Сводный каталог книг

/ С. В. Добаткин, Л. М. Капуткина ; Мос. гос. ин-т стали и сплавов (Технолог. ун-та). - 3-е изд., испр. и доп. - М. : МИСиС, 2005. - 432 с. - (Металлургия и материаловедение ХХI века). - Библиогр. в конце глав. - ISBN 5-87623-103-7 : 220.00 р., 220.00 р.

ГРНТИ	53.49.05
УДК	669.1/2:584.53

ББК К204.3


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44

Доп.точки доступа:
Добаткин, Сергей Владимирович; Капуткина, Людмила Михайловна; Горелик, Семен Самуилович \ред.\; Московский государственный институт стали и сплавов (Технологического университета)
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (1), ИВМ-Фонд (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ИВМ-Фонд (1)

/ С. С. Горелик. - 2-е изд., перераб. и доп. - М. : Металлургия, 1978. - 568 с. : ил. - Библиогр.: с. 552-565 (367 назв.). - Предм. указ.: с. 566-568. - 4200 экз. - 3.60 р., 3.60 р.

ГРНТИ	53.49.05
УДК	669.1/2:548.53

ББК К204.3


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (1), ИХХТ-АБ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ИХХТ-АБ (1)

/ Г. Франк, В. Шнейдар ; пер. на рус. яз.: инж. Миллер Б. В. - Прага : Гостехиздат, 1960. - 570 с. : рис., фот. - Библиогр. в конце глав. - Предм. указ.: с. 567-570. - 3565 экз. - 1.50 р.
    Содержание:
Физические основы кристаллических приборов
Кристаллическая структура полупроводников
Зонная модель
Электроны и дырки в гомогенном кристалле
Нелинейные явления при прохождении тока в полупроводниках
Физические основы транзисторов
Кристаллические фотоэлементы
Влияние магнитного поля на полупроводник
Влияние температуры на свойства полупроводников
Поверхностные явления
Полупроводниковый материал для кристаллических приборов
Химическая очистка
Зонная плавка
Вытягивание монокристаллов
Рекристаллизация (вплавление)
Диффузия доноров и акцепторов
Обработка германия и кремния
Свойства германия и кремния
Измерение основных параметров полупроводниковых материалов
Ориентировка кристаллов
Измерение проводимости и подвижности
Энергетические уровни в запретной зоне
Термоэлектрическое явление
Измерение оптических параметров
Измерение времени жизни основных носителей
Двухэлектродные полупроводниковые приборы
Кристаллические триоды и их свойства
Основные параметры транзистора в качестве усилителя
Дуальность транзистора и вакуумного триода
Электрические параметры основных схем усилителей на транзисторах
Измерение основных параметров транзистора
Построение статических характеристик
Измерение параметров rik и hik
Измерение усиления по току, по напряжению и по мощности
Определение стабильности в режиме короткого замыкания
Измерение предельной частоты
Измерение емкости коллектора и эмиттера
Измерение шума транзистора
Определение импульсных свойств транзистора
Кристаллические тетроды
Обзор наиболее распространенных типов транзисторов
Техника усилителей на транзисторах
Цепи смещения транзисторов
Однокаскадные низкочастотные усилители
Многокаскадные усилители
Высокочастотные усилители
Основы генераторов на транзисторах
Переключающие схемы и формирование импульсов

ГРНТИ

29.19.31

47.33

47.01.33

ББК З852я73 + В379


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Шнейдар, Вацлав; Миллер, Б. В. \пер.\
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)

: сб. статей / под ред. С. З. Бокштейна. - М. : Машиностроение, 1964. - 188 с. : ил. - 1550 экз. - 0.90 р.
    Содержание:
Диффузия и структура металла
Рекристаллизация и дефекты структуры
Порообразование и разрушение при высоких температурах
Металлические нитевидные кристаллы и вопросы высокой прочности

ГРНТИ

61.13.19

53.49.01

ББК К204.32я43


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Бокштейн, Самуил Зейликович \ред.\
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)

. Семинар по использованию элементоорганических соединений в синтезе кристаллов и пленок. Семинар по молекулярно-лучевой эпитаксии : г. Новосибирск, 9-13 июня 1986 г. : тезисы докл. : [в 3 т.] / Акад. наук СССР, Науч. совет по физ. основам полупроводникового материаловедения, Сиб. сек. полупроводников и твердотельных структур, Науч. совет по проблеме "Образование и структура кристаллов", Сиб. отд-ние АН СССР, Новосиб. правление ВХО им. Д. И. Менделеева, Ин-т неорган. химии, Ин-т физики полупроводников. Т. 1. - Новосибирск : [б. и.], 1986. - 328 с. - 550 экз. - Б. ц.
    Содержание:
Теория зародышеобразования
Новые методы роста, исследования процессов роста, свойств материалов
Автоматизация процессов роста
Рекристаллизация
Кристаллизация из газовой фазы (а) и напыление (б)

ГРНТИ

31.15.17

29.19.15

29.19.16

ББК В379.251.4я431 + В379.212.6я431 + Г562.1я431 + В375.14я431


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Академия наук СССР; Научный совет по физическим основам полупроводникового материаловедения АН СССР; Сибирская секция полупроводников и твердотельных структур АН СССР; Научный совет по проблеме "Образование и структура кристаллов" АН СССР; Сибирское отделение АН СССР; Всесоюзное химическое общество им. Д. И. Менделеева. новосибирское правление Всесоюзного химического общества им. Д.И. Менделеева; Институт неорганической химии Сибирского отделения АН СССР; Институт физики полупроводников Сибирского отделения АН СССР; Семинар по использованию элементоорагнических соединений в синтезе кристаллов и пленок (1986 ; июнь ; 9-13 ; Новосибирск)
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)

/ Ж. - П. Пуарье ; пер. с англ. В. В. Костоглодова и С. В. Соболева, под ред. Н. В. Жаркова. - М. : Мир, 1988. - 287 с. : рис., фот. - Библиогр. в конце глав. - Пер. изд. : Creep of crystals / Jean-Paul Poirier. - ISBN 5-03-000699-0 : 3.50 р.
    Содержание:
Механические основы
Дефекты кристаллической решетки - носители деформации
Феноменологический и термодинамический анализ квазистационарной ползучести
Влияние гидростатического давления на деформацию
Полигонизация и динамическая рекристаллизация в процессе ползучести
Диффузионная ползучесть, скольжение по границам зерен и сверхпластичность
Пластичность превращения
Подобие и классификация

ГРНТИ

29.19.13

ББК В372 + В371.231


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Костоглодов, В. В. \пер.\; Соболев, С. В. \пер.\; Poirier, Jean-Paul
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)

[Текст] : справочник / Р.А. Андриевский, И.И. Спивак. - Челябинск : Металлургия, 1989. - 367 с. : ил., табл. - Библиогр.: с. 343-365. - ISBN 5-222-00089-9 : 1.70 р.

УДК	620.018.45

ББК К28

Аннотация: Систематизированы данные о прочности карбидов, боридов, нитридов, оксидов и других тугоплавких соединений с температурой плавления выше 2500 К. Приведены сведения о температуре плавления, структуре, электронном и дислокационном строении, термических и упругих свойствах, диффузии, рекристаллизации, твердости, вязкости разрушения, ползучести, термопрочности и радиационной стойкости. Обсуждены различные аспекты прочности указанных соединений и рассмотрены методы ее измерения. Для инженерно-технических работников и специалистов металлургической, машиностроительной, авиационной, оборонной, атомной техники, энергетической и других отраслей промышленности.

Держатели документа:
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44

Доп.точки доступа:
Спивак, И.И.
Экземпляры всего: 1
ИВМ-Фонд (1)
Свободны: ИВМ-Фонд (1)

[Текст] : монография / Г. Готтштайн ; ред. В. П. Зломанов ; пер. с англ. : К. Н. Золотовой, Д. О. Чаркина. - Москва : БИНОМ. Лаборатория знаний, 2014. - 400 с. : ил. ; 24.5. - (Лучший зарубежный учебник). - перевод с английского. - Библиогр.: с. 375-383. - Предм. указ.: с. 384-400. - Пер. изд. : Physical foundations of materials science / G. Gottstein. - ISBN 978-5-94774-769-0 (БИНОМ. ЛЗ) (в пер.). - ISBN 3-540-40139-3 (англ.) : 341.55 р.
Параллельный титульный лист на английском языке

ГРНТИ

81.09

ББК Ж306.4я73

Аннотация: В учебном пособии, написанном известным специалистом из Германии, имеющим многолетнюю преподавательскую практику, изложены основы современного материаловедения. При этом в полной мере использованы фундаментальные понятия, представления и закономерности из других областей знаний - физики, химии, математики, а также кристаллографии и металлургии. Рассмотрены различные модели, в том числе на основе фазовых диаграмм и теории химической связи. Большое внимание уделено применению термодинамических подходов при изучении материалов. Подробно обсуждаются теория дефектов в кристаллических твердых телах, процессы кристаллизации и рекристаллизации, способы управления составом композиционных материалов, структурная организация в стеклах и полимерах. Книга очень хорошо иллюстрирована. Для студентов и аспирантов университетов, а также других вузов, готовящих специалистов в области наук о материалах.


Доп.точки доступа:
Зломанов, Владимир Павлович (профессор, доктор химических наук) \ред. пер.\; Золотова, К.Н. \пер.\; Чаркин, Д.О. \пер.\; кандидат химических наук; Gottstein, G.
Экземпляры всего: 1
ЦНБ-АБ (1)
Свободны: ЦНБ-АБ (1)