Труды сотрудников института физики

[Рукопись] : дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / М. П. Аннаоразов ; науч. рук.: В. Г. Пынько, Г. М. Мяликгулыев ; Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики им. Л.В. Киренского, Туркменский гос. ун-т им. А.Г. Горького. - Красноярск, 1979. - 119 с. - Библиогр.: с. 108-119. -

ГРНТИ

29.19.15

29.19.16

ББК В375.1я031


Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л. В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Пынько, Виталий Григорьевич \науч. рук.\; Pyn'ko, V. G.; Мяликгулыев, Г. М. \науч. рук.\; Академия наук СССР; Сибирское отделение АН СССР; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения АН СССРТуркменский государственный университет им. А.Г. Горького
Экземпляры всего: 1
ДС (1)
Свободны: ДС (1)

/ Б. А. Беляев [и др.] // Изв. вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 8/2. - С. 230-232. - Работа выполнена при финансовой поддержке ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России 2009−2013»
   Перевод заглавия: Micromagnetic simulation and numerical analysis of magnetization reversal processes in thin-film ferromagnetic/antiferromagnetic bilayer
Аннотация: На основе численного микромагнитного моделирования проведено исследование процессов перемагничивания двухслойных тонкопленочных структур ферромагнетик/антиферромагнетик. Сделан анализ влияния параметров структуры на величину поля обменного сдвига и коэрцитивной силы. Результаты расчета сравниваются с экспериментальными и теоретическими данными.
On the basis of the numerical micromagnetic simulation the study of magnetization reversal processes in thin-film ferromagnetic/antiferromagnetic bilayers was performed. The analysis of influence of parameters of the structure on exchange bias field and coercive force was carried out. Calculation results are compared with experimental and theoretical data.

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Изотов, Андрей Викторович; Izotov, A.V.; Беляев, Борис Афанасьевич; Belyaev, B. A.; Соловьев, Платон Николаевич; Волошин, Александр Сергеевич; Voloshin, A. S.

/ Н. В. Волков [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : Труды XVI междунар. симп. - 2012. - Т. 1. - С. 102-103

Материалы симпозиума,
Материалы конференции

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A.S.; Еремин, Евгений Владимирович; Eremin, E. V.; Еремин, Александр Владимирович; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S.N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; "Нанофизика и наноэлектроника", международный симпозиум (16 ; 2012 ; март ; 12–16 ; Нижний Новгород)

/ Е. А. Михалева [и др.] // Вестник СибГАУ. - 2013. - № 1. - С. 159-162 . - ISSN 1816-9724

ГРНТИ

29.19.36

Аннотация: Измерены теплоемкость и тепловое расширение керамического композита 0.82(PbTiO[3]) - 0.18(La[0,7]Pb[0,3]MnO[3]) в широком интервале температур. Исследовано взаимное влияние сегнетоэлектрического и ферромагнитного компонентов на электро-, магнито- и барокалорическую эффективность материала в области фазовых переходов.

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Михалева, Екатерина Андреевна; Mikhaleva E.A.; Михашенок, Наталья Владимировна; Mikhashenok N. V.; Молокеев, Максим Сергеевич; Molokeev M.S.; Флёров, Игорь Николаевич; Flerov, I. N.; Горев, Михаил Васильевич; Gorev M.V.

/ Е. А. Михалева [и др.] // XX Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков. ВКС-XX. - Красноярск : ИФ СО РАН, 2014. - С. 189-190


Для получение полного текста обратитесь в библиотеку

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Михалева, Екатерина Андреевна; Mikhaleva, E. A.; Флёров, Игорь Николаевич; Flerov, I. N.; Горев, Михаил Васильевич; Gorev, M. V.; Карташев, Андрей Васильевич; Kartashev, A. V.; Саблина, Клара Александровна; Sablina, K. A.; Михашенок, Наталья Владимировна; Mikhashenok, N. V.; Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков (20 ; 2014 ; 18-22 авг. ; Красноярск)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

[Текст] / E. A. Mikhaleva [и др.] // Joint 12th Russia/CIS/Baltic/Japan Symposium on Ferroelectricity. 9th International Conference Functional Materials and Nanotechnologies / International Conference Functional Materials and Nanotechnologies (9 ; 2014 ; Sept. 29 – Oct. 2 ; Riga). - 2014. - Ст. R-11. - P. 172
   Перевод заглавия: Мультикалорические эффекты в объемных композитах сегнетоэлектрик-ферромагнетик (x)La0.7Pb0.3MnO3 - (1-x)PbTiO3

Материалы конференции,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку


Доп.точки доступа:
Mikhaleva, E. A.; Михалева, Екатерина Андреевна; Gorev, M. V.; Горев, Михаил Васильевич; Kartashev, A. V.; Карташев, Андрей Васильевич; Flerov, I. N.; Флёров, Игорь Николаевич; Sablina, K. A.; Саблина, Клара Александровна; Mikhashenok, N. V.; Михашенок, Наталья Владимировна; Joint Russia/CIS/Baltic/Japan Symposium on Ferroelectricity(12 ; 2014 ; Sept. 29 - Oct. 2 ; Riga); International Conference Functional Materials and Nanotechnologies(9 ; 2014 ; Sept. 29 - Oct. 2 ; Riga)

/ O. A. Maximova [et al.] // J. Sib. Fed. Univ. Math. Phys. - 2017. - Vol. 10, Is. 2. - P. 223-232 ; Журн. СФУ. Сер. "Математика и физика", DOI 10.17516/1997-1397-2017-10-2-223-232. - Cited References: 13. - The reported study was funded by Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund to the research project 16–42–243058. The work was supported partly by the Russian Foundation for Basic Research, Grant No. 16–32–00209 mola, Grant No. 14–02–01211; the Complex program of SB RAS No. II.2P, project 0358–2015–0004; the Ministry of Education and Science of the RF (State task No. 16.663.2014); grant Scientific School 7559.2016.2. . - ISSN 1997-1397
   Перевод заглавия: Двухслойная модель отражающих ферромагнитных пленок для исследования тонких пленок методом магнитоэллипсометрии
Аннотация: An approach to analysis of magneto-optical ellipsometry measurements is presented. A two-layer model of ferromagnetic reflective films is in focus. The obtained algorithm can be used to control optical and magneto-optical properties during films growth inside vacuum chambers.
Представлен метод анализа магнито-эллипсометрических измерений. Детально рассматривается двуслойная модель ферромагнитных отражающих пленок. Полученный алгоритм может использоваться для контроля оптических и магнито-оптических свойств пленок в процессе их роста в вакуумных камерах.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Scopus,
Смотреть статью,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку

Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Akademgorodok, 50/38, Krasnoyarsk, Russian Federation
Siberian Federal University, Svobodny, 79, Krasnoyarsk, Russian Federation
Reshetnev Siberian State Aerospace University, Krasnoyarsky Rabochy, 31, Krasnoyarsk, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Maximova, O. A.; Максимова, Ольга Александровна; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Kosyrev, N. N.; Косырев, Николай Николаевич; Lyashchenko, S. A.; Лященко, Сергей Александрович

/ A. S. Tarasov [et al.] // Semiconductors. - 2018. - Vol. 52, Is. 14. - P. 1875–1878, DOI 10.1134/S1063782618140312. - Cited References: 10. - The work was supported by the Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund project no. 18-42-243022. This work is partially supported by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation and by Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (project II.8.70) and Fundamental research program of the Presidium of the RAS no. 32 “Nanostructures: physics, chemistry, biology, basics of technologies”. . - ISSN 1063-7826. - ISSN 1090-6479
   Перевод заглавия: Изготовление и транспортные свойства 3-х терминальных спинтронных устройств ферромагнетик/полупроводник
Аннотация: CMOS and SOI technology compatible structures and devices are currently intensively investigated by many research groups, since various effects observed in such structures can be relatively easy implemented in electronic devices thereby expanding their functionality. The most promising is the research and development of spintronic devices, which will allow using both electron charge and spin degrees of freedom for transmission, storage and processing of information. In this work we report the fabrication process of 3-terminal (3-T) ferromagnet/silicon devices of two types. First is the planar Fe3Si/Si 3-T structure with 5 μm gap between closest ferromagnetic electrodes. Second is silicon nanowire back-gate transistor with Fe film source and drain synthesized on SOI substrate. Transport and magnetotransport properties of both devices are investigated.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку

Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk, Russia
Institute of Engineering Physics and Radio Electronics, Siberian Federal University, Krasnoyarsk, Russia

Доп.точки доступа:
Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Baron, F. A.; Барон, Филипп Алексеевич; Smolyarova, T. E.; Смолярова, Татьяна Евгеньевна; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович

/ А. С. Тарасов, А. В. Лукьяненко, И. А. Бондарев [и др.] // Письма в Журн. техн. физ. - 2020. - Т. 46, № 13. - С. 43-46, DOI 10.21883/PJTF.2020.13.49591.18106. - Библиогр.: 17. - Исследование выполнено при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, Правительства Красноярского края, Красноярского краевого фонда науки в рамках научного проекта No 18-42-243022, Правительства РФ в рамках гранта по созданию лабораторий мирового уровня (соглашение No 075-15-2019-1886) . - ISSN 0320-0116
Аннотация: Продемонстрирована электрическая инжекция спин-поляризованного тока в кремний в эпитаксиальной структуре Fe3Si/n-Si. Эффект спиновой аккумуляции исследовался при помощи измерения локального и нелокального напряжения в специально подготовленном четырехтерминальном устройстве. Обнаруженный эффект влияния электрического смещения на спиновый сигнал обсуждается и сравнивается с другими результатами, полученными для структур ферромагнетик/полупроводник.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Институт инженерной физики и радиоэлектроники, Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия

Доп.точки доступа:
Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Luk'yanenko, A. V.; Бондарев, Илья Александрович; Bondarev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.

/ С. Г. Овчинников, В. В. Руденко, Н. В. Казак [и др.] // Журн. эксперим. и теор. физ. - 2020. - Т. 158, Вып. 1. - С. 184-197, DOI 10.31857/S0044451020070160. - Библиогр.: 74. - Работа выполнена при финансовой поддержке Российского научного фонда (грант № 18-12-00022) . - ISSN 0044-4510
Аннотация: Простые решетка и магнитная структура, высокая температура Нееля, узкие линии антиферромагнитного в FeBO3 и электронного парамагнитного резонанса в серии изоструктурных диамагнитных аналогов MBO3:Fe3+ (M=Ga, In, Sc, Lu) делают борат железа уникальным объектом для исследований и приложений. Этот кристалл является модельным для многочисленных экспериментальных и теоретических исследований, включая спиновые кроссоверы и металлизацию при мегабарных давлениях, проявление многоэлектронных эффектов в оптике и рентгеновской спектроскопии. Приводится обзор работ последнего времени по исследованиям свойств FeBO3.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку

Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук - обособленное подразделение ФИЦ КНЦ СО РАН

Доп.точки доступа:
Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Руденко, Валерий Васильевич; Rudenko, V. V.; Казак, Наталья Валерьевна; Kazak, N. V.; Эдельман, Ирина Самсоновна; Edelman, I. S.; Гавричков, Владимир Александрович; Gavrichkov, V. A.

/ А. В. Лукьяненко, А. С. Тарасов, Л. В. Шанидзе [и др.] // Поверхность. - 2021. - № 1. - С. 74-79, DOI 10.31857/S1028096021010106. - Библиогр.: 15. - Исследования выплнены с использованием оборудования Красноярского регионального центра коллективного пользования ФИЦ КНЦ СО РАН при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования РФ, Президиума РАН (Программа № 32 "Наноструктуры: Физика, Химия, Биология, Основы Технологий"), а также РФФИ, Правительства Красноярского края, Красноярского краевого фонда науки (проект № 18-42-243022) . - ISSN 1028-0960
Аннотация: Полупроводниковые нанопроволоки представляют собой уникальные материалы для изучения явлений на наноуровне, а возможность формирования кремниевых нанонитей в нисходящем процессе с использованием объемных подложек кремния-на-изоляторе (КНИ) дает этой технологии возможность полного внедрения в интегрированные электронные системы. Помимо всего прочего, использование ферромагнитных контактов в сочетании с хорошим качеством границ ферромагнетик–полупроводник открывают перспективы применения таких структур для использования в устройствах спинтроники, в частности при проектировании спинового транзистора. Продемонстрирован простой подход к созданию активных устройств на основе полупроводниковых нанопроволок, а именно полевых транзисторов Шоттки с нижним затвором и металлическим (Fe) истоком и стоком, синтезированных на подложке КНИ, а также получены их транспортные характеристики.

Смотреть статью,
РИНЦ

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского, Федеральный исследовательский центр КНЦ СО РАН, 660036 Красноярск, Россия
Институт инженерной физики и радиоэлектроники, Сибирский федеральный университет, 660041 Красноярск, Россия

Доп.точки доступа:
Лукьяненко, Анна Витальевна; Lukyanenko, A. V.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.; Шанидзе, Лев Викторович; Волочаев, Михаил Николаевич; Volochaev, M. N.; Зеленов, Ф. В.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Bondarev, I. A.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.

[Рукопись] : специальность 1.3.2 "Приборы и методы экспериментальной физики" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. В. Лукьяненко ; науч. рук. Н. В. Волков. - Красноярск, 2021. - 158 с. - Библиогр. : 173. -

ГРНТИ

47.33.31

47.09

47.09.35

ББК З844.1я031


Смотреть диссертацию,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Волков, Никита Валентинович \науч. рук.\; Volkov, N. V.; Lukyanenko, A. V.; Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Экземпляры всего: 1
ДС (1)
Свободны: ДС (1)

: специальность 1.3.2 "Приборы и методы экспериментальной физики" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. В. Лукьяненко ; науч. рук. Н. В. Волков ; офиц. опп.: О. Е. Терещенко, Ю. Ю. Логинов. - Красноярск, 2021. - 22 с. - Библиогр. -

Смотреть автореферат,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Волков, Никита Валентинович \науч. рук.\; Volkov, N. V.; Терещенко, Олег Евгеньевич \офиц. опп.\; Логинов, Юрий Юрьевич \офиц. опп.\; Lukyanenko, A. V.; Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения РАН
Свободных экз. нет

/ Р. С. Исхаков, С. В. Столяр [и др.] // Магнитные материалы. Новые технологии: BICMM 2010 = Magnetic materials. New technologies : тез. докл. IV Байкал. междунар. конф. - Иркутск, 2010. - С. 158-159

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Исхаков, Рауф Садыкович; Iskhakov, R. S.; Столяр, Сергей Викторович; Stolyar, S. V.; Яковчук, Виктор Юрьевич; Yakovchuk, V. Yu.; Чижик, М. В.; Байкальская Международная конференция "Магнитные материалы. Новые технологии"(4 ; 2010 ; 21-25 сент. ; п. Листвянка, Иркутская обл.); "Магнитные материалы. Новые технологии", Байкальская международная конференция(4 ; 2010 ; сент. ; 21-25 ; п. Листвянка, Иркутская обл.); "Magnetic materials. New tecnologies", Baikal International Conference(5 ; 2010 ; Sept. 21-25 ; Listvyanka, Irkutsk); Иркутский государственный университет; Восточно-сибирская государственная академия образования

. - Электрон. текстовые дан. / А. С. Тарасов ; науч. рук. Н. В. Волков. - Электрон. текстовые дан. // II Отчетная конференция "Фундаментальные исследования молодых ученых Енисейской Сибири" : сборник материалов. - 2019. - С. 73-74. - Библиогр.: 8 . - ISBN 978-5-6042995-4-8

Материалы конференции

Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского ФИЦ КНЦ Сибирского отделения Российской академии наук

Доп.точки доступа:
Волков, Никита Валентинович \науч. рук.\; Volkov, N. V.; Tarasov, A. S.; "Фундаментальные исследования молодых ученых Енисейской Сибири", отчетная конференция(2 ; 2019 ; 12-13 дек. ; Красноярск); Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"; Сибирский федеральный университетИнститут физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН