Содержание:
Электронный спектр кристаллов Hg[[d]]1-x[[/d]]Cd[[d]]x[[/d]]Te
Влияние многоэлектронных эффектов на электронный спектр бесщелевых и узкощелевых полупроводников
Концентрация собственных носителей заряда в бесщелевых проводниках
Флуктуационная модель бесщелевого полупроводника
Примеси и собственные дефекты в халькогенидах ртути
Энергия основного состояния примесей в бесщелевом полупроводнике
Уравнение электронейтральности для бесщелевого полупроводника, содержащего примеси
Переход Мотта в бесщелевых и узкощелевых полупроводниках
Вымораживание электронов на акцепторы в бесщелевых полупроводниках
Зависимость коэффициента Холла от магнитного поля и температуры
Низкотемпературные особенности проводимости в бесщелевых полупроводниках p-типа
ГРНТИ |
Рубрики:
Полупроводники бесщелевые
Полупроводники бесщелевые
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Харус, Герман Иосифович; Шелушинина, Нина Геннадьевна; Академия наук СССР; Уральский научный центр АН СССР
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)