: [сб. в 2 ч.] / Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т неорган. химии. - Новосибирск : Наука, Сиб. отд-ние, 1977. - 2800 экз. / отв. ред. д-р хим. наук Ф. А. Кузнецов. - 1977. - 314 с. : рис., фот. - Библиогр. в конце ст. - Б. ц.
Содержание: Закономерности роста и распределения примесей при кристаллизации из газовой фазы . -
С .6-115
Маслов, В. Н. Полупроводниковые периодические структуры, их применение и методы получения / В. Н. Маслов. -
С .6-17
Нишизава, ДЖ. Механизм роста кристаллов в системе SiCl4-H2 / ДЖ. Нишизава, У. Като, М. Шимбо. -
С .17-21
Биленко, Д. И. Изучение в ходе процесса макрокинетики локального травления кремния гексафторидом серы / Д. И. Биленко [и др.]. -
С .21-27
Другие авторы: Галишникова Ю. Н., Лопатина Л. Б., Смирнов А. И., Тучкевич В. В., Явич Б. С.
Буттер, Е. Некоторые особенности синтеза монокристаллических слоев нитрида галлия / Е. Буттер. -
С .27-29
Новоселова, А. В. P-T-X фазовые диаграммы и механизм роста монокристаллов соединений группы IV-VI из пара / А. В. Новоселова [и др.]. -
С .30-34
Другие авторы: Зломанов В. П., Масякин Е. В., Тананаева О. И.
Кузнецов, Ф. А. О возможности безводородного метода получения пленок нитрида кремния / Ф. А. Кузнецов [и др.]. -
С .34-41
Другие авторы: Буждан Я. М., Белый В. И., Смирнова Т. П., Кошечкова А. А., Кравченко В. С.
Румянцев, Ю. М. Исследование переноса и кристаллизации Ga1-xInxAs в газотранспортной системе Ga-In-As-I-H / Ю. М. Румянцев [и др.]. -
С .41-45
Другие авторы: Демин В. М., Коковин Г. А., Федорова Т. В.
Александрова, Галина Алексеевна. Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида индия в открытой хлоридной системе / Г. А. Александрова [и др.]. -
С .45-50
Другие авторы: Дорская Е. Н., Лымарь Г. Ф., Марчуков Л. В., Шубин А. Е.
Радауцан, С. И. Выращивание монокристаллов ZnTe, легированных изоэлектронными примесями второй группы / С. И. Радауцан, А. Е. Цуркан, В. И. Верлан. -
С .50-54
Радауцан, С. И. Особенности выращивания эпитаксиальных слоев ZnTe на кристаллах цинкита / С. И. Радауцан [и др.]. -
С .54-58
Другие авторы: Цуркан А. Е., Пасько П. Г., Кичерман Л. В.
Скворцов, И. М. О роли подготовки поверхности подложек при низкотемпературной эпитаксии кремния / И. М. Скворцов, Б. В. Орион. -
С .58-62
Опперман, Г. Влияние отклонения от стехиометрии и концентрации легирующей примеси на переход полупроводник-металл в двуокиси ванадия / Г. Опперман. -
С .62-65
Леонов, В. П. Теоретическое исследование возникновения неоднородностей толщины слоев при осаждении из газовой фазы / В. П. Леонов, В. Г. Цепилевич, Ф. А. Кузнецов. -
С .66-69
Маслов, В. Н. Эпитаксиальный рост и свойства варизонных твердых растворов GaAs-GaAs0,64 P0,36 / В. Н. Маслов [и др.]. -
С .69-74
Другие авторы: Лупачева А. Н., Коробов О. Е., Ухорская Т. А., Юрова Е. С.
Дьяконов, Л. И. Исследование переходных процессов при выращивании многослойных структур арсенида галлия / Л. И. Дьяконов [и др.]. -
С .74-79
Другие авторы: Деменков Н. М., Кривко Л. А., Гуляева А. С., Руда Б. И.
Жиляев, Ю. В. Особенности эпитаксиального выращивания твердых растворов Gax In1-x P методом химических транспортных реакций / Ю. В. Жиляев [и др.]. -
С .79-85
Другие авторы: Конников С. Г., Румянцев В. Д., Улин В. П.
Грейсух, М. Р. Влияние облучения на захват примеси при кристаллизации полупроводников / М. Р. Грейсух. -
С .85-87
Мигаль, В. П. Влияние лимитирующих условий роста на электрофизические свойства эпитаксиальных слоев германия / В. П. Мигаль, Н. Н. Мигаль, Ю. О. Кантер. -
С .88-93
Мигаль, В. П. Травление германия в потоке HJ+H2 / В. П. Мигаль, Ю. О. Кантер. -
С .93-96
Гайдуков, Г. Н. Диффузионные процессы в эпитасиальнорастущих пленках / Г. Н. Гайдуков, Б. Я. Любов. -
С .96-101
Фалькевич, С. Структурное совершенство и однородность осаждения слоев, полученных в процессе разложения силана / С. Фалькевич [и др.]. -
С .102-106
Другие авторы: Петрик А. Г., Шварцман Л. Я., Шейхет Э. Г., Николашин Ж. П., Трайнин А. Л.
Толомасов, В. А. Исследование эпитаксиальных слоев кремния, подвергнутых в процессе роста бомбардировке ионами низких энергий / В. А. Толомасов [и др.]. -
С .106-110
Другие авторы: Рубцова В. А., Горшенин Г. Н., Гудкова Н. В., АбросимоваЛ. Н., Прохорова Л. М.
Нишизава, Дж. Эпитаксиальный рост кремния в Японии / Дж. Нишизава. -
С .110-115
Закономерности роста кристаллов и пленок из расплава и раствора в расплаве . -
С .116-203
Нишинага, Т. Применение теории морфологической стабильности к изучению волнистости слоев, полученных жидкостной эпитаксией / Т. Нишинага, К. Пак, С. Ушияма. -
С .116-121
Орлов, В. П. Влияние гравитации на процессы жидкостной эпитаксии / В. П. Орлов, В. Г. Цепилевич. -
С .121-124
Голубев, Л. В. Теоретические и экспериментальное исследование метода электрожидкостной эпитаксии / Л. В. Голубев [и др.]. -
С .124-128
Другие авторы: Геворкян В. А., Каряев В. Н., Шмарцев Ю. В.
Вилисов, А. А. Влияние условий выращивания на свойствах эпитаксиальных слоев твердых растворов Alx Ga1-x Sb / А. А. Вилисов [и др.]. -
С .128-131
Другие авторы: Вяткин А. П., Гермогенов В. П., Эпиктетова Л. Е.
Горемыкин, В. В. Получение эпитаксиальных слоев Gax In1-x методом жидкофазной эпитаксии / В. В. Горемыкин, Э И. Марков, И. П. Молодян. -
С .132-135
Болховитянов, Ю. Б. Получение эпитаксиальных слоев GaAs с равномерным распределением примеси / Ю. Б. Болховитянов [и др.]. -
С .135-138
Другие авторы: Мельников П. Л., Строителев С. А., Чикичев С. И.
Заможский, В. Д. Некоторые особенности выращивания слоев GaAs в изотермических условиях / В. Д. Заможский, Ф. А. Кузнецов. -
С .138-141
Иванов-Омский, В. И. Эпитаксиальные слои Cdx Hg1-x Te / В. И. Иванов-Омский, В. К. Огородников, П. Г. Сидорчук. -
С .141-144
Батырев, Н. И. Жидкофазная эпитаксия твердых растворов In1-xGaxP и (GaP)xZnSe1-x / Н. И. Батырев [и др.]. -
С .144-147
Другие авторы: Вигдорович В. Н., Нестюрина Е. Е., Селин А. А., Уфимцев В. Д., Червяков А. И., Шумилин В. П.
Александрова, Галина Алексеевна. Выращивание столбчатых кристаллов арсенида индия через жидкую фазу с подпидкой из газовой фазы / Г. А. Александрова, Г. Ф. Лымарь, П. Б. Пащенко. -
С .147-152
Акчурин, Р. Х. Особенности роста монокристаллов и эпитаксиальных пленок твердых растворов Pb1-xSnxTe при кристаллизации из жидкой фазы / Р. Х. Акчурин, А. А. Лобанов, В. В. Марычев. -
С .152-156
Шигаев, С. М. К вопросу о получении гомогенных легированных твердых растворов системы германий-кремний / С. М. Шигаев, Ю. Г. Белашов. -
С .156-158
Кутвицкий, В. А. Магнитная восприимчивость и предкристаллизационные явления в полупроводниковых расплавах / В. А. Кутвицкий. -
С .159-162
Вахрамеев, С. С. Анализ полей температур и термоупругих напряжений в процессах выращивания монокристаллов из расплавов / С. С. Вахрамеев [и др.]. -
С .162-168
Другие авторы: Мильвидский М. Г., Смирнов В. А., Щелкин Ю. Ф.
Вахрамеев, С. С. Анализ тепловых условий выращивания детекторного германия / С. С. Вахрамеев [и др.]. -
С .169-173
Другие авторы: Гончаров Л. Г., Русин А. П., Щелкин Ю. ф.
Макеев, Х. И. Анализ распределений температур и тепловых потоков в области фронта кристаллизации при выращивании монокристаллов кремния методом Чохральского / Х. И. Макеев [и др.]. -
С .173-176
Другие авторы: Погодин А. И., Старшинов И. П., Холодовская А. А.
Косов, А. В. К вопросу о подавлении флуктуаций температуры в расплавах при выращивании монокристаллов / А. В. Косов, Н. В. Бузовкина. -
С .176-178
Розин, К. М. О механизмах формирования микронеоднородности в монокристаллах при росте из расплава / К. М. Розин, П. О. Саморуков, М. О. Шимановская. -
С .179-182
Строителев, С. А. Кристаллохимические закономерности распределения примесей и основные условия получения химически однородных полупроводников / С. А. Строителев. -
С .182-186
В., Е. Ильиных Распределение компонентов при выращивании монокристаллов германия, легированных золотом и сурьмой совместно / Е. Ильиных В., В. С. Земсков, О. Г. Муртазин. -
С .186-190
Абдукаримов, Э. Т. Процессы кристаллизации легированного теллурида висмута / Э. Т. Абдукаримов [и др.]. -
С .190-193
Другие авторы: Останина К. В., Орлов А. Г., Романенко В. Н., Сидоров А. Ф.
Бадиков, В. В. Исследование роста монокристаллов AgGaS2 / В. В. Бадиков [и др.]. -
С .193-196
Другие авторы: Овчинникова В. А., Пивоваров О. Н., Скоков Ю. В., Скребнева О. В.
Сунагава, И. Деятельность японских ученых в области роста кристаллов / И. Сунагава. -
С .196-198
Угай, Я. А. Получение монокристаллов фосфида германия / Я. А. Угай [и др.]. -
С .198-200
Другие авторы: Соколов Л. И., Гончаров Е. Г., Лукин А. Н., Кавецкий В. С.
Алейникова, К. Б. Выращивание монокристаллов метастабильной ß-модификации CdAs2 / К. Б. Алейникова [и др.]. -
С .200-203
Другие авторы: Зюбина Т. А., Работкина Н. С., Угай Я. А.
Новые методики роста кристаллов и пленок . -
С .204-238
Нишизава, Дж. Эпитаксиальный рост соединений АIIIВV из жидкой фазы методом температурного градиента при контролируемом давлении пара / Дж. Нишизава, И. Окуно, Т. Сого. -
С .204-209
Алферов, Жорес Иванович. Жидкостная эпитаксия структур с гетеропереходами в системе Al-Ga-As / Ж. И. Алферов [и др.]. -
С .209-214
Другие авторы: Андреев В. М., Конников С. Г., Ларионов В. Р.
Родионов, А. В. Масс-спектрометрическое изучение состава газовой фазы при эпитаксии арсенида галлия в системе Ga-AsCl3-H2 / А. В. Родионов [и др.]. -
С .214-218
Другие авторы: Свешников Ю. Н., Белоусов В. И., Афанасьев А. К.
Биленко, Д. И. Исследование хлоридного процесса получения эпитаксиальных слоев арсенида галлия "in siti" оптическим методом / Д. И. Биленко [и др.]. -
С .218-222
Другие авторы: Родионов А. В., Свешников Ю. Н., Смирнов А. И., Цыпленков И. Н.
Заможский, В. Д. Изучение поверхности кристаллов методом световых фигур / В. Д. Заможский, В. Н. Вертопрахов. -
С .222-225
Бобков, В. В. Исследование химического состояния поверхностей GaAs, GaP и Ga1-xAlxAsx / В. В. Бобков [и др.]. -
С .225-227
Другие авторы: Коваль А. Г., Климовский Ю. А., Стрельченко С. С., Шубина В. В., Бондарь С. А., Матяш А. П.
Качурин, Г. А. Радиационные методы получения полупроводниковых пленок / Г. А. Качурин [и др.]. -
С .227-230
Другие авторы: Придачин Н. Б., Романов С. И., Смирнов Л. С.
Лузин, А. Н. О роли фокусонов в формировании в формировании структуры растущего кристалла / А. Н. Лузин. -
С .230-233
Лузин, А. Н. О бомбардировке медленными ионами поверхности растущей алмазоподобной пленки / А. Н. Лузин, Л. Л. Мендрин, А. В. Попов. -
С .233-236
Киселева, Э Н. Преимущества совмещения очистки исходных веществ с синтезом кристаллов полупроводников / Э Н. Киселева, С. А. Строителев. -
С .236-238
Химическое состояние примесей в кристаллах и пленках . -
С .239-291
Родо, М. Фазовая диаграмма и кинетика выделения избыточных компонентов в нестехиометрических IV-VI соединениях / М. Родо [и др.]. -
С .239-248
Другие авторы: Шнейдер М., Тьерри-Мит В., Гуллауме Дж.
Хабаров, Э. Н. Двухчастичная модель примесей и их взаимодействие а атомарных полупроводниках и полупроводниковых соединениях / Э. Н. Хабаров. -
С .248-253
Балагурова, Е. А. Квазихимический подход к взаимодействию взаимнокомпенсирующих примесей в АIIIВV / Е. А. Балагурова [и др.]. -
С .253-255
Другие авторы: Морозов В. Н., Рязанцев А. А., Хабаров Э. Н.
Вигдорович, В. Н. Взаимодействие примесей II и IVгрупп периодической системы в соединениях типа АIIIВV и природа твердых растворов типа АIIIВV - АIIВVI / В. Н. Вигдорович, В. Б. Уфимцев, В. П. Шумилин. -
С .255-260
Вольф, Э. Соосаждение кремния с донорами и бором / Э. Вольф, М. Сейдлер, К. Барч. -
С .260-265
Сэдед, Бахтуянг. Кислород в кремнии, выращенном методом зонной плавки / Бахтуянг Сэдед, К. Темпельхофф, Т. Тиме. -
С .265-269
Бабич, В. М. Примесные комплексы, структурное совершенство и электрофизические свойства n-Ge / В. М. Бабич [и др.]. -
С .269-272
Другие авторы: Баранский П. И., Ильчишин В. А., Шершель В. А.
Сидоров, Ю. Г. Отклонение поведения примесей от равновесного при эпитаксии / Ю. Г. Сидоров [и др.]. -
С .272-276
Другие авторы: Васильева Л. Ф., Сидорова А. В., Сабинина И. В., Дворецкий С. А.
Хохлов, В. И. Свойство легированного арсенида при высоких температурах / В. И. Хохлов, С. А. Дворецкий, Ю. Г. Сидоров. -
С .276-280
Драбкин, И. А. О возможности двухзарядовых состояний примеси индия в решетке PbTe и других халькогенидов / И. А. Драбкин, Б. Я. Мойжес. -
С .280-283
Сорокин, Г. П. Образование кристаллических несовершенств Cu2S, Cu2Se, Cu2Te / Г. П. Сорокин [и др.]. -
С .283-286
Другие авторы: Идричан Г. З., Андроник И. Я., Бодруг С. Н., Шевчук А. А.
Бушмарина, Г. С. Особенности растворения примесей в соединениях переменного состава Ge1-xTe и Sn1-xTe / Г. С. Бушмарина [и др.]. -
С .286-290
Другие авторы: Грузинов Б. Ф., Лев Е. Я., Сысоева Л. М.
Полозова, И. Е. Влияние температурных режимов отжигов и закалки на состояние примеси серебра в германии / И. Е. Полозова [и др.]. -
С .290-291
Другие авторы: Романычев Д. А., Тарасова И. М., Белашов Ю. Г.
Методы исследования неоднородностей в кристаллах и пленках . -
С .292-310
Круглов, М. В. Исследование поверхностных нарушений структуры полупроводников методом внешнего фотоэффекта в условиях брэгговского отражения рентгеновских лучей / М. В. Круглов, В. Н. Шмелев, Б. Г. Захаров. -
С .292-296
Блистанов, А. А. Анизотропия рассеяния инфракрасного излучения в монокристаллическом кремнии / А. А. Блистанов, В. Н. Вишняков, А. Г. Портнов. -
С .296-300
Резниченко, М. Ф. Изучение микронеоднородностей полупроводников комбинированным методом модуляционной спектроскопии / М. Ф. Резниченко, В. Н. Вертопрахов. -
С .300-304
Резниченко, М. Ф. Изучение неоднородностей легирования германия / М. Ф. Резниченко [и др.]. -
С .304-307
Другие авторы: Усков Е. М., Рыбин Ю. А., Вертопрахов В. Н.
Усков, Е. М. Изучение микронеоднородного распределения примесей в монокристаллах кремния оптическим методом / Е. М. Усков, В. Н. Вертопрахов. -
С .307-310
ББК В375.14я43 + З852я43
Держатели документа: Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа: Кузнецов, Ф. А. \ред.\; Смирнов, А. И.; Тучкевич, В. В.; Явич, Б. С.; Академия наук СССР; Сибирское отделение АН СССР; Институт неорганической химии Сибирского отделения АН СССР
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)
