Содержание:
Синтез и характеризация летучих комплексов металлов Ru, Ir, Cu, Ni с органическими лигандами
Новые реагенты для получения пленок карбонитрида кремния
Термодинамическое моделирование процессов осаждения из газовой фазы. Построение CVD-диаграмм
Осаждение металлических пленок Ru, Ir, Cu, Ni методом МО CVD
Разработка процессов получения двух- и трехкомпонентных оксидных пленок из β-дикетонатных комплексов металлов
От кремнийорганических соединений-предшественников к многофункциональным покрытиям из карбонитрида кремния
CVD-синтез пленок и покрытий на основе фаз системы D-C-N
Исследование химического состава пленок Si(B)C[[d]]x[[/d]]N[[d]]y[[/d]] методами РФЭС- и Оже-спектроскопии
| ГРНТИ | |||||||
| УДК |
Рубрики:
Тонкие пленки полупроводниковые--Получение--Свойства физико-химические
Кл.слова (ненормированные):
Полупроводники -- Химическое осаждение -- Органические лиганды -- Прекурсоры -- Летучие компоненты -- Карбонитриды -- ЯМР-спектроскопия -- Термодинамическое моделирование -- Газовая фаза -- CVD-диаграммы -- Металлические пленки -- Двухкомпонентные оксидные пленки -- Трехкомпонентные оксидные пленки -- РФЭС-спектроскопия -- Оже-спектроскопия -- Полупроводниковая наноэлектроника -- Тонкие пленки -- Диэлектрическая проницаемость
Тонкие пленки полупроводниковые--Получение--Свойства физико-химические
Кл.слова (ненормированные):
Полупроводники -- Химическое осаждение -- Органические лиганды -- Прекурсоры -- Летучие компоненты -- Карбонитриды -- ЯМР-спектроскопия -- Термодинамическое моделирование -- Газовая фаза -- CVD-диаграммы -- Металлические пленки -- Двухкомпонентные оксидные пленки -- Трехкомпонентные оксидные пленки -- РФЭС-спектроскопия -- Оже-спектроскопия -- Полупроводниковая наноэлектроника -- Тонкие пленки -- Диэлектрическая проницаемость
Аннотация: В монографии представлены результаты развития процессов химического осаждения из газовой фазы металлических и диэлектрических пленок с использованием нетрадиционных летучих исходных соединений, а именно, комплексных соединений металлов и кремнийор-ганических соединений, синтезируемых в ИНХ СО РАН и ИрИХ СО РАН. Рассматриваются результаты исследования физико-химических свойств исходных соединений. Изложены принципы выбора исходных соединений, основанные на исследовании их термодинамических свойств и термодинамическом моделировании МО CVD процессов. Получены и исследованы наиболее важные для современной электроники и наноэлектроники материалы: металлические пленки (Си, Ni, Ru, Ir), диэлектрические пленки с высоким (high-k) и низким (low-k) значением диэлектрической проницаемости. Изучены химический, фазовый состав и структура простых и сложных оксидов на основе НЮ2 (high-k диэлектрики), а также карбонитридов бора, карбонитридов и оксикарбонитридов кремния (low-k диэлектрики). Книга адресуется студентам, аспирантам, инженерам и научным сотрудникам, занимающимся химией твердого тела, микроэлектроникой и технологией материалов электронной техники
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Кузнецов, Ф. А.; Воронков, Михаил Григорьевич; Борисов, В. О.; Игуменов, И. К.; Смирнова, Т. П. \отв. ред.\; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт неорганической химии им А.В. Николаева Сибирского отделения РАН; Иркутский институт химии им. А.Е. Фаворского Сибирского отделения РАН; Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН
Экземпляры всего: 3
ИФ-КФ (1), ИХХТ-АБ (1), ЦНБ-АБ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ИХХТ-АБ (1), ЦНБ-АБ (1)