| УДК |
Аннотация: Монография посвящается вопросам аналитического и экспериментального исследования, разработки и применения логических и запоминающих схем, в которых длительность переходных процессов не превышает единиц и десятков наносекунд. В качестве активных элементов описываемых схем используются высокочастотные транзисторы, туннельные, накапливающие, импульсные и СВЧ-переключательные диоды. Рассматриваются как общие особенности наносекундных схем (предельные размеры элементов, виды и способы уменьшения помех), так и расчеты новых типов логических и запоминающих цепей (с избирательностью сброса, трехдиодных, радиоимпульсных и т.д.). Книга предназначается для широкого круга специалистов по вычислительной технике и радиоэлектронике, а также для аспирантов и студентов старших курсов соответствующих специальностей.
Держатели документа:
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44
Доп.точки доступа:
Трайто, Т.Г.; Яковлев, В.В.
Экземпляры всего: 1
ИВМ-Фонд (1)
Свободны: ИВМ-Фонд (1)