| ГРНТИ |
Рубрики:
Оптоэлектроника полупроводниковая--Датчики
Кл.слова (ненормированные):
Полупроводниковые пленки - Фотоэлектрические свойства - Исследование -- Датчики оптоэлектронные - Обработка результатов
Оптоэлектроника полупроводниковая--Датчики
Кл.слова (ненормированные):
Полупроводниковые пленки - Фотоэлектрические свойства - Исследование -- Датчики оптоэлектронные - Обработка результатов
Аннотация: В настоящей монографии приведены результаты исследований эффекта аномально высоких фотоэлектрических напряжений (АФН) в полупроводниковых пленочных системах. Впервые изложена методика и приведены результаты экспериментальных исследований возможности получения эффективного координатно-чувствительного приемника оптического излучения из полупроводниковых соединений в виде ступенчатообразной АФН-пленки. Исследована возможность использования оптрона открытого канала для волоконно-оптических систем на основе излучателя и АФН-приемника. На базе АФН-пленок разработаны новые оптоэлектронные системы различного назначения. Книга рассчитана на специалистов в области оптики, физики полупроводников, микроэлектроники и специалистов, занимающихся разработкой оптоэлектронных приборов, а также может быть полезна преподавателям и студентам вузов.
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44
Доп.точки доступа:
Ушаков, Олег Кузьмич; Сибирская государственная геодезическая академия
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (1), ИВМ-Фонд (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ИВМ-Фонд (1)