Труды сотрудников института физики

w10=
Найдено документов в текущей БД: 2

    Структурные, оптические и термоэлектрические свойства тонких ZnO:Al пленок, полученных атомно-слоевым осаждением
/ И. А. Тамбасов [и др.] // Физ. тверд. тела. - 2019. - Т. 61, Вып. 10. - С. 1941-1947, DOI 10.21883/FTT.2019.10.48274.455. - Библиогр.: 33. - Исследование выполнено за счет гранта Российского научного фонда (проект No 17-72-10079). . - ISSN 0367-3294
Аннотация: Тонкие пленки оксида цинка легированного алюминием были выращены с помощью атомно-слоевого осаждения при температуре 200°С. С помощью рентгеновской дифракции было обнаружено, что тонкие ZnO:Al пленки имеют пики от плоскостей (100), (002), (110) и (201) гексагональной фазы ZnO. Плоскости (101) и (102) были обнаружены также с помощью электронной дифракции. Тонкие ZnO:Al пленки растут гладкими со среднеквадратичной шероховатостью Rq равной 0.33 nm и характерными размерами нанокристаллита ~70 и ~15 nm без дополнительных фаз связанных с алюминием или оксидами алюминия. Пропускание на длине волны 550 nm с учетом подложки составляло ~96%. Были найдены коэффициенты преломления и поглощения тонких ZnO:Al пленок в диапазоне длин волн 250-900 nm. Максимальные значения для коэффициентов преломления и поглощения были 2.09 на длине волны 335 nm и 0.39 на длине волны 295 nm соответственно. Оптическая ширина запрещeнной зоны составляла 3.56 eV. Удельное сопротивление, коэффициент Зеебека и фактор мощности тонких ZnO:Al пленок составляли ~1.02·10-3 Ohm·cm, ~-60μV/K и 340 μW·m-1·K-2 при комнатной температуре соответственно. Максимальный фактор мощности достигал 620 μW·m-1·K-2 при температуре 200°C.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Красноярский научный центр, ФИЦ КНЦ СО РАН, Красноярск, Россия
Институт химии и химической технологии СО РАН, ФИЦ КНЦ СО РАН, Красноярск, Россия
Сибирский государственный университет науки и технологий им. М.Ф. Решетнева, Красноярск, Россия
Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия

Доп.точки доступа:
Тамбасов, Игорь Анатольевич; Tambasov, I. A.; Волочаев, Михаил Николаевич; Volochaev, M. N.; Воронин, А. С.; Евсевская, Н. П.; Evsevskaya N. P.; Масюгин, Альберт Николаевич; Александровский, Александр Сергеевич; Aleksandrovskii, A. S.; Смолярова, T. E.; Немцев, Иван Васильевич; Nemtsev, I. V.; Лященко, Сергей Александрович; Lyashchenko, S. A.; Бондаренко, Г. Н.; Тамбасова, Е. В.

    Тонкие пленки оксинитрида титана для сенсоров широкого диапазона температур
/ Ф. А. Барон, Л. В. Шанидзе, М. В. Рауцкий [и др.] // Письма в Журн. техн. физ. - 2022. - Т. 48, Вып. 20. - С. 39-42, DOI 10.21883/PJTF.2022.20.53695.19292. - Библиогр.: 14. - Исследование выполнено при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, Правительства Красноярского края, Красноярского краевого фонда науки в рамках научного проекта N 20-42-240013. Исследование образцов методом резерфордовского обратного рассеяния, проведенное в Научно-образовательном центре "Функциональные наноматериалы" Балтийского федерального университета, осуществлено при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования РФ (проект FZWN-2020-0008) . - ISSN 0320-0116
Аннотация: Исследована температурная зависимость удельного сопротивления тонких пленок оксинитрида титана TiNxOy с различным содержанием азота и кислорода, полученных методом атомно-слоевого осаждения. Обнаружено, что сопротивление всех пленок монотонно убывает с ростом температуры и меняется в широких пределах в зависимости от химического состава и толщины пленки. Представлена технология получения компактного температурного сенсора широкого диапазона температур (от гелиевых до комнатных) на основе TiN0.87O0.97 толщиной 40 nm. Данный сенсор может быть легко интегрирован в современные изделия микроэлектроники.

Смотреть статью,
РИНЦ

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Институт химии и химической технологии СО РАН, ФИЦ КНЦ СО РАН, Красноярск, Россия
Сибирский государственный университет науки и технологий им. акад. М.Ф. Решетнева, Красноярск, Россия
Научно-образовательный центр "Функциональные наноматериалы" Балтийского федерального университета им. И. Канта, Калининград, Россия

Доп.точки доступа:
Барон, Филипп Алексеевич; Baron, F. A.; Шанидзе, Лев Викторович; Shanidze, L. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Rautskii, M. V.; Михлин, Ю. Л.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Lukyanenko, A. V.; Коновалов, С. О.; Зеленов, Ф. В.; Швец, П. В.; Гойхман, А. Ю.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.