| ГРНТИ |
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Корякин-Черняк, С. Л. \сост.\
Экземпляры всего: 1
ИФ-ЧЗ (1)
Свободны: ИФ-ЧЗ (1)
Сводный каталог книг
w10=
Найдено документов в текущей БД: 59
З85
З-35
З-35
Зарубежные микросхемы, транзисторы, диоды. 0...9.
: Справочник. / Сост. С.Л. Корякин-Черняк. - 2-е изд., перераб. и доп. - СПб. : Наука и Техника, 2004. - 557 с. - 3000 экз. - ISBN 5-94387-142-X : 164.50 р.
ББК З852я22
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Корякин-Черняк, С. Л. \сост.\
Экземпляры всего: 1
ИФ-ЧЗ (1)
Свободны: ИФ-ЧЗ (1)
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Корякин-Черняк, С. Л. \сост.\
Экземпляры всего: 1
ИФ-ЧЗ (1)
Свободны: ИФ-ЧЗ (1)
В34
О-75
В34 / О-75-ИВМ-Фонд
В341,0 / О-75-ЦНБ-АБ
О-75
В34 / О-75-ИВМ-Фонд
В341,0 / О-75-ЦНБ-АБ
Основы оптической радиометрии
/ В. Иванов, Ю.М. Золотаревский, А.Ф. Котюк , А.А. Либерман и др. ; Под ред. А.Ф. Котюка. - М. : Физматлит, 2003. - 541 с. : ил. - Библиогр.: с. 536-541. - ISBN 5-9221-0427-6 : 493.27 р., 494.17 р., 492.00 р.
ББК В341 + З86-53-07 + В341,0 + З86-53-07с381,0
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44
Доп.точки доступа:
Иванов, Вячеслав Семенович; Золотаревский, Юрий Михайлович; Саприцкий, Виктор Ильич; Столяревская, Раиса Иосифовна; Улановский, Михаил Владимирович; Чупраков, Владимир Федорович
Экземпляры всего: 3
ИФ-КФ (1), ИВМ-Фонд (1), ЦНБ-АБ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ИВМ-Фонд (1), ЦНБ-АБ (1)
| ГРНТИ | ||
| УДК |
Рубрики:
Радиометрия оптическая--Основы
Излучение лазерное--Измерение
Кл.слова (ненормированные):
Лазерное излучение - Измерение - Радиометрический метод -- Некогерентное оптическое излучение -- Когерентное оптическое излучение -- Оптические преобразователи -- Оптоэлектрические измерительные преобразователи (ОЭИП) -- Тепловые ОЭИП -- Фотонные ОЭИП -- Специализированные ОЭИП -- Электрооптические преобразователи -- Модель черного тела -- Измерительные лампы -- Фотометрические головки -- Фотоэлектрические фотометры -- Прецизионная фотометрическая головка -- Оптические радиометры -- Абсолютные радиометры -- Лазерные ваттметры -- Джоульметры -- Спектральные приборы -- Монохроматор -- Промышленные спектрометры -- Российская система обеспечения единства измерений -- Спектрорадиометрические единицы -- Спектрорадиометрические шкалы -- Сверхяркие светоизлучающие диоды -- Фотометрия квазимонохроматического излучения -- Измерение оптических характеристик -- Спектрофотометрия -- Рефлектометрия -- Рефрактометрия -- Рефрактометры -- Показатель преломления -- Цвет -- Восприятие цвета -- Технические цветовые измерения -- Поляризационные измерения -- Поляризационные эффекты -- Поляризация -- Лазерное излучение -- Лазер -- Лазерометрия -- Энергетические параметры лазерного излучения -- Государственная поверочная система -- Эталонные измерения -- Мощность лазерного излучения -- Энергия лазерного излучения -- Пространственно-энергетические параметры лазерного излучения -- Характеристики лазерного излучения -- Спектральные лазерного излучения -- Дифракционный спектрометр -- Спектральная площадь мощности (энергии) лазерного излучения -- Длина волны лазерного излучения -- Степень пространственной когерентности лазерного излучения
Радиометрия оптическая--Основы
Излучение лазерное--Измерение
Кл.слова (ненормированные):
Лазерное излучение - Измерение - Радиометрический метод -- Некогерентное оптическое излучение -- Когерентное оптическое излучение -- Оптические преобразователи -- Оптоэлектрические измерительные преобразователи (ОЭИП) -- Тепловые ОЭИП -- Фотонные ОЭИП -- Специализированные ОЭИП -- Электрооптические преобразователи -- Модель черного тела -- Измерительные лампы -- Фотометрические головки -- Фотоэлектрические фотометры -- Прецизионная фотометрическая головка -- Оптические радиометры -- Абсолютные радиометры -- Лазерные ваттметры -- Джоульметры -- Спектральные приборы -- Монохроматор -- Промышленные спектрометры -- Российская система обеспечения единства измерений -- Спектрорадиометрические единицы -- Спектрорадиометрические шкалы -- Сверхяркие светоизлучающие диоды -- Фотометрия квазимонохроматического излучения -- Измерение оптических характеристик -- Спектрофотометрия -- Рефлектометрия -- Рефрактометрия -- Рефрактометры -- Показатель преломления -- Цвет -- Восприятие цвета -- Технические цветовые измерения -- Поляризационные измерения -- Поляризационные эффекты -- Поляризация -- Лазерное излучение -- Лазер -- Лазерометрия -- Энергетические параметры лазерного излучения -- Государственная поверочная система -- Эталонные измерения -- Мощность лазерного излучения -- Энергия лазерного излучения -- Пространственно-энергетические параметры лазерного излучения -- Характеристики лазерного излучения -- Спектральные лазерного излучения -- Дифракционный спектрометр -- Спектральная площадь мощности (энергии) лазерного излучения -- Длина волны лазерного излучения -- Степень пространственной когерентности лазерного излучения
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44
Доп.точки доступа:
Иванов, Вячеслав Семенович; Золотаревский, Юрий Михайлович; Саприцкий, Виктор Ильич; Столяревская, Раиса Иосифовна; Улановский, Михаил Владимирович; Чупраков, Владимир Федорович
Экземпляры всего: 3
ИФ-КФ (1), ИВМ-Фонд (1), ЦНБ-АБ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ИВМ-Фонд (1), ЦНБ-АБ (1)
З85
А 42
А 42
Отечественные полупроводниковые приборы специального назначения. Транзисторы биполярные и полевые. Выпрямительные диоды.Варикапы. Стабилитроны и стабисторы. Ограничительные диоды. Тиристоры. Оптоэлектронные приборы
: Зарубежные аналоги отеч. приборов. Кн. 2 / А. И. Аксенов, А. В. Нефедов. - М. : СОЛОН-Р, 2002. - 308 с. - (Ремонт ; вып. 62). - ISBN 5-93455-165-5 : 152.00 р.
ББК З852я22
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Нефедов, Анатолий Владимирович
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)
| ГРНТИ |
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Нефедов, Анатолий Владимирович
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)
З85
З-35
З-35
Зарубежные микросхемы, транзисторы, тиристоры, диоды+SMD. A-Z Т. 2 : R-Z
: справочник. - 4-е изд., перераб. и доп. - СПб. : Наука и Техника. - 2008. - 816 с. - (Электронные компоненты). - 2500 экз. - ISBN 978-5-94387-376-8 : 314.00 р.
ББК З852я22
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)
| ГРНТИ |
Рубрики:
Приборы полупроводниковые--Справочники
Микросхемы--Справочники
Транзисторы--Справочники
Тиристоры--Справочники
Диоды--Справочники
Приборы полупроводниковые--Справочники
Микросхемы--Справочники
Транзисторы--Справочники
Тиристоры--Справочники
Диоды--Справочники
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)
З85
З-35
З-35
Зарубежные микросхемы, транзисторы, тиристоры, диоды+SMDЗарубежные микросхемы, транзисторы, диоды+SMD. 0...9.
: справочник. - 4-е изд., перераб. и доп. - СПб. : Наука и Техника. : Справочник. - 4-е изд., перераб. и доп. - 2008. - 661 с. - (Электронные компоненты). - 2500 экз. - ISBN 978-5-94387-374-4 : 314.00 р.
ББК З852я22
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)
| ГРНТИ |
Рубрики:
Приборы полупроводниковые--Справочники
Микросхемы--Справочники
Транзисторы--Справочники
Тиристоры--Справочники
Диоды--Справочники
Приборы полупроводниковые--Справочники
Микросхемы--Справочники
Транзисторы--Справочники
Тиристоры--Справочники
Диоды--Справочники
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)
З85
З-35
З-35
Зарубежные микросхемы, транзисторы, тиристоры, диоды+SMD. A-Z Т. 1 : A-R
: справочник. - 4-е изд., перераб. и доп. - СПб. : Наука и Техника. - 4-е изд., перераб. и доп. - 2008. - 813 с. - (Электронные компоненты). - 2500 экз. - ISBN 978-5-94387-376-8 : 314.00 р.
ББК З852я22
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)
| ГРНТИ |
Рубрики:
Приборы полупроводниковые--Справочники
Микросхемы--Справочники
Транзисторы--Справочники
Тиристоры--Справочники
Диоды--Справочники
Приборы полупроводниковые--Справочники
Микросхемы--Справочники
Транзисторы--Справочники
Тиристоры--Справочники
Диоды--Справочники
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)
З84
А 42
З 844 / А 42-ИХХТ-АБ
А 42
З 844 / А 42-ИХХТ-АБ
Элементы схем бытовой радиоаппаратуры. Диоды. Транзисторы
/ А. И. Аксенов, А. В. Нефедов, А.М. Юшин. - М. : Радио и связь, 1993. - 224 с. - (Массовая радиобиблиотека ; вып. 1190). - ISBN 5-256-00964-8 : 1993.00 р., 1.20 р.
ББК З844я2 + З 844.8я22 + З 852.2я22 + З 852.3я22
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Нефедов, Анатолий Владимирович; Юшин, А. М.
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (1), ИХХТ-АБ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ИХХТ-АБ (1)
| ГРНТИ |
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Нефедов, Анатолий Владимирович; Юшин, А. М.
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (1), ИХХТ-АБ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ИХХТ-АБ (1)
З85
Л 84
Л 84
Схемы на полупроводниковых диодах
: пер. с нем. / Ю. Х. Лукес ; пер. П.С Богуславский. - М. : Энергия, 1972. - 336 с. : ил. - Библиогр.: с. 325-332 (208 назв.). - Пер. изд. : Halbleiter dioden schaltungen / J. H. Luces. - 30000 экз. - 1.55 р.
ББК З852.2
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Богуславский, Сергей Анатольевич \пер.\; Luces, J. H.
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)
| ГРНТИ |
Рубрики:
Диоды--Схемотехника
Диоды--Схемотехника
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Богуславский, Сергей Анатольевич \пер.\; Luces, J. H.
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)
З85
М 876
М 876
Мощные полупроводниковые приборы. Диоды
: справочник / Б. А. Бородин Б. А. [ и др.] ; под ред. А. В. Голомедова . - М. : Радио и связь, 1985. - 400 с. : ил. - 1.50 р.
ББК З852.2я22
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Бородин, Борис Александрович; Кондратьев, Б. В.; Ломакин, В. М.; Мокряков, В. В.; Петухов, В. М.; Хрулев, А. К.; Голомедов, А. В. \ред.\
Экземпляры всего: 3
ИФ-КФ (3)
Свободны: ИФ-КФ (3)
| ГРНТИ |
Рубрики:
Диоды--Справочники
Диоды--Справочники
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Бородин, Борис Александрович; Кондратьев, Б. В.; Ломакин, В. М.; Мокряков, В. В.; Петухов, В. М.; Хрулев, А. К.; Голомедов, А. В. \ред.\
Экземпляры всего: 3
ИФ-КФ (3)
Свободны: ИФ-КФ (3)
З852я22
Н 58
З 852 / Н 58-ИХХТ-АБ
З852я22 / Н 58-ИБФ-ООН
Н 58
З 852 / Н 58-ИХХТ-АБ
З852я22 / Н 58-ИБФ-ООН
Отечественные полупроводниковые приборы и их зарубежные аналоги
: справочник / А. В. Нефедов, В. И. Гордеева. - 3-е изд., перераб. и доп. - М. : Радио и связь, 1990. - 400 с. - 240000 экз. - ISBN 5-256-00695-9 : 5.00 р., 5.00 р.
ББК З851я22 + З 852я22
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Гордеева, Валентина Ивановна
Экземпляры всего: 4
ИФ-КФ (2), ИХХТ-АБ (1), ИБФ-ООН (1)
Свободны: ИФ-КФ (2), ИХХТ-АБ (1), ИБФ-ООН (1)
| ГРНТИ | |
| УДК |
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Гордеева, Валентина Ивановна
Экземпляры всего: 4
ИФ-КФ (2), ИХХТ-АБ (1), ИБФ-ООН (1)
Свободны: ИФ-КФ (2), ИХХТ-АБ (1), ИБФ-ООН (1)
З85
П 22
П 22
Туннельные диоды в схемах измерительной техники
/ Г. Ю. Пашковский, В. И. Прицкер. - М. : Изд-во стандартов, 1969. - 166 с. : ил. - Библиогр.: с. 159-165. - 3000 экз. - 1.00 р.
ББК З852.2я22
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Прицкер, Владимир Ильич
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)
| ГРНТИ |
Рубрики:
Диоды--Схемотехника
Диоды--Схемотехника
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Прицкер, Владимир Ильич
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)
З85
П 53
З 852 / П 53-ИХХТ-АБ
П 53
З 852 / П 53-ИХХТ-АБ
Полупроводниковые приборы : диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы
: справочник / [А. В. Баюков [и др.] ; под ред. Н. Н. Горюнова. - М. : Энергоиздат, 1982. - 743 с. : граф., рис., табл. - 2.60 р., 2.60 р.
Содержание:
Общие сведения о полупроводниковых диодах, тиристорах и оптоэлектронных приборах
Справочные данные полупроводниковых диодов
Справочные данные тиристоров
Справочные данные оптоэлектронных приборов.
ББК З852я22 + З854я22 + З 852я22
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Баюков, А. В.; Гитцевич, А. Б.; Зайцев, А. А.; Мокряков, В. В.; Петухов, В. М.; Хрулев, А. К.; Горюнов, Н. Н. \ред.\
Экземпляры всего: 3
ИФ-КФ (2), ИХХТ-АБ (1)
Свободны: ИФ-КФ (2), ИХХТ-АБ (1)
Содержание:
Общие сведения о полупроводниковых диодах, тиристорах и оптоэлектронных приборах
Справочные данные полупроводниковых диодов
Справочные данные тиристоров
Справочные данные оптоэлектронных приборов.
| ГРНТИ | ||
| УДК |
Рубрики:
Тиристоры--Справочники
Диоды--Справочники
Приборы полупроводниковые--Справочники
Приборы оптоэлектронные--Справочники
Тиристоры--Справочники
Диоды--Справочники
Приборы полупроводниковые--Справочники
Приборы оптоэлектронные--Справочники
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Баюков, А. В.; Гитцевич, А. Б.; Зайцев, А. А.; Мокряков, В. В.; Петухов, В. М.; Хрулев, А. К.; Горюнов, Н. Н. \ред.\
Экземпляры всего: 3
ИФ-КФ (2), ИХХТ-АБ (1)
Свободны: ИФ-КФ (2), ИХХТ-АБ (1)
З85
С 741
З-85 / С 741-ИВМ-Фонд
З-85 / С 741-ИВМ-Фонд
С 741
З-85 / С 741-ИВМ-Фонд
З-85 / С 741-ИВМ-Фонд
Справочник по полупроводниковым диодам
/ Б. А. Бородин [и др.] ; под ред. И. Ф. Николаевского. - М. : Связь, 1979. - 432 с. - 47000 экз. - 1.90 р., 1.90 р.
ББК З852.2я22 + З-852.2я22
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44
Доп.точки доступа:
Бородин, Борис Александрович; Дроневич, В. М.; Егорова, Р. В.; Козырев, А. С.; Николаевский, И. Ф.; Николаевский, И. Ф. \ред.\
Экземпляры всего: 3
ИФ-КФ (1), ИВМ-Фонд (2)
Свободны: ИФ-КФ (1), ИВМ-Фонд (2)
| ГРНТИ | |
| УДК |
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44
Доп.точки доступа:
Бородин, Борис Александрович; Дроневич, В. М.; Егорова, Р. В.; Козырев, А. С.; Николаевский, И. Ф.; Николаевский, И. Ф. \ред.\
Экземпляры всего: 3
ИФ-КФ (1), ИВМ-Фонд (2)
Свободны: ИФ-КФ (1), ИВМ-Фонд (2)
З85
А 42
А 42
Отечественные полупроводниковые приборы. Тиристоры биполярные. Диоды. Варикапы. Стабилитроны и стабисторы. Тиристоры. Оптоэлектронные приборы
: справ. пособие : аналоги отеч. и зарубеж. приборов / А. И. Аксенов, А. В. Нефедов. - 6-е изд., доп. и испр. - М. : СОЛОН-Пресс, 2008. - 591 с. - (Компоненты и технологии). - 1000 экз. - ISBN 978-5-91359-043-5 : 610.00 р.
ББК З852я22
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Нефедов, Анатолий Владимирович
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)
| ГРНТИ |
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Нефедов, Анатолий Владимирович
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)
З85
Г 70
Г 70
Основы физики полупроводников и полупроводниковых приборов
/ А. Ф. Городецкий, А. Ф. Кравченко, Е. М. Самойлов ; Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние. - Новосибирск : Наука, Сиб. отд-ние, 1966. - 350 с. : ил. - Библиогр. в конце гл. - 3700 экз. - 1.98 р.
Содержание:
Структура твердых тел
Основы квантовой теории твердых тел
Тепловые свойства твердых тел
Несовершенства в кристаллах
Статистика электронов в полупроводниках
Электропроводность полупроводников
Термоэлектрические и гальваномагнитные явления
Контактные явления
Полупроводниковые материалы
Приборы, основанные на зависимости сопротивления полупроводников от освещения
Приборы, основанные на свойствах электронно-дырочного перехода (диоды)
Приборы, основанные на свойствах электронно-дырочного перехода (фотогальванические элементы)
Приборы, основанные на двух и более электронно-дырочных переходах
Приборы, основанные на явлении Холла
Приборы, основанные на термоэлектрических явлениях
Приборы, основанные на эффекте сильного поля
Приборы, основанные на тензорезистивном эффекте
ББК З852 + В379.2
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Кравченко, Александр Филиппович; Самойлов, Евгений Михайлович; Академия наук СССР; Сибирское отделение АН СССР
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)
Содержание:
Структура твердых тел
Основы квантовой теории твердых тел
Тепловые свойства твердых тел
Несовершенства в кристаллах
Статистика электронов в полупроводниках
Электропроводность полупроводников
Термоэлектрические и гальваномагнитные явления
Контактные явления
Полупроводниковые материалы
Приборы, основанные на зависимости сопротивления полупроводников от освещения
Приборы, основанные на свойствах электронно-дырочного перехода (диоды)
Приборы, основанные на свойствах электронно-дырочного перехода (фотогальванические элементы)
Приборы, основанные на двух и более электронно-дырочных переходах
Приборы, основанные на явлении Холла
Приборы, основанные на термоэлектрических явлениях
Приборы, основанные на эффекте сильного поля
Приборы, основанные на тензорезистивном эффекте
| ГРНТИ |
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Кравченко, Александр Филиппович; Самойлов, Евгений Михайлович; Академия наук СССР; Сибирское отделение АН СССР
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)
З84
С 25
С 25
СВЧ-полупроводниковые приборы и их применение
/ под ред. Г. Уотсона ; пер. с англ. под ред. В. С. Эткина. - М. : Мир, 1972. - 662 с. : рис. - Библиогр. в конце глав. - Пер. изд. : Microwave semiconductor devices and their circuit applications. - Б. ц.
Приложение А. Физические свойства некоторых полупроводников, алмаза и меди. Приложение Б. Распределение носителей со скоростями и соотношение Эйнштейна. Приложение В. Таблица физических постоянных
Содержание:
Физика полупроводников
Полупроводниковые диоды и схемы
СВЧ-транзисторы и цепи
Тенденции развития современных полупроводниковых СВЧ-приборов
ББК З840.4 + З852
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Уотсон, Г. \ред.\; Эткин, В. С. \ред. пер.\
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)
Приложение А. Физические свойства некоторых полупроводников, алмаза и меди. Приложение Б. Распределение носителей со скоростями и соотношение Эйнштейна. Приложение В. Таблица физических постоянных
Содержание:
Физика полупроводников
Полупроводниковые диоды и схемы
СВЧ-транзисторы и цепи
Тенденции развития современных полупроводниковых СВЧ-приборов
| ГРНТИ |
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Уотсон, Г. \ред.\; Эткин, В. С. \ред. пер.\
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)
З85
К 48
К 48
Введение в электронику сверхвысоких частот
/ В. Клеен ; пер. с англ. В. Н. Гинзбурга, И. К. Викулова, А. С. Победоносцева, под ред. А. С. Тагера. - М. : Сов. радио, 1963. - 480 с. - Библиогр. в конце глав. - Пер. изд. : Electronics of microwave tubes / W. I. Kleen. - 1.69 р.
Содержание:
Основные понятия электроники СВЧ
Движение электрона в статическом поле
Токи в лампах СВЧ
Энергетическое взаимодействие между электронным потоком и переменным электрическим полем
Модуляция скорости электронов в квазистационарном поле
Кинематическая теория группирования электронов в пространстве, свободном от высокочастотных полей
Использование квазистационарных полей для отбора мощности у электронного потока
Диоды и лампы с управляющей сеткой
Фазовая селекция
Модуляция электронных потоков бегущими электромагнитными волнами в отсутствие поперечных статических полей
Волны пространственного заряда
Взаимодействие электронных потоков с бегущими волнами в скрещенных электрическом и магнитном полях
Классификация ламп СВЧ
Применение ламп СВЧ
Лампа как элемент схемы
Шумы
Резонансные контуры диапазона СВЧ
Замедляющие системы
Электронные пучки и электронные пушки
ББК З851.12 + З840.4
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Гинзбург, В. Н. \пер.\; Викулов, И. К. \пер.\; Победоносцев, А. С. \пер.\; Тагер, А. С. \ред. gth/.\; Kleen, W. I.
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)
Содержание:
Основные понятия электроники СВЧ
Движение электрона в статическом поле
Токи в лампах СВЧ
Энергетическое взаимодействие между электронным потоком и переменным электрическим полем
Модуляция скорости электронов в квазистационарном поле
Кинематическая теория группирования электронов в пространстве, свободном от высокочастотных полей
Использование квазистационарных полей для отбора мощности у электронного потока
Диоды и лампы с управляющей сеткой
Фазовая селекция
Модуляция электронных потоков бегущими электромагнитными волнами в отсутствие поперечных статических полей
Волны пространственного заряда
Взаимодействие электронных потоков с бегущими волнами в скрещенных электрическом и магнитном полях
Классификация ламп СВЧ
Применение ламп СВЧ
Лампа как элемент схемы
Шумы
Резонансные контуры диапазона СВЧ
Замедляющие системы
Электронные пучки и электронные пушки
| ГРНТИ |
Рубрики:
СВЧ-техника
СВЧ-техника
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Гинзбург, В. Н. \пер.\; Викулов, И. К. \пер.\; Победоносцев, А. С. \пер.\; Тагер, А. С. \ред. gth/.\; Kleen, W. I.
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)
В37
Х 45
Х 45
Проводники типа A[[d]]III[[/d]]B[[d]]V[[/d]]
/ К. Хилсум, А. Роуз-Инс ; пер. с англ. [и предисл.] М. М. Горшкова и А. Э. Наджипа ; под ред. Н. П. Сажина и Г. В. Захваткина. - М. : Изд-во иностр. лит., 1963. - 324 с. : рис. - Библиогр. в конце глав. - Доп. лит.: с. 305-320. - Пер. изд. : Semiconducting III-V compounds / C. Hilsum, A. C. Rose-Innes. - 1.24 р.
Содержание:
Кристаллическая структура и химическая связь
Свойства структуры цинковой обманки
Следствия отсутствия инверсионной симметрии плоскости
Пьезоэлектрический эффект
"Ионность" связи
Расположение атомов
Скалывание
Инфракрасное поглощение на колебаниях решетки
Спин-орбитальное расщепление
Ширина запрещенной зоны
Электроотрицательность. Выводы о характере связи
Зонная структура
Значение зонной структуры
Теория зонной структуры
Симметрия
Спин-орбитальные эффекты
Одномерная модель
Метод возмущений Германа
Циклотронный резонанс и диамагнитный эффект Ландау
Зонная структура антимонида индия
Зона проводимости
Валентная зона
Зонная структура арсенида индия
Зонная структура антимонида галлия
Зонная структура арсенида галлия
Зонная структура фосфида галлия
Зонная структура антимонида алюминия
Зонная структура нитрида бора
Общий обзор энергетических схем соединений III-V
Примеси и дефекты
Доноры и акцепторы
Водородоподобная модель примесей
Антимонид индия
Донорные примеси
Акцепторные уровни
Примесная зона
Арсенид индия
Фосфид индия
Антимонид галлия
Арсенид галлия
Фосфид галлия
Антимонид алюминия
Смешанные кристаллы
Диффузия
Дислокационные трещины
Получение соединений III-V
Образование соединений
Очистка элементов
Методы получения
Аппаратура
Остаточные примеси
Очистка бестигельной зонной плавкой
Электрические свойства
Процессы рассеяния
Рассеяния на акустических колебаниях решетки
Рассеяния на оптических колебаниях решетки
Рассеяния на примесях
Рассеяния на носителях
Подвижность в соединениях III-V
Характерные черты переноса носителей
Следствия большого отношения подвижностей
Электрических свойств от магнитного поля
Оптические и фотоэлектрические свойства
Край полосы поглощения
Роль свободных носителей
Поглощение на колебаниях решетки
Показатель преломления
Фотоэлектрические явления
Механизмы рекомбинации
Измерение времени жизни
Эмиссия излучения
Применения
Применения переходов
Диоды с переменной емкостью
Микроволновые детекторы
Коммутирующие диоды
Туннельные диоды
Транзисторы
Применения гальваномагнитных эффектов
Магнетометр, основанный на эффекте Холла
Измеритель магнитной восприимчивости
Измерение электрического тока и мощности
Умножитель на основе на эффекте Холла
Усилитель на основе на эффекте Холла
Магниторезистивные генератор и усилитель
Магниторезистивный датчик перемещения
Оптические применения
Инфракрасные фотоэлементы
Солнечные батареи
Оптические фильтры
ББК В379.2 + Г123 + Г124 + Г125 + Г523 + З233
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Роуз-Инс, А.; Горшков, М. М. \пер.\; Наджип, А. Э. \пер.\; Сажин, Н. П. \ред. пер.\; Захваткин, Г. В. \ред. пер.\; Hilsum, C. ; Rose-Innes, A. C.
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)
Содержание:
Кристаллическая структура и химическая связь
Свойства структуры цинковой обманки
Следствия отсутствия инверсионной симметрии плоскости
Пьезоэлектрический эффект
"Ионность" связи
Расположение атомов
Скалывание
Инфракрасное поглощение на колебаниях решетки
Спин-орбитальное расщепление
Ширина запрещенной зоны
Электроотрицательность. Выводы о характере связи
Зонная структура
Значение зонной структуры
Теория зонной структуры
Симметрия
Спин-орбитальные эффекты
Одномерная модель
Метод возмущений Германа
Циклотронный резонанс и диамагнитный эффект Ландау
Зонная структура антимонида индия
Зона проводимости
Валентная зона
Зонная структура арсенида индия
Зонная структура антимонида галлия
Зонная структура арсенида галлия
Зонная структура фосфида галлия
Зонная структура антимонида алюминия
Зонная структура нитрида бора
Общий обзор энергетических схем соединений III-V
Примеси и дефекты
Доноры и акцепторы
Водородоподобная модель примесей
Антимонид индия
Донорные примеси
Акцепторные уровни
Примесная зона
Арсенид индия
Фосфид индия
Антимонид галлия
Арсенид галлия
Фосфид галлия
Антимонид алюминия
Смешанные кристаллы
Диффузия
Дислокационные трещины
Получение соединений III-V
Образование соединений
Очистка элементов
Методы получения
Аппаратура
Остаточные примеси
Очистка бестигельной зонной плавкой
Электрические свойства
Процессы рассеяния
Рассеяния на акустических колебаниях решетки
Рассеяния на оптических колебаниях решетки
Рассеяния на примесях
Рассеяния на носителях
Подвижность в соединениях III-V
Характерные черты переноса носителей
Следствия большого отношения подвижностей
Электрических свойств от магнитного поля
Оптические и фотоэлектрические свойства
Край полосы поглощения
Роль свободных носителей
Поглощение на колебаниях решетки
Показатель преломления
Фотоэлектрические явления
Механизмы рекомбинации
Измерение времени жизни
Эмиссия излучения
Применения
Применения переходов
Диоды с переменной емкостью
Микроволновые детекторы
Коммутирующие диоды
Туннельные диоды
Транзисторы
Применения гальваномагнитных эффектов
Магнетометр, основанный на эффекте Холла
Измеритель магнитной восприимчивости
Измерение электрического тока и мощности
Умножитель на основе на эффекте Холла
Усилитель на основе на эффекте Холла
Магниторезистивные генератор и усилитель
Магниторезистивный датчик перемещения
Оптические применения
Инфракрасные фотоэлементы
Солнечные батареи
Оптические фильтры
| ГРНТИ |
Рубрики:
Полупроводники--Физика
Полупроводники--Физика
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Роуз-Инс, А.; Горшков, М. М. \пер.\; Наджип, А. Э. \пер.\; Сажин, Н. П. \ред. пер.\; Захваткин, Г. В. \ред. пер.\; Hilsum, C. ; Rose-Innes, A. C.
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)
З85
Г 72
Г 72
Туннельные диоды и их применение
/ Р. В. Гострем, Г. С. Зиновьев ; Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние. - Новосибирск : [б. и.], 1964. - 134 с. : ил. - Библиогр.: с. 104-124. - 0.62 р.
Есть автограф: Экз. 19521 : Гострем, Р. В.
ББК З852.2
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Зиновьев, Г. С.; Академия наук СССРСибирское отделение АН СССР
Экземпляры всего: 2
ИФ-Музей (2)
Свободны: ИФ-Музей (2)
Есть автограф: Экз. 19521 : Гострем, Р. В.
| ГРНТИ |
Рубрики:
Диоды--Схемотехника
Диоды--Схемотехника
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Зиновьев, Г. С.; Академия наук СССРСибирское отделение АН СССР
Экземпляры всего: 2
ИФ-Музей (2)
Свободны: ИФ-Музей (2)
Ж
Т 66
Л253 / Т 66-ИХХТ-АБ
Т 66
Л253 / Т 66-ИХХТ-АБ
Пористый кремний: технология, свойства, применение
/ В. В. Трегулов ; Мин-во образ. и науки РФ, Рязан. гос. ун-т им. С.А. Есенина. - Рязань : Рязан. гос. ун-т, 2011. - 123 с. ; 20 см. - Библиогр.: с. 116-122. - 200 экз. - ISBN 978-5-88006-677-3 : 185.00 р., 185.00 р.
Содержание:
Технология изготовления пористого кремния
Фотолюминесценция пористого кремния
Электрофизические свойства пористого кремния
Светоизлучающие диоды на основе пористого кремния
Фотоэлектрические преобразователи для солнечной энергетики
Приборы СВЧ-диапазона
Химические датчики на основе пористого кремния
ББК Ж362 + Л253.2 + В379.2 + Л253.2
Аннотация: Рассматриваются вопросы технологии изготовления пористого кремния, его структурные свойства, люминесцентные и электрофизические характеристики, особенности применения при изготовлении полупроводниковых приборов, процессы пассивации слоев материала с целью стабилизации их характеристик.
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Министерство образования и науки Российской Федерации; Рязанский государственный университет им. С.А. Есенина
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (1), ИХХТ-АБ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ИХХТ-АБ (1)
Содержание:
Технология изготовления пористого кремния
Фотолюминесценция пористого кремния
Электрофизические свойства пористого кремния
Светоизлучающие диоды на основе пористого кремния
Фотоэлектрические преобразователи для солнечной энергетики
Приборы СВЧ-диапазона
Химические датчики на основе пористого кремния
| ГРНТИ | |||||
| УДК |
Рубрики:
Полупроводники--Свойства--Получение--Применение
Кремний--Свойства--Получение--Применение
Электроника--Материалы--Кремний
Кл.слова (ненормированные):
Кремний пористый
Полупроводники--Свойства--Получение--Применение
Кремний--Свойства--Получение--Применение
Электроника--Материалы--Кремний
Кл.слова (ненормированные):
Кремний пористый
Аннотация: Рассматриваются вопросы технологии изготовления пористого кремния, его структурные свойства, люминесцентные и электрофизические характеристики, особенности применения при изготовлении полупроводниковых приборов, процессы пассивации слоев материала с целью стабилизации их характеристик.
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Министерство образования и науки Российской Федерации; Рязанский государственный университет им. С.А. Есенина
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (1), ИХХТ-АБ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ИХХТ-АБ (1)