Сводный каталог книг

w10=
Найдено документов в текущей БД: 2
   З 84
   М902

    Численное моделирование микроэлектронных структур
[Текст] : монография / С.Г. Мулярчик. - Минск : Университетское, 1989. - 368 с. : ил + табл. - Библиогр: с.354-366.%ISBN 5-7855-0045-0. - 3.30 р.
УДК

Аннотация: Монография посвящена вопросам постановки, методам и алгоритмам решения задачи численного моделирования микроэлектронных структур. Содержит обобщающее введение в проблему получения математических моделей полупроводниковых структур, берущую свое начало в закономерностях электромагнитных процессов, выраженных уравнениями Максвелла. Главное внимание уделяется аспектам автоматизации численного моделирования, созданию вычислительного инструментария проверки модельных технолого-конструктивных решений. Результаты теоретических исследований иллюстрируются большим количеством примеров и рисунков. Для специалистов в области автоматизации проектирования в микроэлектронике, инженерам-разработчикам полупроводниковых приборов и интегральных схем. Может быть полезной сстудентам и аспиарнтам, специализирующимся в области микроэлектроники и автоматизации проектирования.

Держатели документа:
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44
Экземпляры всего: 1
ИВМ-Фонд (1)
Свободны: ИВМ-Фонд (1)
З852
Т 38

    Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем
[Текст] : В 2-х ч. Ч.2. Элементы и маршруты изготовления кремниевых ИС и методы их математического моделирования / М. А. Королев [и др.] ; Под ред. Ю. А. Чаплыгина. - Москва : Бином. Лаборатория знаний, 2012. - 422 с. : ил., рис., табл., фот. - ISBN 978-5-94774-585-6 : 328.90 р.
ГРНТИ
ББК З852

Аннотация: Дано представление об основных маршрутах изготовления и конструкциях изделий микроэлектроники на основе кремния. Рассмотрены основные процессы создания интегральных схем: химическая и плазмохимическая обработка материала; введение примесей в кремний; выращивание окисла кремния и его охлаждение; литография; создание металлических соединений и контактов. Приведены методы моделирования процессов распределения примесей в полупроводниковых структурах. Для студентов и аспирантов, специализирующихся в области микроэлектроники и полупроводниковых приборов. Может быть использовано также специалистами, работающими в данной области.


Доп.точки доступа:
Королев, Михаил Александрович; Крупкина, Татьяна Юрьевна; Путря, Михаил Георгиевич; Шевяков, Василий Иванович; Чаплыгин, Ю.А. \ред.\
Экземпляры всего: 1
ЦНБ-АБ (1)
Свободны: ЦНБ-АБ (1)