. D. Ivantsov. - Krasnoyarsk : KIP RAS SB, 2016. - Ст. P1.17. - P. 77. - References: 2. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, project no. 14-02-00234-a . - ISBN 978-5-904603-06-9


Доп.точки доступа:
Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Gustaitsev, A. O.; Густайцев, Артур Олегович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН

Нет сведений об экземплярах