ГРНТИ | |||
УДК |
Рубрики:
Наноэлектроника полупроводниковая--Транзисторы
Кл.слова (ненормированные):
Триоды полупроводниковые -- Гетероструктуры полупроводниковые
Наноэлектроника полупроводниковая--Транзисторы
Кл.слова (ненормированные):
Триоды полупроводниковые -- Гетероструктуры полупроводниковые
Аннотация: Рассмотрены физические принципы работы наиболее распространённых приборов полупроводниковой электронники- биполярных и полевых транзисторов- в их современном модернизированном исполнении на основе гетероструктурных композиций. На их примере дан анализ нового направления электроники - гетероструктурной наноэлектроники. Это часть более масштабного направления , называемого нанотехнологией, и охватывает она разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров.
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Московский государственный институт стали и сплавов (Технологического университета)
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (1), ЦНБ-АБ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ЦНБ-АБ (1)