Труды сотрудников института физики

[Текст] / V. G. Myagkov [и др.] // V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism. [[b]]EASTMAG – 2013[[/b]] : abstracts. - Vladivostok : FEFU, 2013. - P134 . - ISBN 978-5-7444-3124-2
   Перевод заглавия: Магнитные и структурные свойства пленочных Fe3O4-ZnO нанокомпозитов полученных твердофазным синтезом


Доп.точки доступа:
Myagkov, V. G.; Мягков, Виктор Григорьевич; Tambasov, I. A.; Тамбасов, Игорь Анатольевич; Bayukov, O. A.; Баюков, Олег Артемьевич; Zhigalov, V. S.; Жигалов, Виктор Степанович; Nemtsev, I. V.; Немцев, Иван Васильевич; Bykova, L. E.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Bondarenko, G. N.; Бондаренко Геннадий Васильевич; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; Sept. ; 15-21 ; Vladivostok)

[Рукопись] : дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / И. А. Тамбасов ; науч. рук. В. Г. Мягков ; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, вед. орг.: Ин-т физики им. Л.В. Киренского. - Красноярск, 2014. - 116 с. - Библиогр. -

ГРНТИ

29.19.16

ББК В371.26я031


Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л. В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Мягков, Виктор Григорьевич \науч. рук.\; Myagkov, V. G.; Tambasov, I. A.; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Экземпляры всего: 1
ДС (1)
Свободны: ДС (1)

/ I. A. Tambasov [et al.] // Semicond. Sci. Technol. - 2014. - Vol. 29, Is. 8. - Ст. 82001, DOI 10.1088/0268-1242/29/8/082001. - Cited References: 56. - This work was supported by the Federal Target Program through Contract No 14.513.11.0023; the Russian Foundation for Basic Research, Project No. 14-02-31156. . - ISSN 0268-1242. - ISSN 1361-6641РУБ Engineering, Electrical & Electronic + Materials Science, Multidisciplinary + Physics, Condensed Matter

Аннотация: We have prepared thin indium oxide films by the autowave oxidation reaction. Measurements of temperature dependence of resistivity, Hall carrier concentration and Hall mobility have been conducted in the temperature range 5-272 K. Before ultraviolet (UV) irradiation, the indium oxide film had a semiconductor-like temperature dependence of resistivity. and the ratio of rho (5 K)/rho(272 K) was very limited (similar to 1.2). It was found that after UV irradiation of the In2O3 film, the metal-semiconductor transition (MST) was observed at similar to 100 K. To show that this MST is reversible and repeatable, two full cycles of 'absence of MST-presence of MST' have been done using UV irradiation (photoreduction) as the induced mechanism and exposure to an oxygen environment as the reversible mechanism, respectively. MST in transparent conducting oxide (TCO) is possibly associated with the undoped structure of metal oxide, which has some disorder of oxygen vacancies. It was suggested that reversible UV induced metal-semiconductor transition would occur in other TCOs.

Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку

Держатели документа:
Russian Acad Sci, Siberian Branch, LV Kirensky Phys Inst, Krasnoyarsk 660036, Russia
Reshetnev Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia
Russian Acad Sci, Siberian Branch, Krasnoyarsk Sci Ctr, Krasnoyarsk 660036, Russia

Доп.точки доступа:
Tambasov, I. A.; Тамбасов, Игорь Анатольевич; Myagkov, V. G.; Мягков, Виктор Григорьевич; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Ivanenko, A. A.; Иваненко, Александр Анатольевич; Bykova, L. E.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Nemtsev, I. V.; Немцев, Иван Васильевич; Eremin, E. V.; Еремин, Евгений Владимирович; Yozhikova, E. V.; Federal Target Program [14.513.11.0023]; Russian Foundation for Basic Research [14-02-31156]

/ L. E. Bykova [et al.] // Solid State Phenom. : Selected, peer reviewed papers. - 2014. - Vol. 215: Trends in Magnetism: Nanomagnetism (EASTMAG-2013). - P. 158-162, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.215.158. - Cited References: 18 . - ISSN 978-30383. - ISSN 1662-9779
Аннотация: A simple method for obtaining ZnO-FeO3O4 nanocomposites using solid-state reaction Zn + 3Fe2O3 > ZnO + 2FeO3O4 is suggested. An analysis of the characteristics and properties of ZnOFeO3O4 nanocomposites was carried out by a combination of structural and physical methods (X-ray diffraction, scanning electron microscopy, photoelectron spectroscopy, Mossbauer measurements, X-ray fluorescent analysis, and magnetic measurements). The magnetization of the hybrid ZnOFeO3O4 films is equal to 440 emu/cm3. The resulting FeO3O4 nanoparticles are surrounded by a ZnO shell and have sizes ranging between 20 and 40 nm. © (2014) Trans Tech Publications, Switzerland.


Доп.точки доступа:
Ovchinnikov, S. G. \ed.\; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Samardak, A. \ed.\; Bykova, L. E.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Myagkov, V. G.; Мягков, Виктор Григорьевич; Tambasov, I. A.; Тамбасов, Игорь Анатольевич; Bayukov, O. A.; Баюков, Олег Артемьевич; Zhigalov, V. S.; Жигалов, Виктор Степанович; Mikhlin, Y. L.; Михлин, Юрий Леонидович; Nemtsev, I. V.; Немцев, Иван Васильевич; Bondarenko, G. N.; Бондаренко, Галина Николаевна; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; sept. ; 15-21 ; Vladivostok)

/ Л. Е. Быкова [и др.] // Физ. тверд. тела. - 2015. - Т. 57, Вып. 2. - С. 366-370. - Библиогр.: 27
Аннотация: Представлены результаты исследования структурных и магнитных свойств нанокомпозитов ZnO−Fe3O4, полученных с помощью твердофазной реакции Zn+3Fe2O3 → ZnO+2Fe3O4 путем отжига пленок Zn/α-Fe2O3 при температуре 450˚C в вакууме. Синтезированы ферримагнитные нанокластеры Fe3O4 со средним размером зерна 40 nm и намагниченностью ~ 430 emu/cm3 при комнатной температуре, окруженные слоем ZnO с большой площадью контакта. Приведены магнитные характеристики нанокомпозита ZnO−Fe3O4 в области температур 10−300K.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Институт химии и химической технологии СО РАН
Сибирский федеральный университет

Доп.точки доступа:
Быкова, Людмила Евгеньевна; Bykova, L. E.; Мягков, Виктор Григорьевич; Myagkov, V. G.; Тамбасов, Игорь Анатольевич; Tambasov, I. A.; Баюков, Олег Артемьевич; Bayukov, O. A.; Жигалов, Виктор Степанович; Zhigalov, V. S.; Полякова, Клавдия Павловна; Polyakova, K. P.; Бондаренко, Галина Николаевна; Bondarenko, G. N.; Немцев, Иван Васильевич; Nemtsev, I. V.; Поляков, Виктор Васильевич; Polyakov, V. V.; Патрин, Геннадий Семёнович; Patrin, G. S.; Великанов, Дмитрий Анатольевич; Velikanov, D. A.

/ L. E. Bykova [et al.] // Phys. Solid State. - 2015. - Vol. 57, Is. 2. - P. 386-390, DOI 10.1134/S1063783415020079. - Cited References:27 . - ISSN 1063. - ISSN 1090-6460. - РУБ Physics, Condensed Matter

Аннотация: The structural and magnetic properties of ZnO-Fe3O4 nanocomposites produced by the solid-state reaction Zn + 3Fe2O3 → ZnO + 2Fe3O4 upon annealing of Zn/α-Fe2O3 films under vacuum at a temperature of 450°C have been studied. Ferrimagnetic Fe3O4 clusters with an average grain size of 40 nm and a magnetization of ∼430 emu/cm3 at room temperature, which are surrounded by a ZnO layer with a large contact surface, have been synthesized. The magnetic characteristics of the ZnO-Fe3O4 nanocomposite in the temperature range of 10–300 K have been presented.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку

Держатели документа:
Russian Acad Sci, Kirensky Inst Phys, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia.
Russian Acad Sci, Inst Chem & Chem Technol, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia.
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia.

Доп.точки доступа:
Bykova, L. E.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Myagkov, V. G.; Мягков, Виктор Григорьевич; Tambasov, I. A.; Тамбасов, Игорь Анатольевич; Bayukov, O. A.; Баюков, Олег Артемьевич; Zhigalov, V. S.; Жигалов, Виктор Степанович; Polyakova, K. P.; Полякова, Клавдия Павловна; Bondarenko, G. N.; Бондаренко, Галина Николаевна; Nemtsev, I. V.; Немцев, Иван Васильевич; Polyakov, V. V.; Поляков, Виктор Васильевич; Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Velikanov, D. A.; Великанов, Дмитрий Анатольевич

/ G. M. Zeer [et al.] // Glass Ceram. - 2015. - Vol. 72, Is. 7-8. - P. 242-245, DOI 10.1007/s10717-015-9765-8. - Cited References:15. - This work was supported in part by the Russian Foundation for Fundamental Research (Grant No. 13-08-01003-a) and the Ministry of Education of the Russian Federation (as part of scientific research tasked by the state to the Siberian Federal University for 2014). . - ISSN 0361-7610. - ISSN 1573-8515РУБ Materials Science, Ceramics

Аннотация: Nanopowders of zinc and titanium oxides were used to obtain samples of Zn2TiO4-ZnO ceramic. Phase formation as well as the microstructure and elemental composition of the phases formed were studied by means of electron microscopy. The density and porosity were calculated, and the sizes of grains and pores in the ceramic were determined. The temperature at the zinc titanate forms was determined. It was shown that it corresponds to the sintering temperature of electrocontact materials with this composition. It is proposed that zinc titanate and oxide be used as arc-suppressing and dispersion-hardening additional additives in copper-based electrocontact materials.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку

Держатели документа:
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk, Russia.
Russian Acad Sci, Siberian Branch, LV Kirensky Phys Inst, Krasnoyarsk, Russia.
MF Reshetnev Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk, Russia.

Доп.точки доступа:
Zeer, G. M.; Zelenkova, E. G.; Nikolaeva, N. S.; Zharkov, S. M.; Жарков, Сергей Михайлович; Pochekutov, S. I.; Ledyaeva, O. N.; Sartpaeva, A. B.; Mikheev, A. A.; Russian Foundation for Fundamental Research [13-08-01003-a]; Ministry of Education of the Russian Federation

/ Г. М. Зеер [и др.] // Стекло и керамика. - 2015. - № 7. - С. 16-19. - Библиогр.: 15 . - ISSN 0131-9582
Аннотация: С использованием нанопорошков оксидов цинка и титана получены образцы керамики Zn 2TiO 4-ZnO. Методами электронной микроскопии изучено фазообразование, а также микроструктура и элементный состав формирующихся фаз. Рассчитаны плотность и пористость, оценены размеры зерен и пор керамики. Определена температура, при которой формируется титанат цинка. Показано, что она соответствует температуре спекания электроконтактных материалов данного состава. Титанат и оксид цинка предполагается использовать как дугогасящую и дисперсноупрочняющую добавку в электроконтактных материалах на основе меди.

РИНЦ

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Зеер, Г. М.; Зеленкова, Е. Г.; Николаева, Н. С.; Жарков, Сергей Михайлович; Zharkov, S. M.; Почекутов, С. И.; Ледяева, О. Н.; Сартпаева, А. Б.; Михеев, А. А.

/ I. A. Tambasov [et al.] // Physica E. - 2016. - Vol. 84. - P. 162-167, DOI 10.1016/j.physe.2016.06.005. - Cited References:70. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research (Grants # 16-32-00302 MOJI_a, # 15-02-00948-A, # 16-03-00069-A), by the Council for Grants of the President of the Russian Federation (SP-317.2015.1), and by the Program of Foundation for Promotion of Small Enterprises in Science and Technology (No. 6662 Gamma Y2015, 9607 Gamma Y/2015) ("UMNIK" Program). Electron microscopic studies were performed on the equipment of CCU KSC SB RAS. . - ISSN 1386-9477. - ISSN 1873-1759
   Перевод заглавия: Слабая локализация и размерные эффекты в тонких пленках In2O3 приготовленные автоволновым окислениемРУБ Nanoscience & Nanotechnology + Physics, Condensed Matter

Аннотация: The negative magnetoresistance of thin In2O3 films, obtained by an autowave oxidation reaction, was detected within a temperature range of 4.2-80 K. The magnetoresistance was -1.35% at a temperature of 4.2 K and an external magnetic field of 1 T. A weak localization theory was used to explain the negative magnetoresistance and to determine the phase-coherence length in a temperature range of 4.2-80 K. The phase-coherence length was found to oscillate as the temperatures increased to around 30 K. From the maximum and minimum values of the oscillation of the phase-coherence length, it was suggested that the In2O3 film has two structure characteristic parameters. Transmission electron microscopy showed the structure of the thin In2O3 film to have structural features of a crystal phase- amorphous phase. It was found that the crystalline phase characteristic size was consistent with the maximum phase-coherence length and the amorphous phase characteristic size was consistent with the minimum phase-coherence length. It has been suggested that the temperature measurements of the magnetoresistance and the theory of weak localization can be used to evaluate the structural features of nanocomposite or nanostructured thin films. (C) 2016 Elsevier B.V. All rights reserved.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку

Держатели документа:
Russian Acad Sci, Siberian Branch, Kirensky Inst Phys, Akademgorodok 50, Krasnoyarsk 660036, Russia.
Siberian Fed Univ, Svobodny Prospect 79, Krasnoyarsk 660041, Russia.
Reshetnev Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk Worker 31, Krasnoyarsk 660014, Russia.

Доп.точки доступа:
Tambasov, I. A.; Тамбасов, Игорь Анатольевич; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Myagkov, V. G.; Мягков, Виктор Григорьевич; Bykova, L. E.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Zhigalov, V. S.; Жигалов, Виктор Степанович; Matsynin, A. A.; Мацынин, Алексей Александрович; Tambasova, E. V.; Russian Foundation for Basic Research [16-32-00302 MOJI_a, 15-02-00948-A, 16-03-00069-A]; Council for Grants of the President of the Russian Federation [SP-317.2015.1]; Program of Foundation for Promotion of Small Enterprises in Science and Technology ("UMNIK" Program) [6662GammaY2015, 9607GammaY/2015]

/ A. S. Fedorov [et al.] // J. Magn. Magn. Mater. - 2017. - Vol. 440. - P. 5-9, DOI 10.1016/j.jmmm.2016.12.130. - Cited References: 34. - We acknowledge the Siberian Supercomputer Center (SSCC) of SB RAS, Novosibirsk; the Institute of Computational Modeling of SB RAS, Krasnoyarsk; the Joint Supercomputer Center of RAS, Moscow and the ICC of Novosibirsk State University for providing the computing resources. This work was supported by the president of Russia Scientific School program NSh 7559.2016.2 and by the government contract of the Ministry of Education and Science of the Russian Federation to Siberian Federal University (Grant No. 16.1500.2014/K) and RFBR 16–32-60003 mol_a_dk. . - ISSN 0304-8853
Аннотация: Theoretical and experimental investigations of the ferromagnetism induced by intrinsic defects inside wurtzite zinc oxide structures are performed using magnetic field-dependent circular dichroism (MCD-H), direct magnetization measurement (M-H) by superconducting quantum interference device (SQUID) as well as by generalized gradient density functional theory (GGA-DFT). To investigate localized magnetic moments of bulk material intrinsic defects - vacancies, interstitial atoms and Frenkel defects, various-size periodic supercells are calculated. It is shown that oxygen interstitial atoms (Oi) or zinc vacancies (Znv) generate magnetic moments of 1,98 и 1,26 µB respectively, however, the magnitudes are significantly reduced when the distance between defects increases. At the same time, the magnetic moments of oxygen Frenkel defects are large (~1.5–1.8 µB) and do not depend on the distance between the defects. It is shown that the origin of the induced ferromagnetism in bulk ZnO is the extra spin density on the oxygen atoms nearest to the defect. Also dependence of the magnetization of ZnO (101̅0)and(0001) thin films on the positions of Oi and Znv in subsurface layers were investigated and it is shown that the magnetic moments of both defects are significantly different from the values inside bulk material. In order to check theoretical results regarding the defect induced ferromagnetism in ZnO, two thin films doped by carbon (C) and having Zn interstitials and oxygen vacancies were prepared and annealed in vacuum and air, respectively. According to the MCD-H and M-H measurements, the film, which was annealed in air, exhibits a ferromagnetic behavior, while the other does not. One can assume annealing of ZnO in vacuum should create oxygen vacancies or Zn interstitial atoms. At that annealing of the second C:ZnO film in air leads to essential magnetization, probably by annihilation of oxygen vacancies, formation of interstitial oxygen atoms or zinc vacancies. Thus, our experimental results confirm our theoretical conclusions that ZnO magnetization origin are Oi or Znv defects.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку


Доп.точки доступа:
Fedorov, A. S.; Федоров, Александр Семенович; Visotin, M. A.; Высотин Максим Александрович; Kholtobina, A. S.; Kuzubov, A. A.; Mikhaleva, N. S.; Hsu, H. S.; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН

/ Д. А. Петров [и др.] // Новое в магнетизме и магнитных материалах : сборник трудов XXIII международной конференции / прогр. ком.: Р. С. Исхаков, С. Г. Овчинников [и др.]. - 2018. - С. 705-707. - Библиогр.: 5

Материалы конференции,
Материалы конференции,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Исхаков, Рауф Садыкович \прогр. ком.\; Iskhakov, R. S.; Овчинников, Сергей Геннадьевич \прогр. ком.\; Ovchinnikov, S. G.; Петров, Дмитрий Анатольевич; Petrov, D. A.; Самошкина, Юлия Эрнестовна; Samoshkina, Yu. E.; Жарков, Сергей Михайлович; Zharkov, S. M.; Chou, H.; "Новое в магнетизме и магнитных материалах", международная конференция(23 ; 2018 ; 30 июня - 5 июля ; Москва); Научный совет по физике конденсированных сред РАН; МИРЭА - Российский технологический университет; Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова; Магнитное общество России; Образовательная компания "Альбион"

: автореф. дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / И. А. Тамбасов ; науч. рук. В. Г. Мягков ; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, вед. орг.: Ин-т физики им. Л.В. Киренского. - Красноярск, 2014. - 22 с. - Библиогр. -

29.19.16

Смотреть автореферат

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Мягков, Виктор Григорьевич \науч. рук.\; Myagkov, V. G.; Tambasov, I. A.; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАНИнститут химии и химической технологии Сибирского отделения РАН
Свободных экз. нет

/ S. Baker [et al.] // J. Microbiol. Methods. - 2019. - Vol. 159. - P. 42-50, DOI 10.1016/j.mimet.2019.02.009. - Cited References: 59 . - ISSN 0167-7012. - ISSN 1872-8359РУБ Biochemical Research Methods + Microbiology

Аннотация: The present study describes the synthesis of silver and zinc oxide nanobactericides from the phytogenic source Bupleurum aureum The synthesized nanobactericides were characterized and evaluated for bio-functionalization onto bacterial cellulose membrane which was synthesized by Komagataeibactencylinus B-12068 culture strain. The synthesis of nanobacterides were initially confirmed using UV-Visible spectroscopy which indicated localized surface resonance (LSPR) peaks at 415 nm for silver nanobactericides and 280 nm for zinc nanobactericides. The nature of the capping agent for synthesized nanobactericides was predicted using FTIR which confirmed the presence of functional moieties. XRD analysis revealed their crystalline nature while morphological characteristics were studied using TEM which confirmed the polydispersity of nanobactericides with the average size in the range of 20-25 nm. The nanobactericides were tested for their antimicrobial activity against seven multi-drug resistant pathogens which were clinically isolated from patients suffering from a myriad of microbial infections. The tested pathogens had antimicrobial resistance to ten different antibiotics and have been reported to be the major cause of nosocomial infections. The nanobactericides displayed significant activity against the test pathogens. Silver nanobactericides showed the highest activity against Escherichia coli strain 55 with a 24 mm zone of inhibition while zinc oxide nanobactericides displayed the highest activity against methicillinresistant Staphylococcus aureus (MRSA) with a 20 mm inhibition zone. The bio- functionalized cellulose films (BCF) were characterized using SEM along with physicochemical analysis. The BCF's were evaluated for anti-bacterial activity against test pathogens which resulted in marked antimicrobial potential against multi-drug resistant bacteria and therefore has the potential to be utilized as an efficient alternative to counter drug resistant pathogens.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку

Держатели документа:
Siberian Fed Univ, 79 Svobodny Pr, Krasnoyarsk 660041, Russia.
Siberian Fed Univ, Sch Fundamental Biol & Biotechnol, Krasnoyarsk, Russia.
Krasnoyasrk State Med Univ, Dept Microbiol, Krasnoyarsk Partizana Zheleznyakast 1, Krasnoyarsk 660022, Russia.
RAS, KSC SB, Fed Res Ctr, Kirensky Inst Phys, Akademgorodok 50,Bld 38, Krasnoyarsk 660036, Russia.
Siberian Fed Univ, Sch Petr & Nat Gas Engn, Krasnoyarsk, Russia.

Доп.точки доступа:
Baker, Syed; Prudnikova, Svetlana V.; Shumilova, Anna A.; Perianova, Olga V.; Zharkov, S. M.; Жарков, Сергей Михайлович; Kuzmin, A.

/ I. S. Edelman [et al.] // J. Magn. Magn. Mater. - 2019. - Vol. 489. - Ст. 165461, DOI 10.1016/j.jmmm.2019.165461. - Cited References: 39. - The work is supported by the Russian Academy of Sciences in the frames of Project No 0356-2017-0030 and by the Ministry of Science and Technology of Taiwan MOST 106-2112-M-110-001. . - ISSN 0304-8853. - ISSN 1873-4766
   Перевод заглавия: Колоссальное влияние водорода на структуру и физические свойства пленок ZnO и ZnO допированных кобальтом, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления в атмосфере аргона и водородаРУБ Materials Science, Multidisciplinary + Physics, Condensed Matter

Аннотация: ZnO and Co-doped ZnO films were synthesized by the radio frequency magnetron sputtering in mixed atmosphere of Ar + 20% O2 and Ar + 20–50% H2. The morphology, chemical composition, crystal structure, optical transmission, electrical resistance, and magnetic circular dichroism of the films were investigated. It was established that the films thickness decreased several times when Ar was partly replaced by hydrogen in the sputtering chamber. At the same time, for the Co-doped ZnO films, the increase in the relative Co content with the increasing hydrogen concentration was observed. These phenomena are explained by the formation of gaseous ZnH2 because of the hydrogen reaction with the growing films under the conditions of the high substrate temperature (450 °C) and, respectively, the decrease in the Zn component in the films. The hydrogenated Co-doped ZnO films exhibit an increase in electric conductivity and ferromagnetic behavior at room temperature. The magnetic nature of the films is explained by a combination of the intrinsic ferromagnetism (due to the formation of the Co-H-Co complex) with the inclusion of metallic Co clusters.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку

Держатели документа:
Fed Res Ctr KSC SB RAS, Kirensky Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia.
Natl Sun Yat Sen Univ, Dept Phys, Kaohsiung 80424, Taiwan.
Natl Univ Kaohsiung, Dept Appl Phys, Kaohsiung 81148, Taiwan.
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia.
ESRF, CS 40220, F-38043 Grenoble, France.

Доп.точки доступа:
Edelman, I. S.; Эдельман, Ирина Самсоновна; Chou, Hsiung; Samoshkina, Yu. E.; Самошкина, Юлия Эрнестовна; Petrov, D. A.; Петров, Дмитрий Анатольевич; Lin, Hsien C.; Chan, Wen L.; Sun, Shih-Jye; Zharkov, S. M.; Жарков, Сергей Михайлович; Bondarenko, G. V.; Бондаренко, Геннадий Васильевич; Platunov, M. S.; Платунов, Михаил Сергеевич; Rogalev, A.; Russian Academy of Sciences [0356-2017-0030]; Ministry of Science and Technology of Taiwan [MOST 106-2112-M-110-001]

/ I. A. Tambasov [et al.] // Phys. Solid State. - 2019. - Vol. 61, Is. 10. - P. 1904-1909, DOI 10.1134/S1063783419100354. - Cited References: 33. - This study was supported by the Russian Science Foundation, project no. 17-72-10079. . - ISSN 1063-7834
Аннотация: Aluminum-doped zinc oxide thin films have been grown by atomic layer deposition at a temperature of 200°C. Using X-ray diffraction, it has been established that the ZnO:Al thin films exhibits the reflections from the (100), (002), (110), and (201) ZnO hexagonal phase planes. The (101) and (102) planes have also been detected by electron diffraction. The ZnO:Al thin films grow smooth with a root-mean-square roughness of Rq = 0.33 nm and characteristic nanocrystallite sizes of ~70 and ~15 nm without additional aluminum or aluminum oxide phases. The transmission at a wavelength of 550 nm with regard to the substrate has been found to be 96%. The refractive indices and absorption coefficients of the ZnO:Al thin films in the wavelength range of 250–900 nm have been determined. The maximum refractive indices and absorption coefficients have been found to be 2.09 at a wavelength of 335 nm and 0.39 at a wavelength of 295 nm, respectively. The optical band gap is 3.56 eV. The resistivity, Seebeck coefficient, and power factor of the ZnO:Al thin films are ∼1.02 × 10–3 Ω cm, –60 μV/K, and 340 μW m–1 K–2 at room temperature, respectively. The maximum power factor attains 620 μW m–1 K–2 at a temperature of 200°C.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку

Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Krasnoyarsk Scientific Center, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation
Krasnoyarsk Scientific Center, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation
Institute of Chemistry and Chemical Technology, Krasnoyarsk Scientific Center, Siberian Branch,Russian Academy of Sciences, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation
Siberian State University of Science and Technology, Krasnoyarsk, 660014, Russian Federation
Siberian Federal University, Krasnoyarsk, 660041, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Tambasov, I. A.; Тамбасов, Игорь Анатольевич; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Voronin, A. S.; Evsevskaya, N. P.; Евсевская, Н. П.; Masyugin, A. N.; Масюгин, Альберт Николаевич; Aleksandrovskii, A. S.; Александровский, Александр Сергеевич; Smolyarova, T. E.; Nemtsev, I. V.; Немцев, Иван Васильевич; Lyashchenko, S. A.; Лященко, Сергей Александрович; Bondarenko, G. N.; Tambasova, E. V.

/ И. А. Тамбасов [и др.] // Физ. тверд. тела. - 2019. - Т. 61, Вып. 10. - С. 1941-1947, DOI 10.21883/FTT.2019.10.48274.455. - Библиогр.: 33. - Исследование выполнено за счет гранта Российского научного фонда (проект No 17-72-10079). . - ISSN 0367-3294
Аннотация: Тонкие пленки оксида цинка легированного алюминием были выращены с помощью атомно-слоевого осаждения при температуре 200°С. С помощью рентгеновской дифракции было обнаружено, что тонкие ZnO:Al пленки имеют пики от плоскостей (100), (002), (110) и (201) гексагональной фазы ZnO. Плоскости (101) и (102) были обнаружены также с помощью электронной дифракции. Тонкие ZnO:Al пленки растут гладкими со среднеквадратичной шероховатостью Rq равной 0.33 nm и характерными размерами нанокристаллита ~70 и ~15 nm без дополнительных фаз связанных с алюминием или оксидами алюминия. Пропускание на длине волны 550 nm с учетом подложки составляло ~96%. Были найдены коэффициенты преломления и поглощения тонких ZnO:Al пленок в диапазоне длин волн 250-900 nm. Максимальные значения для коэффициентов преломления и поглощения были 2.09 на длине волны 335 nm и 0.39 на длине волны 295 nm соответственно. Оптическая ширина запрещeнной зоны составляла 3.56 eV. Удельное сопротивление, коэффициент Зеебека и фактор мощности тонких ZnO:Al пленок составляли ~1.02·10-3 Ohm·cm, ~-60μV/K и 340 μW·m-1·K-2 при комнатной температуре соответственно. Максимальный фактор мощности достигал 620 μW·m-1·K-2 при температуре 200°C.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Красноярский научный центр, ФИЦ КНЦ СО РАН, Красноярск, Россия
Институт химии и химической технологии СО РАН, ФИЦ КНЦ СО РАН, Красноярск, Россия
Сибирский государственный университет науки и технологий им. М.Ф. Решетнева, Красноярск, Россия
Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия

Доп.точки доступа:
Тамбасов, Игорь Анатольевич; Tambasov, I. A.; Волочаев, Михаил Николаевич; Volochaev, M. N.; Воронин, А. С.; Евсевская, Н. П.; Evsevskaya N. P.; Масюгин, Альберт Николаевич; Александровский, Александр Сергеевич; Aleksandrovskii, A. S.; Смолярова, T. E.; Немцев, Иван Васильевич; Nemtsev, I. V.; Лященко, Сергей Александрович; Lyashchenko, S. A.; Бондаренко, Г. Н.; Тамбасова, Е. В.

/ M. N. Volochaev [et al.] // Semiconductors. - 2019. - Vol. 53, Is. 11. - P. 1465-1471, DOI 10.1134/S106378261911023X. - Cited References: 16. - This study was carried out in the framework of the state assignment of the Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation, project no. 3.1867.2017/4.6. . - ISSN 1063-7826. - ISSN 1090-6479РУБ Physics, Condensed Matter

Аннотация: (ZnO/SiO2)25 thin-film multilayers consisting of nanocrystalline ZnO layers and amorphous SiO2 spacers with a bilayer thickness from 6 to 10 nm are synthesized in a single deposition process. An analysis of the temperature dependences of the electrical resistivity of (ZnO/SiO2)25 thin films shows that, in the temperature range of 77–300 K, the dominant conductivity mechanism successively changes from hopping conductivity with a variable hopping length in a narrow energy band near the Fermi level at temperatures of 77–250 K to thermally activated impurity conductivity around room temperature. Using the obtained temperature dependences of the electrical resistivity, the effective density of localized states at the Fermi level and the activation energy of impurity levels are estimated. The effect of heat treatment on the structure and electrical properties of the synthesized films is examined. It is established that in (ZnO/SiO2)25 thin-film systems at temperatures of 580–600°C, the ZnO and SiO2 layers chemically interact, which is accompanied by destruction of the multilayer structure and formation of the Zn2SiO4 compound with a tetragonal structure (sp. gr. I-42d).

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку

Держатели документа:
Russian Acad Sci, Krasnoyarsk Sci Ctr, Kirensky Inst Phys, Siberian Branch, Krasnoyarsk, Russia.
Voronezh State Tech Univ, Voronezh 394026, Russia.

Доп.точки доступа:
Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Kalinin, Yu E.; Kashirin, M. A.; Makagonov, V. A.; Pankov, S. Yu; Bassarab, V. V.; Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation [3.1867.2017/4.6]

/ М. Н. Волочаев [и др.] // Физ. и техника полупроводников. - 2019. - Т. 53, Вып. 11. - С. 1505-1511, DOI 10.21883/FTP.2019.11.48445.9185. - Библиогр.: 16. - Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки РФ в рамках проектной части государственного задания (проект No 3.1867.2017/4.6). . - ISSN 0015-3222
Аннотация: В едином процессе напыления были синтезированы многослойные тонкопленочные образцы (ZnO/SiO2)25, состоящие из слоев нанокристаллического ZnO и прослоек аморфного SiO2, с толщиной бислоя от 6 до 10 нм. Из анализа температурных зависимостей удельного электрического сопротивления тонких пленок (ZnO/SiO2)25 было установлено, что в диапазоне температур 77-300 K наблюдается последовательная смена доминирующего механизма проводимости от прыжкового с переменной длиной прыжка в узкой полосе энергий вблизи уровня Ферми при температурах 77-250 K к термоактивированной примесной проводимости при температурах, близких к комнатной. По результатам исследования температурных зависимостей электрического сопротивления сделаны оценки эффективной плотности локализованных состояний на уровне Ферми и значений энергии активации примесных уровней. Исследовано влияние термической обработки на структуру и электрические свойства синтезированных пленок. Было обнаружено, что в тонкопленочных системах (ZnO/SiO2)25 при температурах 580-600oC происходит химическое взаимодействие между слоями ZnO и SiO2, сопровождающееся разрушением многослойной структуры и появлением химического соединения Zn2SiO4 с тетрагональной структурой (пространственная группа I-42d). Ключевые слова: тонкие пленки, многослойные структуры, оксидные полупроводники, прыжковая проводимость, термическая стабильность.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия

Доп.точки доступа:
Волочаев, Михаил Николаевич; Volochaev, M. N.; Калинин, Ю. Е.; Каширин, М. А.; Макагонов, В. А.; Панков, С. Ю.; Бассараб, В. В.

/ M. N. Volochaev, A. B. Granovsky, O. V. Zhilova [et al.] // Superlattices Microstruct. - 2020. - Vol. 140. - Ст. 106449, DOI 10.1016/j.spmi.2020.106449. - Cited References: 36. - The work was supported by the Ministry of Education and Science of Russia (project No. 3.1867.2017/4.6 ) and the RFBR (project No. 19-07-00471). The work was partially funded by the Academy of Finland . - ISSN 0749-6036
Аннотация: ZnO- and C-based heterostructures were fabricated by the layer-by-layer deposition technique using the ion-beam sputtering process. Structure, electrical and magnetic properties of fabricated heterostructures are discussed. The two-phase (ZnO and C) films are evolved into a multilayer structure, consisting of amorphous carbon and crystalline ZnO layers when the bilayer thickness increases. When carbon is added to ZnO, its electrical resistivity reduces. The conduction mechanism changes from the variable-range hopping in a narrow energy band to the nearest neighbors hopping in ZnO–C films with a thickness of h ˂ 150 nm. The temperature dependence of conductivity changes from the Arrhenius-like to logarithmic law, indicating that the strong charge localization turns into a weak one when the film thickness is about 150 nm. The negative magnetoresistance of up to 1% was detected at 77 K. The film ferromagnetism at the temperature of 10 K was not found.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку

Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Krasnoyarsk660036, Russian Federation
Lomonosov Moscow State University, Moscow119991, Russian Federation
Voronezh State Technical University, Voronezh394026, Russian Federation
National Research Centre ‘‘Kurchatov Institute”, Moscow123182, Russian Federation
Voronezh State University, Voronezh394003, Russian Federation
Lappeenranta-Lahti University of Technology, Lappeenranta FI53851, Finland

Доп.точки доступа:
Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Granovsky, A. B.; Zhilova, O. V.; Kalinin, Y. E.; Ryl'kov, V. V.; Sumets, M. P.; Makagonov, V. A.; Pankov, S. Y.; Sitnikov, A. V.; Fadeev, E.; Lahderanta, E.; Foshin, V.

/ I. V. Babkina, M. N. Volochaev, O. V. Zhilova [et al.] // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. - 2020. - Vol. 84, Is. 9. - P. 1100-1103, DOI 10.3103/S1062873820090051. - Cited References: 11. - This work was supported by the RF Ministry of Science and Higher Education as part of State Task no. FZGM-2020-0007 . - ISSN 1062-8738
Аннотация: An investigation is performed of the thermal stability and phase transformations of thin-film heterogeneous [(Co40Fe40B20)34(SiO2)66/ZnO/In2O3]85 multilayers obtained via ion beam sputtering. The system contains 85 layers, each consisting of a (Co40Fe40B20)34(SiO2)66 composite layer and ZnO and In2O3 semiconductor spacers. The sample structure in the initial state and after heat treatment is studied by means of X-ray diffraction. It is shown that the samples are stable at temperatures of up to 500°С. Zn2SiO4, InBO3, CoFe, and In2O3 phases form during annealing.

Смотреть статью,
Scopus,
Для получение полного текста обратитесь в библиотеку

Держатели документа:
Voronezh State Technical University, Voronezh, 394026, Russian Federation
Kirensky Institute of Physics, Krasnoyarsk Scientific Center, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Babkina, I. V.; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Zhilova, O. V.; Kalinin, Y. E.; Kashirin, M. A.; Sitnikov, A. V.; Chehonadskih, M. V.; Yanchenko, L. I.