Сводный каталог книг

/ К. И. Таперо, В. Н. Улимов, А. М. Членов. - М. : БИНОМ. Лаб. знаний, 2012. - 304 с. - Библиогр.: 106 назв. . - 1000 экз. - ISBN 978-5-9963-0633-6 : 324.00 р., 310.50 р.

ГРНТИ	47.41	59.43	55.49
УДК	621.38

ББК З844.15 + О 661.5-01 + З844

Аннотация: В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц. Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.

Дополнительные материалы по теме

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Улимов, Виктор Николаевич; Членов, Александр Михайлович
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (1), ЦНБ-АБ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ЦНБ-АБ (1)

: учеб. пособие / В. Д. Попов, Г. Ф. Белова. - СПб. [и др.] : Лань, 2013. - 207 с. - (Учебники для вузов. Специальная литература). - Библиогр.: с. 200-204. - 700 экз. - ISBN 978-5-8114-1375-1 : 856.00 р., 856.00 р.
    Содержание:
Общие принципы проектирования ИМС
Проектирование ИМС на МОП-транзисторах
Проектирование биполярных ИМС
Проектирование гибридных ИМС
Конструктивные методы повышения надежности ИМС
Конструктивные методы повышения радиационной стойкости ИМС

ГРНТИ	47.14.07
УДК	621.386.049.77(075.8)

ББК З844.15-02я73 + З844.150.2-02я73

Аннотация: Изложены физические аспекты проектирования цифровых кремниевых микросхем в твердотельном и гибридном исполнении. Рассмотрены вопросы проектирования МОП и биполярных транзисторов и диодов, а также пассивных элементов (резисторов, конденсаторов, проводников и контактных узлов). Изложены вопросы проектирования элементов гибридных микросхем. Много внимания уделено проектированию МОП и КМОП интегральных микросхем(ИМС), т. к. в настоящее время именно эти ИМС занимают ведущие позиции в производстве микросхем в целом. Основной особенностью данного учебного пособия является описание методов повышения надежности и радиационной стойкости ИМС, поскольку микросхемы широко используются в экстремальных условиях эксплуатации. Учебное пособие предназначено для преподавателей, аспирантов и студентов, специализирующихся по направлениям микроэлектроники, электроники, электронных измерительных систем, а также специалистов, интересующихся надежностью и радиационной стойкостью ИМС.

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Белова, Галина Федоровна
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (1), ЦНБ-АБ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ЦНБ-АБ (1)

[Текст] : монография / Ричард Маллер, ТеодорКейминс; Пер. с англ. Е.З.Мазеля и Л.С. Ходоша. - Перевод издания: Device Electronics for integrated circuits / R.S. Muller, T.I. Kamins. - Москва : Мир, 1989. - 630 с. : ил. - Библиогр: в конце гл. - Предмю указ.: с.624-626.%ISBN 5-03-001100-5. - 3.20 р.

УДК	621.3%ББК 32.85

Аннотация: В книге американских специалистов изложены основы физики и технологии изготовления элементов кремниевых ИС, принципы их действия, вопросы расчета и конструирования, а такжк математические модели, используемые для проектирования как самих элементов, так и цифровых и аналоговых ИС на их основе. Большое внимание уделяется математическим моделям элементов ИС, предназначенным для систем автоматизированного проектирования. Рассмотрен ряд специфических для ИС элементов: биполярные транзисторы с оксидной изоляцией, КМОП-структуры и т.д. Для специалистов по проектированию полупроводниковых ИС, инженеров-технологов полупроводникового производства, а также студентов и аспирантов соответствующих специальностей.

Держатели документа:
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44

Доп.точки доступа:
Кейминс, Теодор
Экземпляры всего: 1
ИВМ-Фонд (1)
Свободны: ИВМ-Фонд (1)