Сводный каталог книг

w10=
Найдено документов в текущей БД: 7
   З85
   Ф 83

    Полупроводниковые приборы
/ Г. Франк, В. Шнейдар ; пер. на рус. яз.: инж. Миллер Б. В. - Прага : Гостехиздат, 1960. - 570 с. : рис., фот. - Библиогр. в конце глав. - Предм. указ.: с. 567-570. - 3565 экз. - 1.50 р.
    Содержание:
Физические основы кристаллических приборов
Кристаллическая структура полупроводников
Зонная модель
Электроны и дырки в гомогенном кристалле
Нелинейные явления при прохождении тока в полупроводниках
Физические основы транзисторов
Кристаллические фотоэлементы
Влияние магнитного поля на полупроводник
Влияние температуры на свойства полупроводников
Поверхностные явления
Полупроводниковый материал для кристаллических приборов
Химическая очистка
Зонная плавка
Вытягивание монокристаллов
Рекристаллизация (вплавление)
Диффузия доноров и акцепторов
Обработка германия и кремния
Свойства германия и кремния
Измерение основных параметров полупроводниковых материалов
Ориентировка кристаллов
Измерение проводимости и подвижности
Энергетические уровни в запретной зоне
Термоэлектрическое явление
Измерение оптических параметров
Измерение времени жизни основных носителей
Двухэлектродные полупроводниковые приборы
Кристаллические триоды и их свойства
Основные параметры транзистора в качестве усилителя
Дуальность транзистора и вакуумного триода
Электрические параметры основных схем усилителей на транзисторах
Измерение основных параметров транзистора
Построение статических характеристик
Измерение параметров rik и hik
Измерение усиления по току, по напряжению и по мощности
Определение стабильности в режиме короткого замыкания
Измерение предельной частоты
Измерение емкости коллектора и эмиттера
Измерение шума транзистора
Определение импульсных свойств транзистора
Кристаллические тетроды
Обзор наиболее распространенных типов транзисторов
Техника усилителей на транзисторах
Цепи смещения транзисторов
Однокаскадные низкочастотные усилители
Многокаскадные усилители
Высокочастотные усилители
Основы генераторов на транзисторах
Переключающие схемы и формирование импульсов
ГРНТИ
ББК З852я73 + В379


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Шнейдар, Вацлав; Миллер, Б. В. \пер.\
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)
   З85
   К 56
З 852.3 / К 56-ЦНБ-АБ

    Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур
/ А. Н. Ковалев ; Мос. гос. ин-т стали и сплавов. - М. : Издат. Дом МИСИС, 2011. - 363 с. ; 21 см. - Библиогр.: с. 353-363. - 200 экз. - ISBN 978-5-87623-489-6 : 531.00 р., 531.00 р.
ГРНТИ
УДК
ББК З852.3 + З 852.3

Аннотация: Рассмотрены физические принципы работы наиболее распространённых приборов полупроводниковой электронники- биполярных и полевых транзисторов- в их современном модернизированном исполнении на основе гетероструктурных композиций. На их примере дан анализ нового направления электроники - гетероструктурной наноэлектроники. Это часть более масштабного направления , называемого нанотехнологией, и охватывает она разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров.

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Московский государственный институт стали и сплавов (Технологического университета)
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (1), ЦНБ-АБ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ЦНБ-АБ (1)
   З84
   Т67
З 844.15 / Т67-ЦНБ-ХР

    Микросхемы, диоды, транзисторы
[Текст] : Справочник / С.В. Триполитов, А.В. Ермилов. - Москва : Машиностроение, 1994. - 381 с. : ил. - ISBN 5-217-02477-1. - ISBN 5-217-02477-1 (В пер.) : 65.00 р., 6500.00 р.
ГРНТИ
УДК
ББК З84 + З 844.15я22

Аннотация: В справочнике в табличной форме даны характеристики и эксплуатационные параметры наиболее распространенных и широко применяемых в бытовой и промышленной радиоэлектронной аппаратуре отечественных аналоговых и цифровых микросхем. транзисторов, диодов и их зарубежных аналогов. По всем распространенным приборам приведены сведения об их габаритных размерах, типе корпуса, цоколевке, буквенных и цветовых обозначениях. Указатель справочника позволяет быстро найти сведения о нужном приборе.

Держатели документа:
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44
Центральная научная библиотека КНЦ СО РАН : 660036, г. Красноярск, Академгородок, 50

Доп.точки доступа:
Ермилов, А.В.
Экземпляры всего: 2
ИВМ-ЧЗ (1), ЦНБ-ХР (1)
Свободны: ИВМ-ЧЗ (1), ЦНБ-ХР (1)
   З85
   П27
З 852 / П27-ИХХТ-АБ

    Высокочастотные транзисторы и их применение
[Текст] : материал технической информации / Б.Л. Перельман, К.М. Брежнева. - Москва : Энергия, 1977. - 176 с. : ил. - Библиогр: с.173-174. - 0.45 р., 0.45 р.
ГРНТИ
УДК
ББК З85 + З 852.3

Аннотация: В книге даны справочные сведения о высокочастотных транзисторах. Описаны конструктивно-технологические особенности транзисторов, эквивалентные схемы, методы измерения параметров, вопросы выбора режима работы приборов. Книга предназначена для широкого круга специалистов, занимающихся разработкой и эксплуатацией радиоэлектронной аппаратуры.

Держатели документа:
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44

Доп.точки доступа:
Брежнева, К.М.
Экземпляры всего: 2
ИВМ-Фонд (1), ИХХТ-АБ (1)
Свободны: ИВМ-Фонд (1), ИХХТ-АБ (1)
   З 852
   Е29
З 852 / Е29-ИХХТ-АБ

    Магнитодиоды, магнитотранзисторы и их применение
[Текст] : научное издание / Г. А. Егиазарян, В. И. Стафеев. - Москва : Радио и связь, 1987. - 89 с. : ил. - (Массовая библиотека инженера. Электроника). - Библиогр.: с. 86-89. - 0.30 р., 0.30 р.
ГРНТИ
ББК З 852.26 + З 852.36


Держатели документа:
Центральная научная библиотека КНЦ СО РАН : 660036, г. Красноярск, Академгородок, 50

Доп.точки доступа:
Стафеев, Виталий Иванович
Экземпляры всего: 2
ЦНБ-ХР (1), ИХХТ-АБ (1)
Свободны: ЦНБ-ХР (1), ИХХТ-АБ (1)
   З 852
   Н 58

    Отечественные полупроводниковые приборы и их зарубежные аналоги
/ А. В. Нефедов, В. И. Гордеева. - М. : Энергия, 1978. - 207 с. : ил. + 20см. - 0.95 р.
ГРНТИ
УДК
ББК З 852



Доп.точки доступа:
Гордеева, Валентина Ивановна
Экземпляры всего: 1
ИХХТ-АБ (1)
Свободны: ИХХТ-АБ (1)
53
П 50

    Теоретические основы электротехники
[Текст] : научное издание. Т. 1. Линейные электрические цепи с сосредоточенными постоянными / К. М. Поливанов. - М. : Энергия, 1972. - 240 с. : ил. - Библиогр.: с. 234. - Алф. указ.: с. 235-239. - 50000 экз. - 0.98 р.
УДК

Аннотация: В первом томе изложены элементы теории линейных цепей с сосредоточенными постоянными. Кратко рассмотрены триоды. полупроводниковые и электронные, в линейном режиме. Значительное внимание уделено рассмотрению переходных процессов в линейных цепях и, в частности, подробно рассмотрено воздействие импульсов; показано применение обобщённых функция.

Экземпляры всего: 1
ИЛ-Фонд (1)
Свободны: ИЛ-Фонд (1)