| ГРНТИ | |||
| УДК |
Рубрики:
Схемы интегральные--Излучение ионизирующее
Кл.слова (ненормированные):
радиационные эффекты -- кремниевые интегральные схемы -- космическое применение -- ионизирующее излучение -- микроэлектроника -- наноэлектроника -- электрофизика -- полупроводники -- радиационное облучение -- дозовые ионизационные эффекты -- космическая радиация -- МОП-структуры -- КМОП-структуры -- микросхемы -- низкоинтенсивное ионизирующее излучение -- ELDRS
Схемы интегральные--Излучение ионизирующее
Кл.слова (ненормированные):
радиационные эффекты -- кремниевые интегральные схемы -- космическое применение -- ионизирующее излучение -- микроэлектроника -- наноэлектроника -- электрофизика -- полупроводники -- радиационное облучение -- дозовые ионизационные эффекты -- космическая радиация -- МОП-структуры -- КМОП-структуры -- микросхемы -- низкоинтенсивное ионизирующее излучение -- ELDRS
Аннотация: В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц. Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.
Дополнительные материалы по теме
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Улимов, Виктор Николаевич; Членов, Александр Михайлович
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (1), ЦНБ-АБ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ЦНБ-АБ (1)