Сводный каталог книг

: Учеб. пособие / А.Ф. Алейников; Под ред. Цапенко М.П.; Новосиб. гос. техн. ун-т, Сиб. отд-ние Рос. акад. с.-х. наук, Гос. науч. учреждение Центр информ-вычисл. обеспечения, Сиб. отд-ние Рос. акад. наук. - [2-е изд., перераб. и доп.]. - Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2003. - 285 с. : ил. - ISBN 5-7782-0300-4 : 20.00 р.
Библиогр. в конце гл.

ГРНТИ

50.09.37

ББК З965-044.3я73


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Гридчин, В. А.; Цапенко, М. П.
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)

/ В. М. Шарапов, М. П. Мусиенко, Е. В. Шарапова ; рец. Ю. Д. Жуков, В. Я. Копп, Г. С. Тымчик. - М. : Техносфера, 2006. - 632 с. - (Мир электроники). - Библиогр. в конце глав. - Прилож. (перечень патентов) . - ISBN 5-94836-100-4 : 285.00 р.

ГРНТИ

47.09.33

ББК З843.41


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Мусиенко, Максим Павлович; Шарапова, Елена Валериевна; Жуков, Ю. Д. \рец.\; Копп, В. Я. \рец.\; Тымчик, Г. С. \рец.\
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)

/ Р. Г. Джексон ; пер. с англ. В. В. Лучинин. - М. : Техносфера, 2007. - 380 с. - (Мир электроники). - Предм. указ. - Пер. изд. : Novel Sensors and Sensing / R. G. Jackson. - 2004. - ISBN 978-5-94836-111-6 : 205.00 р.

ГРНТИ

47

ББК З842 + В37 + В341 + З97


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Лучинин, В. В. \пер. с англ.\; Jackson, R. G.
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)

: Сборник научно-технических статей. - Снежинск : РФЯЦ-ВНИИЭФ, 2005. - 240 с. - Библиогр. в конце ст. - ISBN 5-902278-11-2 : 188.80 р.

ГРНТИ

59

90.27

29.03.35

ББК К94 + Ж102.3 + В3в642


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)

/ О. М. Журавлев. - Снежинск : РФЯЦ-ВНИИЭФ, 2006. - 516 с. - Библиогр.: 152 назв. - ISBN 5-902278-15-5 : 637.20 р.

ГРНТИ

47.14

47.35.41

47.03.01

29.31.29

ББК З854.3 + В341.72 + К942


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)

: Пер. с англ. / ред. Э. Удд ; пер. И. Ю. Шкадина. - М. : Техносфера, 2008. - 520 с. - (Мир электроники). - Библиогр. - Пер. изд. : Fiber optic sensors. An introduction for engineers and scientists / Eric Udd. - 2006. - 3000 экз. - ISBN 978-5-94836-191-9-8 : 425.82 р.

ГРНТИ

47.35.41

ББК З854.3 + З965-044.3 + В341.72


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Удд, Эрик \ред.\; Шкадина, И. Ю. \пер.\; Udd, Eric
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)

: пер. с англ. / Р. Г. Джексон ; пер. В. В. Лучинин. - 2-е изд., доп. - М. : Техносфера, 2008. - 397 с. - (Мир электроники). - Библиогр. в конце глав. - Предм. указ.: с. 375. - Пер. изд. : Novel Sensors and Sensing / R. G. Jackson. - 2004. - 3000 экз. - ISBN 978-5-94836-168-0 : 204.07 р.

ГРНТИ

47

ББК З842 + В37 + В341 + З97


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Лучинин, В. В. \пер.\; Jackson, R. G.
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)

/ Ю. Н. Кульчин. - М. : Физматлит, 2001. - 272 с. - Библиогр.: с. 262-272. - ISBN 5-9221-0072-6 : 55.00 р.

ГРНТИ

50.09.37

47.14

47.03.01

47.35.41

29.31.29

29.03.31

47.35.37

ББК З854.3 + В341.72 + З965.378.07-044 + В341.93


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)

/ В. Г. Савенко. - М. : Связьиздат, 1963. - 113 с. : рис., граф. - Библиогр.: с. 110-112. - 7500 экз. - 0.33 р.

ГРНТИ

50.09.37

47.33.29

ББК З965-044.3 + З852


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)

/ Н. Р. Рахимов, О. К. Ушаков ; Сиб. гос. геодезич. академия. - Новосибирск : СГГА, 2010. - 217 с. ; 22 см. - Библиогр.: с. 200-208. - 300 экз. - ISBN 978-5-87693-365-2 : 350.00 р., 350.00 р.

ГРНТИ

47.33.33

50.09.37

50.09

ББК З854.3 + З 965

Аннотация: В настоящей монографии приведены результаты исследований эффекта аномально высоких фотоэлектрических напряжений (АФН) в полупроводниковых пленочных системах. Впервые изложена методика и приведены результаты экспериментальных исследований возможности получения эффективного координатно-чувствительного приемника оптического излучения из полупроводниковых соединений в виде ступенчатообразной АФН-пленки. Исследована возможность использования оптрона открытого канала для волоконно-оптических систем на основе излучателя и АФН-приемника. На базе АФН-пленок разработаны новые оптоэлектронные системы различного назначения. Книга рассчитана на специалистов в области оптики, физики полупроводников, микроэлектроники и специалистов, занимающихся разработкой оптоэлектронных приборов, а также может быть полезна преподавателям и студентам вузов.

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44

Доп.точки доступа:
Ушаков, Олег Кузьмич; Сибирская государственная геодезическая академия
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (1), ИВМ-Фонд (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ИВМ-Фонд (1)

. Ч. 2. Оптроника / О. Н. Ермаков [и др.]. - М. : Янус-К, 2011. - 611 с. - (Электроника в техническом университете : прикладная электроника / Под общ.ред. И.Б. Федорова). - Библиогр.: с. 609. - 300 экз. - ISBN 978-5-8037-0506-2 : 893.50 р.
    Содержание:
Перспективные оптоэлектронные материалы и структуры
Оптика и схемотехника оптоэлектронных приборов
Интегральная оптоэлектроника
Оптоэлектронные датчики
Оптоэлектронные системы
Фотоэлектрические формирователи изображения
Перспективные области применения
Органическая оптоэлектроника
Оптоэлектронная светотехника
Высокоэнергетичные системы оптической электроники

ГРНТИ

47.03

47.33.33

ББК З854.3я73 + В338.4я73


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Ермаков, Олег Николаевич; Пихтин, Александр Николаевич; Протасов, Юрий Юрьевич; Тарасов, Сергей Анатольевич
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)

/ В. В. Трегулов ; Мин-во образ. и науки РФ, Рязан. гос. ун-т им. С.А. Есенина. - Рязань : Рязан. гос. ун-т, 2011. - 123 с. ; 20 см. - Библиогр.: с. 116-122. - 200 экз. - ISBN 978-5-88006-677-3 : 185.00 р., 185.00 р.
    Содержание:
Технология изготовления пористого кремния
Фотолюминесценция пористого кремния
Электрофизические свойства пористого кремния
Светоизлучающие диоды на основе пористого кремния
Фотоэлектрические преобразователи для солнечной энергетики
Приборы СВЧ-диапазона
Химические датчики на основе пористого кремния

ГРНТИ	61.31.47	45.09.35	29.19.31	47.09.29	53.41.31
УДК	621.382^V3

ББК Ж362 + Л253.2 + В379.2 + Л253.2

Аннотация: Рассматриваются вопросы технологии изготовления пористого кремния, его структурные свойства, люминесцентные и электрофизические характеристики, особенности применения при изготовлении полупроводниковых приборов, процессы пассивации слоев материала с целью стабилизации их характеристик.

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Министерство образования и науки Российской Федерации; Рязанский государственный университет им. С.А. Есенина
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (1), ИХХТ-АБ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ИХХТ-АБ (1)

: автореферат дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.03 / С. В. Бутаков ; науч. рук. Б. А. Беляев ; офиц. опп.: Г. Я. Шайдуров, Д. А. Великанов ; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики им. Л.В. Киренского, вед. орг. Томск. гос. ун-т. - Красноярск, 2001. - 23 с. - Библиогр. - 80 экз. -

ГРНТИ

29.19.16

50.09.37

29.35.47

47.45.99

47.09.35

ББК З843.5я031


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Беляев, Борис Афанасьевич \науч. рук.\; Belyaev, B. A.; Шайдуров, Георгий Яковлевич \офиц. опп.\; Великанов, Дмитрий Анатольевич \офиц. опп.\; Velikanov, D. A.; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Томский государственный университет
Экземпляры всего: 1
ИФ-ДС (1)
Свободны: ИФ-ДС (1)

/ О. В. Снитко, А. В. Саченко [и др.] ; под общ. ред. О. В. Снитко ; Акад. наук Укр. ССР, Ин-т полупроводников. - Киев : Наукова думка, 1981. - 331 с. : ил. - Библиогр.: с. 304-328. - 1850 экз. - 3.40 р., 3.40 р.
    Содержание:
Электронные явления на поверхности полупроводников
Теоря поверхностных неравновесных электронных процессов в полупроводниках
Физические свойства реальной поверхности германия и кремния, легированной примесями металлов
Импульсная адсорбция молекул на поверхности полупроводников и газовые датчики на ее основе
Электрофизические свойства МДП-структур, имплантированных ионами бора
Роль поверхности в формировании фотоэлектрической памяти в арсениде галлия
Приповерхностное перезаселение долин в электронном кремнии
Поверхностные поляритоны в карбиде кремния
Кристаллическое строение и колебание атомов на атомарно-чистой поверхности полупроводников
Дислокации границы раздела и остаточные деформации в эпитаксиальных пленках
Электрохимические явления на границе раздела полупроводник-расплав

ГРНТИ

29.19.31

ББК В379.212.5

Аннотация: Монография посвящена изложению физических процессов формирования неравновесных электронных и оптических явлений на поверхности и в приповерхностных слоях полупроводников, изучению микромеханизмов, ответственных за их формирование, и установлению природы наблюдаемых эффектов. Обсуждаются вопросы, относящиеся к смежной области: физико-химии поверхности полупроводников и границ радела.

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Центральная научная библиотека КНЦ СО РАН : 660036, г. Красноярск, Академгородок, 50

Доп.точки доступа:
Снитко, О. В.; Саченко, А. В.; Примаченко, В. Е.; Антощук, В. В.; Снитко, О. В. \ред.\; Академия наук Украинской ССР; Институт полупроводников АН Украинской ССР
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (1), ЦНБ-ХР (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ЦНБ-ХР (1)

: [справочное пособ.] / В. М. Шарапов [и др.] ; ред. Е. С. Полищук. - М. : Техносфера, 2012. - 616 с. - (Мир электроники ; VII.44). - Библиогр. в конце гл. - 1000 экз. - ISBN 978-5-94836-316-5 : 840.00 р.

ГРНТИ

50.09.37

ББК З965-044.3


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Шарапов, Валерий Михайлович; Полищук, Евгений Степанович; Кошевой, Николай Дмитриевич; Ишанин, Геннадий Григорьевич; Минаев, Игорь Георгиевич; Совлуков, Александр Сергееевич; Полищук, Евгений Степанович \ред.\
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)

/ С. Г. Новиков, Н. Т. Гурин ; Ульян. гос. ун-т. - Ульяновск : УлГУ, 2012. - 151 с. : ил. - Библиогр.: с. 143-151. - 500 экз. - ISBN 978-5-88866-458-2 : 60.00 р., 60.00 р.

ГРНТИ	47.33.29
УДК	621.383^V3

ББК З854.2 + З 854.2

Аннотация: В монографии отражены наиболее существенные результаты разработки, моделирования и исследования позиционно - и координатно-чувствительных полупроводниковых фотоприёмников с отрицательной дифференциальной проводимостью. Монография предназначена для специалистов, занимающихся оптоэлектроникой, проектированием и разработкой оптоэлектронных систем контроля и управления устройствами мехатроники, автоматики и микросистемной техники.

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Гурин, Нектарий Тимофеевич; Ульяновский государственный университет
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (1), ЦНБ-АБ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ЦНБ-АБ (1)

/ Ю. К. Фетисов, В. Н. Серов. - [Б. м.] : LAP Lambert Academic Publishing, 2014. - 76 с. - Библиогр.: 31 назв. - ISBN 978-3-659-63912-8 : Б. ц.

ГРНТИ

29.03.35

47.53.29

59.29.33

47.59.45

ББК З856.4


Смотреть книгу

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Серов, Владимир Никитович
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)

[Текст] : В 2-х книгах. Кн.1 / Ж. Аш, П. Андре, Ж. Бофрон и др. ; Под ред. А.С. Обухова. - Перевод изд.: Les capteurs en instrumentation industrielle. - Москва : Мир, 1992. - 480 с. : ил + табл. - Библиогр. в конце разд. - ISBN 5-03-001249-4 : 1.05 р.

УДК	681.508%ББК 30.10

Аннотация: В книге известного французского специалиста по измерениям и его сотрудников представлены обширные сведения о принципах работы, конструкции, характеристиках и условиях эксплуатации всех современных типов датчиков, используемых в различных областях науки и техники. В кн.1 вводятся основные понятия и рассматриваются некоторые типы датчиков. Для научных работников-экспериментаторов и инженеров-испытателей, а также для преподавателей, аспирантов и студентов, специализирующихся в области экспериментальных исследований и измерений.

Держатели документа:
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44
Экземпляры всего: 1
ИВМ-Фонд (1)
Свободны: ИВМ-Фонд (1)

[Текст] : В 2-х книгах / Пер. с французского. - Москва : Мир, 1992. - 419 с. : ил + табл. - Кн.2. Библиогр: в конце главы. - ISBN 5-03-001642-2 : 1.15 р.

УДК	681.508%ББК 30.10

Аннотация: В книге известного французского специалиста по измерениям и его сотрудников представлены обширные сведения о принципах работы, конструкции, характеристиках и условиях эксплуатации всех современных типов датчиков, используемых в различных областях науки и техники. В кн.2 рассматриваются датчики различных типов. Для научных работников-экспериментаторов и инженеров-испытателей, а также для преподавателей, аспирантов и студентов, специализирующихся в области экспериментальных исследований и измерений.

Держатели документа:
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44
Экземпляры всего: 1
ИВМ-Фонд (1)
Свободны: ИВМ-Фонд (1)

[Текст] : монография / Т.Окоси и др.; Под ред. Т.Окоси; Пер. с яп. Г.Н.Горбунова. - Ленинград : Энергоатомиздат, 1991. - 256 с. : ил. - ISBN 5-274-03123-3. - 1.60 р.

УДК	681.586.5%ББК 22.34

Аннотация: Обобщен опыт, накопленный в области разработки и применения волоконно-оптических измерительных преобразователей различных физических величин. Рассмотрены методы представления информации, типы волоконно-оптических датчиков, оптические волокна, светоизлучающие и светоприемные устройства, элементы оптических схем, волоконно-оптические гироскопы. Для инженерно-технических работников в области промышленных и экспериментальных измерений, автоматики и информационно-измерительной техники.

Держатели документа:
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44
Экземпляры всего: 1
ИВМ-Фонд (1)
Свободны: ИВМ-Фонд (1)