Сводный каталог книг

/ В. Ф. Бойко, С. В. Николенко ; Институт материаловедения ХНЦ ДВО РАН. - Владивосток : Дальнаука, 2008. - 179 с. - Библиогр.: с. 167-175. - 300 экз. - ISBN 978-5-8044-0852-8 : 106.00 р., 106.00 р.

ГРНТИ	31.15.37	81.09.03	52.45	52.45
УДК	544.77^V3	622.733

ББК Ж306 + И419-1 + И419-1


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Центральная научная библиотека КНЦ СО РАН : 660036, г. Красноярск, Академгородок, 50

Доп.точки доступа:
Николенко, Сергей Викторович; Российская академия наукДальневосточное отделение РАН; Хабаровский научный центр Дальневосточного отделения РАН; Институт материаловедения Хабаровского научного центра Дальневосточного отделения РАН
Экземпляры всего: 3
ИФ-КФ (1), ИХХТ-АБ (1), ЦНБ-АБ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ИХХТ-АБ (1), ЦНБ-АБ (1)

: [сб. ст.]. Вып. 6 / Ин-т кристаллографии АН СССР, Акад. наук СССР ; ред.: А.В. Шубников, Г. Г. Леммлейн. - М. : Изд-во АН СССР, 1951. - 292 с. : фот. - Библиогр. в конце ст. - 1200 экз. - 1.64 р.
    Содержание:
Порай-Кошиц, Михаил Александрович. О структуре кристаллов β-модификации тетранитропалладита рубидия и цезия / М. А. Порай-Кошиц
Меланхолин, Николай Митрофанович. Применение новой модели интерферометра для измерения показателей поляризационного преломления иммерсионных сред / Н. М. Меланхолин
Топор, Н. Д. Кристаллы комплексных соединений металлов платиновой группы (10-я статья) / Н. Д. Топор
Порай-Кошиц, Михаил Александрович. Об изоморфии кристаллов тетранитропалладита рубидия и цезия / М. А. Порай-Кошиц
Константинова, В. П. Диэлектрическая постоянная текстур из сегнетовой соли / В. П. Константинова
Константинова, В. П. Электрические свойства текстуры из сегнетовой соли / В. П. Константинова
Леммлейн, Г. Г. Распределение окраски в кристаллах кварца / Г. Г. Леммлейн
Леммлейн, Г. Г. Спектрофотометрические исследования окрашенных кварцев / Г. Г. Леммлейн
Флинт, Евгений Евгеньевич. Гониометрические исследования новых веществ. 4. мета-мышьяковыстокислый натрий NaHAs[[d]]2[[/d]]O[[d]]4[[/d]] / Е. Е. Флинт
Цукерман, Л. И. Микрофотографирование темных минералов при освещении параболическим зеркалом / Л. И. Цукерман
Цинзерлинг, Е. В. Исследование фигур вдавливания на стекле в проходящем поляризованном свете / Е. В. Цинзерлинг
Ямзин, И. И. Атомное рассеяние электронов. (Проверка законов атомного рассеяния электронов по интенсивностям электронограмм) / И. И. Ямзин
Шубников, Алексей Васильевич. Пьезоэлектрический эффект в двойниках кварца / А. В. Шубников
Флинт, Е. Е. Прибор для демонстрации закона целых чисел и установки кристаллов / Е. Е. Флинт
Флинт, Евгений Евгеньевич. Рационализация методики измерения кристаллов / Е. Е. Флинт
Флинт, Е. Е. Разметка шариков для структурных моделей / Е. Е. Флинт
Флинт, Евгений Евгеньевич. Гониометрические исследования новых веществ / Е. Е. Флинт
Бокий, Георгий Борисович. Кристаллизационная сила грани октаэдра квасцов / Г. Б. Бокий
Буровая, Э. Е. Кристаллы комплексных соединений металлов платиновой группы (9-я статья) / Э. Е. Буровая
Вайнштейн, Борис Константинович. Симметрия электронограмм / Б. К. Вайнштейн
Белов, Николай Васильевич. О зеркальных (зеркальноповоротных) осях в пространственных группах симметрии / Н. В. Белов
Белов, Николай Васильевич. Классный метод вывода пространственных групп симметрии / Н. В. Белов
Белов, Николай Васильевич. Природа аустенитовой фазы / Н. В. Белов
Белов, Николай Васильевич. О тройных поворотах в кристаллографических группах / Н. В. Белов
Вайнштейн, Борис Константинович. Электронографическое исследование структуры фтористого бария / Б. К. Вайнштейн
Гильварг, А. Б. Способ ориентировки кристаллов кварца по штриховке на паре смежных граней острых ромбоэдров, или так называемой "призмы" / А. Б. Гильварг
Вайнштейн, Борис Константинович. Интенсивность рефлексов электронограмм косых текстур / Б. К. Вайнштейн
Вайнштейн, Борис Константинович. Электронограммы от текстур / Б. К. Вайнштейн
Вайнштейн, Борис Константинович. Ориентация серебра на карбиде кремния / Б. К. Вайнштейн, Г. Г. Леммлейн
Белов, Николай Васильевич. Кристаллическая структура миларита / Н. В. Белов, Р. Г. Матвеева
Леммлейн, Г. Г. Об окраске двухцветных кристаллов топаза / Г. Г. Леммлейн, Н. М. Меланхолин
Белов, Николай Васильевич. Применение методов гармонического анализа для установления параметров кристаллических структур по стандартным порошковым рентгенограммам / Н. В. Белов, В. И. Мокеева
Вайнштейн, Борис Константинович. Опыт рентгеноскопического изучения изгиба кристаллов, используемых в рентгеновских спектрографах / Б. К. Вайнштейн, К. И. Нарбутт, А. Б. Гильварг
Вайнштейн, Борис Константинович. Электронографическое исследование парафина / Б. К. Вайнштейн, З. Г. Пинскер
Белов, Николай Васильевич. Определение параметров структуры берилла методом частичных проекций / Н. В. Белов, Т. Н. Тархова

ГРНТИ

29.19.04

29.19.23

ББК В371я54 + В373я54 + В374я54


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Шубников, Алексей Васильевич \ред.\; Леммлейн, Г. Г. \ред.\; Академия наук СССР; Институт кристаллографии АН СССР
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)

: [учеб. пособие] / Г. Оуэн ; пер. с англ. И. Н. Врублевской [и др.] под ред.: А. А. Корбут. - М. : Мир, 1971. - 230 с. - Библиогр. : с. 220 - 225. - Предм. указ. : с. 226 - 228. - Пер. изд. : Game theory / Guillermo Owen. - 1.01 р.
    Содержание:
Воробьев, Н. Н. Предмет и содержание теории игр / Н. Н. Воробьев
Определение игры
Антагонистические игры
Линейное программирование
Бесконечные игры
Многошаговые игры
Теория полезности
Игры двух лиц с произвольной суммой
Игры n лиц
Другие понятия решения в играх n лиц
Модификации понятия игр

ГРНТИ

28.29.05

ББК В183.3я73


Полный текст

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Врублевская, И. Н. \пер.\; Дюбина, Г. Н. \пер.\; Ляпунов, А. Н. \пер.\; Корбут, А. А. \ред.\; Owen G.; Owen, Guillermo
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)

: сб. статей : пер. с англ. / под ред. А. А. Овчинникова. - М. : Мир, 1975. - 400 с. - Библиогр. в конце ст. - Предм. указ: с. 386-396. - 2.69 р., 2.69 р.
    Содержание:
Слэтер, Дж. Энергетические зоны и теория твердых тел / Дж. Слэтер
Филлипс, Дж. Интерполяционные схемы и модельные гамильтоны в зонной теории / Дж. Филлипс
Браст, Д. Метод псевдопотенциала и спектры одночастичного электронного возбуждения кристаллов / Д. Браст
Маттис, Л. Расчет электронных энергетических зон с помощью симметризованных присоединенных плоских волн / Л. Маттис
Дальтон, Н. Обобщения релятивистского ОПВ-метода с учетом перекрывющихся и неперекрывающихся орбиталей / Н. Дальтон
Кон, У. Функции Ванье / У. Кон
Шнейдер, Т. Т. К теории металлического лития / Т. Т. Шнейдер, Е. Столл
Дин, П. Колебательные спектры неупорядоченных систем. Численные результаты / П. Дин
Уэйр, Д. Электронная структура аморфных полупроводников / Д. Уэйр, М. Торп
Хендерсон, Д. Кристаллические модификации германия и модель сильной связи для электронной структуры аморфных твердых тел / Д. Хендерсон, И. Ортенбургер
Келлер, Х. Рассеяние на кластерах в аморфных полупроводниках и жидких металлах / Х. Келлер
Киркпатрик, С. Сосуществование локализованных и делокализованных состояний / С. Киркпатрик, Т. Эгартер
Фрид, К. Свойства локализованных состояний в неупорядоченных системах / К. Фрид
Марч, Н. Эффекты электронной корреляции и их роль в распределении плотности заряда и импульса в кристаллах / Н. Марч, Дж. Стоддарт

ГРНТИ	29.19.24
УДК	539.2

ББК В371.21с.я43 + В371.12с.я43 + В372.11я43


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Овчинников, А. А. \ред. пер.\
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (1), ИХХТ-АБ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ИХХТ-АБ (1)

/ В. И. Борисов [и др.]. - Изд. 2-е перераб. - М. : Машиностроение, 1964. - 426 с. - Б. ц.

ГРНТИ

55.43.29

ББК О335.52


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Борисов, В. И.; Гор, А. И.; Невзоров, А. М.; Рыбинский, Д. А.; Соловьев, В. С.; Эварт, Г. В.
Экземпляры всего: 1
ИФ-Музей (1)
Свободны: ИФ-Музей (1)

/ С. П. Губин, С. В. Ткачев. - М. : ЛИБРОКОМ, 2011. - 101 с. ; 22 см. - Библиогр.: с. 86-101 (204 назв.). - ISBN 978-5-397-02076-3 : 245.00 р., оц. ст-ть 100.00 р.
    Содержание:
Графит и его соединения
Наноформы углерода
Терминология
Методы получения графена и его аналогов
Методы характеризации графена
Физические характеристики - свойства графена
Химия графена и его аналогов
Металлсодержащие наночастицы на поверхности графена и родственных объектов
Материалы на основе графена и его аналогов
Устройства (электронные приборы, элементы схем) на основе графена; "углеродная" электроника

ГРНТИ

61.31.40

29.19.22

31.25

ББК В371.26 + Л252 + Г741,0

Аннотация: В настоящей книге представлен краткий обзор углеродсодержащих нанообъектов на основе графита и продуктов его модификации. Основное внимание уделено новому углеродному наноматериалу - графену. Описано, что именно понимают под термином "графен" в русской и зарубежной научной литературе, приведены основные методы получения графена, его физико-химические свойства, показана возможность получения композитов и соединений на основе графена, а также перечислены основные направления применения этого перспективного материала.

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Ткачев, Сергей Викторович
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (1), ЦНБ-АБ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ЦНБ-АБ (1)

: [сб. в 2 ч.] / Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т неорган. химии. - Новосибирск : Наука, Сиб. отд-ние, 1977. - 2800 экз. / отв. ред. д-р хим. наук Ф. А. Кузнецов. - 1977. - 314 с. : рис., фот. - Библиогр. в конце ст. - Б. ц.
    Содержание:
Закономерности роста и распределения примесей при кристаллизации из газовой фазы . - С .6-115
Маслов, В. Н. Полупроводниковые периодические структуры, их применение и методы получения / В. Н. Маслов. - С .6-17
Нишизава, ДЖ. Механизм роста кристаллов в системе SiCl4-H2 / ДЖ. Нишизава, У. Като, М. Шимбо. - С .17-21
Биленко, Д. И. Изучение в ходе процесса макрокинетики локального травления кремния гексафторидом серы / Д. И. Биленко [и др.]. - С .21-27
Другие авторы: Галишникова Ю. Н., Лопатина Л. Б., Смирнов А. И., Тучкевич В. В., Явич Б. С.
Буттер, Е. Некоторые особенности синтеза монокристаллических слоев нитрида галлия / Е. Буттер. - С .27-29
Новоселова, А. В. P-T-X фазовые диаграммы и механизм роста монокристаллов соединений группы IV-VI из пара / А. В. Новоселова [и др.]. - С .30-34
Другие авторы: Зломанов В. П., Масякин Е. В., Тананаева О. И.
Кузнецов, Ф. А. О возможности безводородного метода получения пленок нитрида кремния / Ф. А. Кузнецов [и др.]. - С .34-41
Другие авторы: Буждан Я. М., Белый В. И., Смирнова Т. П., Кошечкова А. А., Кравченко В. С.
Румянцев, Ю. М. Исследование переноса и кристаллизации Ga1-xInxAs в газотранспортной системе Ga-In-As-I-H / Ю. М. Румянцев [и др.]. - С .41-45
Другие авторы: Демин В. М., Коковин Г. А., Федорова Т. В.
Александрова, Галина Алексеевна. Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида индия в открытой хлоридной системе / Г. А. Александрова [и др.]. - С .45-50
Другие авторы: Дорская Е. Н., Лымарь Г. Ф., Марчуков Л. В., Шубин А. Е.
Радауцан, С. И. Выращивание монокристаллов ZnTe, легированных изоэлектронными примесями второй группы / С. И. Радауцан, А. Е. Цуркан, В. И. Верлан. - С .50-54
Радауцан, С. И. Особенности выращивания эпитаксиальных слоев ZnTe на кристаллах цинкита / С. И. Радауцан [и др.]. - С .54-58
Другие авторы: Цуркан А. Е., Пасько П. Г., Кичерман Л. В.
Скворцов, И. М. О роли подготовки поверхности подложек при низкотемпературной эпитаксии кремния / И. М. Скворцов, Б. В. Орион. - С .58-62
Опперман, Г. Влияние отклонения от стехиометрии и концентрации легирующей примеси на переход полупроводник-металл в двуокиси ванадия / Г. Опперман. - С .62-65
Леонов, В. П. Теоретическое исследование возникновения неоднородностей толщины слоев при осаждении из газовой фазы / В. П. Леонов, В. Г. Цепилевич, Ф. А. Кузнецов. - С .66-69
Маслов, В. Н. Эпитаксиальный рост и свойства варизонных твердых растворов GaAs-GaAs0,64 P0,36 / В. Н. Маслов [и др.]. - С .69-74
Другие авторы: Лупачева А. Н., Коробов О. Е., Ухорская Т. А., Юрова Е. С.
Дьяконов, Л. И. Исследование переходных процессов при выращивании многослойных структур арсенида галлия / Л. И. Дьяконов [и др.]. - С .74-79
Другие авторы: Деменков Н. М., Кривко Л. А., Гуляева А. С., Руда Б. И.
Жиляев, Ю. В. Особенности эпитаксиального выращивания твердых растворов Gax In1-x P методом химических транспортных реакций / Ю. В. Жиляев [и др.]. - С .79-85
Другие авторы: Конников С. Г., Румянцев В. Д., Улин В. П.
Грейсух, М. Р. Влияние облучения на захват примеси при кристаллизации полупроводников / М. Р. Грейсух. - С .85-87
Мигаль, В. П. Влияние лимитирующих условий роста на электрофизические свойства эпитаксиальных слоев германия / В. П. Мигаль, Н. Н. Мигаль, Ю. О. Кантер. - С .88-93
Мигаль, В. П. Травление германия в потоке HJ+H2 / В. П. Мигаль, Ю. О. Кантер. - С .93-96
Гайдуков, Г. Н. Диффузионные процессы в эпитасиальнорастущих пленках / Г. Н. Гайдуков, Б. Я. Любов. - С .96-101
Фалькевич, С. Структурное совершенство и однородность осаждения слоев, полученных в процессе разложения силана / С. Фалькевич [и др.]. - С .102-106
Другие авторы: Петрик А. Г., Шварцман Л. Я., Шейхет Э. Г., Николашин Ж. П., Трайнин А. Л.
Толомасов, В. А. Исследование эпитаксиальных слоев кремния, подвергнутых в процессе роста бомбардировке ионами низких энергий / В. А. Толомасов [и др.]. - С .106-110
Другие авторы: Рубцова В. А., Горшенин Г. Н., Гудкова Н. В., АбросимоваЛ. Н., Прохорова Л. М.
Нишизава, Дж. Эпитаксиальный рост кремния в Японии / Дж. Нишизава. - С .110-115
Закономерности роста кристаллов и пленок из расплава и раствора в расплаве . - С .116-203
Нишинага, Т. Применение теории морфологической стабильности к изучению волнистости слоев, полученных жидкостной эпитаксией / Т. Нишинага, К. Пак, С. Ушияма. - С .116-121
Орлов, В. П. Влияние гравитации на процессы жидкостной эпитаксии / В. П. Орлов, В. Г. Цепилевич. - С .121-124
Голубев, Л. В. Теоретические и экспериментальное исследование метода электрожидкостной эпитаксии / Л. В. Голубев [и др.]. - С .124-128
Другие авторы: Геворкян В. А., Каряев В. Н., Шмарцев Ю. В.
Вилисов, А. А. Влияние условий выращивания на свойствах эпитаксиальных слоев твердых растворов Alx Ga1-x Sb / А. А. Вилисов [и др.]. - С .128-131
Другие авторы: Вяткин А. П., Гермогенов В. П., Эпиктетова Л. Е.
Горемыкин, В. В. Получение эпитаксиальных слоев Gax In1-x методом жидкофазной эпитаксии / В. В. Горемыкин, Э И. Марков, И. П. Молодян. - С .132-135
Болховитянов, Ю. Б. Получение эпитаксиальных слоев GaAs с равномерным распределением примеси / Ю. Б. Болховитянов [и др.]. - С .135-138
Другие авторы: Мельников П. Л., Строителев С. А., Чикичев С. И.
Заможский, В. Д. Некоторые особенности выращивания слоев GaAs в изотермических условиях / В. Д. Заможский, Ф. А. Кузнецов. - С .138-141
Иванов-Омский, В. И. Эпитаксиальные слои Cdx Hg1-x Te / В. И. Иванов-Омский, В. К. Огородников, П. Г. Сидорчук. - С .141-144
Батырев, Н. И. Жидкофазная эпитаксия твердых растворов In1-xGaxP и (GaP)xZnSe1-x / Н. И. Батырев [и др.]. - С .144-147
Другие авторы: Вигдорович В. Н., Нестюрина Е. Е., Селин А. А., Уфимцев В. Д., Червяков А. И., Шумилин В. П.
Александрова, Галина Алексеевна. Выращивание столбчатых кристаллов арсенида индия через жидкую фазу с подпидкой из газовой фазы / Г. А. Александрова, Г. Ф. Лымарь, П. Б. Пащенко. - С .147-152
Акчурин, Р. Х. Особенности роста монокристаллов и эпитаксиальных пленок твердых растворов Pb1-xSnxTe при кристаллизации из жидкой фазы / Р. Х. Акчурин, А. А. Лобанов, В. В. Марычев. - С .152-156
Шигаев, С. М. К вопросу о получении гомогенных легированных твердых растворов системы германий-кремний / С. М. Шигаев, Ю. Г. Белашов. - С .156-158
Кутвицкий, В. А. Магнитная восприимчивость и предкристаллизационные явления в полупроводниковых расплавах / В. А. Кутвицкий. - С .159-162
Вахрамеев, С. С. Анализ полей температур и термоупругих напряжений в процессах выращивания монокристаллов из расплавов / С. С. Вахрамеев [и др.]. - С .162-168
Другие авторы: Мильвидский М. Г., Смирнов В. А., Щелкин Ю. Ф.
Вахрамеев, С. С. Анализ тепловых условий выращивания детекторного германия / С. С. Вахрамеев [и др.]. - С .169-173
Другие авторы: Гончаров Л. Г., Русин А. П., Щелкин Ю. ф.
Макеев, Х. И. Анализ распределений температур и тепловых потоков в области фронта кристаллизации при выращивании монокристаллов кремния методом Чохральского / Х. И. Макеев [и др.]. - С .173-176
Другие авторы: Погодин А. И., Старшинов И. П., Холодовская А. А.
Косов, А. В. К вопросу о подавлении флуктуаций температуры в расплавах при выращивании монокристаллов / А. В. Косов, Н. В. Бузовкина. - С .176-178
Розин, К. М. О механизмах формирования микронеоднородности в монокристаллах при росте из расплава / К. М. Розин, П. О. Саморуков, М. О. Шимановская. - С .179-182
Строителев, С. А. Кристаллохимические закономерности распределения примесей и основные условия получения химически однородных полупроводников / С. А. Строителев. - С .182-186
В., Е. Ильиных Распределение компонентов при выращивании монокристаллов германия, легированных золотом и сурьмой совместно / Е. Ильиных В., В. С. Земсков, О. Г. Муртазин. - С .186-190
Абдукаримов, Э. Т. Процессы кристаллизации легированного теллурида висмута / Э. Т. Абдукаримов [и др.]. - С .190-193
Другие авторы: Останина К. В., Орлов А. Г., Романенко В. Н., Сидоров А. Ф.
Бадиков, В. В. Исследование роста монокристаллов AgGaS2 / В. В. Бадиков [и др.]. - С .193-196
Другие авторы: Овчинникова В. А., Пивоваров О. Н., Скоков Ю. В., Скребнева О. В.
Сунагава, И. Деятельность японских ученых в области роста кристаллов / И. Сунагава. - С .196-198
Угай, Я. А. Получение монокристаллов фосфида германия / Я. А. Угай [и др.]. - С .198-200
Другие авторы: Соколов Л. И., Гончаров Е. Г., Лукин А. Н., Кавецкий В. С.
Алейникова, К. Б. Выращивание монокристаллов метастабильной ß-модификации CdAs2 / К. Б. Алейникова [и др.]. - С .200-203
Другие авторы: Зюбина Т. А., Работкина Н. С., Угай Я. А.
Новые методики роста кристаллов и пленок . - С .204-238
Нишизава, Дж. Эпитаксиальный рост соединений АIIIВV из жидкой фазы методом температурного градиента при контролируемом давлении пара / Дж. Нишизава, И. Окуно, Т. Сого. - С .204-209
Алферов, Жорес Иванович. Жидкостная эпитаксия структур с гетеропереходами в системе Al-Ga-As / Ж. И. Алферов [и др.]. - С .209-214
Другие авторы: Андреев В. М., Конников С. Г., Ларионов В. Р.
Родионов, А. В. Масс-спектрометрическое изучение состава газовой фазы при эпитаксии арсенида галлия в системе Ga-AsCl3-H2 / А. В. Родионов [и др.]. - С .214-218
Другие авторы: Свешников Ю. Н., Белоусов В. И., Афанасьев А. К.
Биленко, Д. И. Исследование хлоридного процесса получения эпитаксиальных слоев арсенида галлия "in siti" оптическим методом / Д. И. Биленко [и др.]. - С .218-222
Другие авторы: Родионов А. В., Свешников Ю. Н., Смирнов А. И., Цыпленков И. Н.
Заможский, В. Д. Изучение поверхности кристаллов методом световых фигур / В. Д. Заможский, В. Н. Вертопрахов. - С .222-225
Бобков, В. В. Исследование химического состояния поверхностей GaAs, GaP и Ga1-xAlxAsx / В. В. Бобков [и др.]. - С .225-227
Другие авторы: Коваль А. Г., Климовский Ю. А., Стрельченко С. С., Шубина В. В., Бондарь С. А., Матяш А. П.
Качурин, Г. А. Радиационные методы получения полупроводниковых пленок / Г. А. Качурин [и др.]. - С .227-230
Другие авторы: Придачин Н. Б., Романов С. И., Смирнов Л. С.
Лузин, А. Н. О роли фокусонов в формировании в формировании структуры растущего кристалла / А. Н. Лузин. - С .230-233
Лузин, А. Н. О бомбардировке медленными ионами поверхности растущей алмазоподобной пленки / А. Н. Лузин, Л. Л. Мендрин, А. В. Попов. - С .233-236
Киселева, Э Н. Преимущества совмещения очистки исходных веществ с синтезом кристаллов полупроводников / Э Н. Киселева, С. А. Строителев. - С .236-238
Химическое состояние примесей в кристаллах и пленках . - С .239-291
Родо, М. Фазовая диаграмма и кинетика выделения избыточных компонентов в нестехиометрических IV-VI соединениях / М. Родо [и др.]. - С .239-248
Другие авторы: Шнейдер М., Тьерри-Мит В., Гуллауме Дж.
Хабаров, Э. Н. Двухчастичная модель примесей и их взаимодействие а атомарных полупроводниках и полупроводниковых соединениях / Э. Н. Хабаров. - С .248-253
Балагурова, Е. А. Квазихимический подход к взаимодействию взаимнокомпенсирующих примесей в АIIIВV / Е. А. Балагурова [и др.]. - С .253-255
Другие авторы: Морозов В. Н., Рязанцев А. А., Хабаров Э. Н.
Вигдорович, В. Н. Взаимодействие примесей II и IVгрупп периодической системы в соединениях типа АIIIВV и природа твердых растворов типа АIIIВV - АIIВVI / В. Н. Вигдорович, В. Б. Уфимцев, В. П. Шумилин. - С .255-260
Вольф, Э. Соосаждение кремния с донорами и бором / Э. Вольф, М. Сейдлер, К. Барч. - С .260-265
Сэдед, Бахтуянг. Кислород в кремнии, выращенном методом зонной плавки / Бахтуянг Сэдед, К. Темпельхофф, Т. Тиме. - С .265-269
Бабич, В. М. Примесные комплексы, структурное совершенство и электрофизические свойства n-Ge / В. М. Бабич [и др.]. - С .269-272
Другие авторы: Баранский П. И., Ильчишин В. А., Шершель В. А.
Сидоров, Ю. Г. Отклонение поведения примесей от равновесного при эпитаксии / Ю. Г. Сидоров [и др.]. - С .272-276
Другие авторы: Васильева Л. Ф., Сидорова А. В., Сабинина И. В., Дворецкий С. А.
Хохлов, В. И. Свойство легированного арсенида при высоких температурах / В. И. Хохлов, С. А. Дворецкий, Ю. Г. Сидоров. - С .276-280
Драбкин, И. А. О возможности двухзарядовых состояний примеси индия в решетке PbTe и других халькогенидов / И. А. Драбкин, Б. Я. Мойжес. - С .280-283
Сорокин, Г. П. Образование кристаллических несовершенств Cu2S, Cu2Se, Cu2Te / Г. П. Сорокин [и др.]. - С .283-286
Другие авторы: Идричан Г. З., Андроник И. Я., Бодруг С. Н., Шевчук А. А.
Бушмарина, Г. С. Особенности растворения примесей в соединениях переменного состава Ge1-xTe и Sn1-xTe / Г. С. Бушмарина [и др.]. - С .286-290
Другие авторы: Грузинов Б. Ф., Лев Е. Я., Сысоева Л. М.
Полозова, И. Е. Влияние температурных режимов отжигов и закалки на состояние примеси серебра в германии / И. Е. Полозова [и др.]. - С .290-291
Другие авторы: Романычев Д. А., Тарасова И. М., Белашов Ю. Г.
Методы исследования неоднородностей в кристаллах и пленках . - С .292-310
Круглов, М. В. Исследование поверхностных нарушений структуры полупроводников методом внешнего фотоэффекта в условиях брэгговского отражения рентгеновских лучей / М. В. Круглов, В. Н. Шмелев, Б. Г. Захаров. - С .292-296
Блистанов, А. А. Анизотропия рассеяния инфракрасного излучения в монокристаллическом кремнии / А. А. Блистанов, В. Н. Вишняков, А. Г. Портнов. - С .296-300
Резниченко, М. Ф. Изучение микронеоднородностей полупроводников комбинированным методом модуляционной спектроскопии / М. Ф. Резниченко, В. Н. Вертопрахов. - С .300-304
Резниченко, М. Ф. Изучение неоднородностей легирования германия / М. Ф. Резниченко [и др.]. - С .304-307
Другие авторы: Усков Е. М., Рыбин Ю. А., Вертопрахов В. Н.
Усков, Е. М. Изучение микронеоднородного распределения примесей в монокристаллах кремния оптическим методом / Е. М. Усков, В. Н. Вертопрахов. - С .307-310

ГРНТИ

29.19.31

ББК В375.14я43 + З852я43


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Кузнецов, Ф. А. \ред.\; Смирнов, А. И.; Тучкевич, В. В.; Явич, Б. С.; Академия наук СССР; Сибирское отделение АН СССР; Институт неорганической химии Сибирского отделения АН СССР
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)

: пер. с англ. / Т. Альфорд, Л. Фельдман, Д. Майер ; пер.: А. Н. Образцов, М. А. Долганов ; науч. ред. А. Н. Образцов. - М. : Научный мир, 2012. - 390 с. - (Фундаментальные основы нанотехнологий: лучшие зарубежные учебники). - Библиогр. в конце гл. - Пер. изд. : Fundamentals of nanoscale film analysis / Terry L. Alford, Leonard C. Feldman, James W. Mayer. - 2007. - ISBN 978-5-91522-225-9 : 588.37 р., 588.37 р.

ГРНТИ	29.19.22
УДК	082.1	539.216.2

ББК В371.26 + В372.1-6я73

Аннотация: Книга посвящена рассмотрению проблем фундаментальной физики, лежащих в основе методов, используемых для изучения поверхностей и приповерхностных слоев материалов. Появление и развитие таких аналитических методик, основанных на явлениях взаимодействия частиц и излучения с веществом, обусловлено, прежде всего, ростом технологических потребностей. Ионная имплантация, электронные пучки и лазеры используются также и для модификации состава и структуры материалов. Осаждение потоков частиц, получаемых с помощью различных источников, позволяет получать пленочные материалы. Так, эпитаксиальные слои могут быть получены с использованием молекулярных пучков, а также с помощью физического и химического газофазного осаждения. Методики, основанные на изучении взаимодействия с частицами, позволяют, например, обеспечить контролируемые условия окислительных и каталитических реакций. Ключом к успешному использованию данных методик является широкая доступность аналитических технологий, чувствительных к составу и структуре твердых тел на нанометровом масштабе. Книга предназначена для специалистов в области материаловедения и инженеров, интересующихся использованием различных видов спектроскопии и/или спектрометрии. Для людей, занимающихся анализом материалов, которым необходима информация о технике, имеющейся за пределами и лабораторий; и особенно для студентов старших курсов и выпускников, собирающихся использовать это новое поколение аналитических методов в своей научной работе.

Содержание

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Фельдман, Леонард; Майер, Джеймс; Образцов, А. Н. \пер.\; Долганов, М. А. \пер.\; Образцов, А. Н. \науч. ред.\; Alford, Terry L. ; Feldman, Leonard C. ; Mayer, James W.
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (1), ЦНБ-АБ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ЦНБ-АБ (1)

[Препринт]. № 523Ф / Р. С. Исхаков, А. С. Чеканов, Л. А. Чеканова ; Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики им. Л.В. Киренского. - Красноярск : ИФ СО АН СССР, 1989. - 16 с. - Библиогр.: 11 назв. - 200 экз. -

ГРНТИ

29.31.26

29.19.16

ББК В371.26 + В379.212.6


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Чеканов, Альберт Станиславович; Chekanov A.S.; Чеканова, Лидия Александровна; Chekanova, L. A.; Iskhakov, R. S.; Академия наук СССР; Сибирское отделение АН СССР; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения АН СССР
Экземпляры всего: 2
ИФ-Препр. (2)
Свободны: ИФ-Препр. (2)

[Препринт] : (обзор результатов). № 45М / А. М. Кытманов, В. И. Быков ; Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики им. Л.В. Киренского. - Красноярск : ИФ СО АН СССР, 1988. - 28 с. - Библиогр.: 12 назв. - 200 экз. -

ГРНТИ

27.41.15

31.15.27

ББК В193.1 + Г544в631.7


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Быков, В. И.; Академия наук СССРСибирское отделение АН СССР; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения АН СССР
Экземпляры всего: 3
ИФ-Препр. (3)
Свободны: ИФ-Препр. (3)

[Препринт]. № 44М / А. М. Кытманов, В. И. Быков ; Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики им. Л.В. Киренского. - Красноярск : ИФ СО АН СССР, 1988. - 32 с. - Библиогр.: 19 назв. - 200 экз. -

ГРНТИ

27.41.15

31.15.27

ББК В193.1 + Г544в631.7


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Быков, В. И.; Академия наук СССРСибирское отделение АН СССР; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения АН СССР
Экземпляры всего: 3
ИФ-Препр. (3)
Свободны: ИФ-Препр. (3)

/ П. Е. Твердохлеб [и др.] ; отв. ред. П. Е. Твердохлеб ; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т автоматики и электрометрии, Новосиб. ин-т орган. химии им. Н.Н. Ворожцова, Ин-т теор. и прикл. механики. - Новосибирск : Изд-во СО РАН, 2012. - 352 с. : ил. - (Интеграционные проекты СО РАН ; вып. 39). - ISBN 978-5-7692-1245-1. - ISBN 978-5-7692-0669-6 : 1330.52 р., 1330.52 р.
Авт. указаны на с. 349
    Содержание:
Трехмерные голографические решетки: основные типы и характеристики
Оптическое коллинеарное гетеродинирование в голографических процессах
Органические светочувствительные материалы. новые механизмы записи голограмм
Физико-химические процессы при импульсной записи объемных голограмм в фотополимерных материалах
Управляемые внешними полями голографические полимерно-жидкокристаллические решетки
Лазерная макромодификация фотополимерных материалов, оптические и информационные свойства объемных голограмм
Многослойная лазерная микромодификация объемных светочувствительных материалов при двухфотонном возбуждении
Вейвлет-анализ оптических фазовых неоднородностей
Лазерная доплеровская томография объемных светочувствительных материалов

ГРНТИ

29.31.33

61.61

ББК В341.5 + Л919.96:В + В343.43 + В343.43 + Л919.96:В + В343.43

Аннотация: Объектами исследования в настоящей монографии являются объемные фазовые голограммы, в том числе с наложенной записью, фотонно-кристаллические решетки, неоднородные объемные голограммы, свойственные «проблемным» средам, фазовые микрорешетки с дискретно изменяемой фазой и трехмерные матрицы таких микрорешеток. Опытным путем подтверждена возможность записи однородных микро- и макрорешеток во всем объеме фотополимерных материалов и кристаллов ниобата и танталата лития. Представлены физические основы и экспериментальные методы трехмерной лазерной модификации фоторефрактивных сред в режимах линейного и нелинейного (двухфотонного, двухступенчатого) поглощения. Рассмотрены методы синтеза толстых фотополимерных материалов с фотоиндуцированным изменением показателя преломления и полимерно-жидкокристаллических композитов. Предложены томографические лазерные методы послойного исследования внутренних физических свойств объемных сред. Монография предназначена для научных работников, инженеров и аспирантов, специализирующихся в области оптической объемной голографии и ее приложений, а также для студентов университетов физико-технического профиля.

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44

Доп.точки доступа:
Твердохлеб, Петр Емельянович; Шелковников, Владимир Владимирович; Жаркова, Галина Михайловна; Щепеткин, Юрий Александрович; Пен, Евгений Федорович; Твердохлеб, Петр Емельянович \отв. ред.\; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения РАН; Новосибирский институт органической химии им. Н.Н. Ворожцова Сибирского отделения РАН; Институт теоретической и прикладной механики им. С.А. Христиановича Сибирского отделения РАН
Экземпляры всего: 8
ИФ-КФ (3), ИХХТ-АБ (1), ИВМ-Фонд (1), ЦНБ-АБ (3)
Свободны: ИФ-КФ (3), ИХХТ-АБ (1), ИВМ-Фонд (1), ЦНБ-АБ (3)

/ С. В. Коновалов, В. Е. Громов, Ю. Ф. Иванов ; Сиб. гос. индустриал. ун-т, Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т сильноточ. электроники. - Новокузнецк : Интер-Кузбасс, 2013. - 292 с. - (Фундаментальные проблемы современного материаловедения). - Библиогр.: с. 238-292 (481 назв.). - 250 экз. - ISBN 978-5-905647-07-9 : 310.00 р., 310.00 р.
    Содержание:
Модификация физических и механических свойств материалов, подвергающихся пластической деформации, внешними энергетическими воздействиями
Материалы и методики исследований
Влияние слабых электрических воздействий на изменение характера пластической деформации металлов и сплавов
Влияние слабых магнитных полей на изменение характера пластической деформации поликристаллического алюминия
Роль импульсных низкоэнергетических сильноточных электронных пучков в модификации перлитной и мартенситной стали

ГРНТИ	53.49.09	29.19.13
УДК	669.017:539.374

ББК В372.3 + К206.2 + В33

Аннотация: В монографии представлены результаты экспериментальных исследований, посвященных выявлению на различных структурных и масштабных уровнях закономерностей влияния воздействий слабыми электрическими потенциалами, магнитными полями, мощными токовыми импульсами, электронно-пучковой обработки на металлы и сплавы, подвергающиеся пластической деформации. Установлены и проанализированы физические механизмы влияния данных видов воздействий на свойства металлов и сплавов. Книга предназначена для специалистов в области физики конденсированного состояния, металловедения и термической обработки, механики деформируемого твердого тела, физического материаловедения и может быть полезна аспирантам и студентам старших курсов соответствующих специальностей.

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44

Доп.точки доступа:
Громов, Виктор Евгеньевич; Иванов, Юрий Федорович; Сибирский государственный индустриальный университет; Российская академия наукСибирское отделение РАН; Институт сильноточной электроники Сибирского отделения РАН
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (1), ИВМ-Фонд (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ИВМ-Фонд (1)

: сборник статей / Рос. акад. наук, Вычислит. центр. - М. : ВЦ РАН, 1993. - 204 с. - Библиогр. в конце ст. - 301 экз. - 296.00 р., 3.50 р.

ГРНТИ

30.17.33

ББК В253я43 + В25

Аннотация: Сборник содержит работы по численному моделированию процессов, происходящих при выделении энергии в газах и жидкостях. Это направление, которое можно назвать физической газодинамикой, связано с развитием лазерной и ускорительной техники, повышением интереса к течениям в контурах атомных реакторов, а также взрывным процессам в газах и жидкостях. Приводится ряд качественно новых результатов относительно газодинамики канала при лазерном пробое, неравновесной динамике процессов взаимодействия электронных пучков с газом, пульсаций парогазовых полостей при энерговыделении в воде. Численное моделирование ведется на базе схемы второго порядка аппроксимации на минимальном шаблоне. Разработаны модификации схемы, позволяющие выделять возникающие в течениях системы разрывы в рамках единого алгоритма.

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44

Доп.точки доступа:
Российская академия наук; Вычислительный центр РАН
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (1), ИВМ-Фонд (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ИВМ-Фонд (1)

: [материалы конф.] / Науч. совет по проблеме "Обработка конструкцион. материалов пучками заряжен. частиц", Сиб. отд-ние, Ин-т сильноточ. электроники ; отв. ред. Н. Н. Коваль. - Томск : [б. и.]. - 1994. - 184 с. - Библиогр. в конце ст. - 200 экз. - Б. ц.
    Содержание:
Источники пучков заряженных частиц для модификации материалов
Физика процессов воздействия ионных и электронных пучков на материалы

ГРНТИ

81.09.03

ББК Ж306я431


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Коваль, Н. Н. \ред.\; "Модификация свойств конструкционных материалов пучками заряженных частиц", конф. (3; 1994; Томск)Научный совет по проблеме "Обработка конструкционных материалов пучками заряженных частиц" М-ва науки и техн. политики Рос. Федер. и РАН; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт сильноточной электроники Сибирского отделения РАН
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)

[Текст] : монография / К. Васидзу; Пер. с англ. В.В. Кобелева, А.П. Сейраняна ; Под ред. Н.В. Баничука. - Москва : Мир, 1987. - 542 с. : ил. - Библиогр.: с. 509-531. - 3.10 р.ББК В25

Аннотация: Монография известного японского специалиста, излагающая с единых позиций построение вариационных принципов в теории упругости и пластичности и описывающая их приложения к конкретным задачам. Наряду с классическими вариационными принципами приведены модификации этих принципов, образующие основу построения методов конечных элементов; собран большой фактический материал, незаменимый при решении задач механики деформируемого тела. В научном и методическом отношении книгу можно поставить в один ряд с известными монографиями С.П. Тимошенко. Для научных работников, аспирантов и студентов, специализирующихся по прикладной математике и по механике, а также для инженеров и конструкторов.

Держатели документа:
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44
Экземпляры всего: 2
ИВМ-Фонд (1), ИВМ-ОРФ (1)
Свободны: ИВМ-Фонд (1), ИВМ-ОРФ (1)

[Текст] : Пособие / С.В. Мизрохи. - Москва : Память, 1992. - 61 с. - (Память человека и компьютеров). - 2.16 р.ББК З973

Аннотация: В пособии описана с точки зрения пользователя-программиста операционная система MS-DOS 5.0. Приведенная информация - описание команд, способов построения пакетных файлов и возможностей модификации операционной системы - позволит быстро и эффективно освоить и использовать персональный компьютер. Книга может оказаться полезной как для начинающего пользователя, так и для программиста со стажем.

Держатели документа:
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44
Экземпляры всего: 1
ИВМ-Фонд (1)
Свободны: ИВМ-Фонд (1)

[Текст] : Учебное пособие для вузов по спец. Геофиз. методы поисков и разведки месторождений пол. ископаемых". / Л.А. Рябинкин. - Москва : "Недра", 1987. - 182 с. : 56 ил + 2 табл. - Библиогр: с. 181 В надзаг.:. - 0.45 р.

УДК	550.834.01(075.8)

Аннотация: Рассмотрены элементы упругости (теории напряжений, деформаций, уравнение упругости и волновое уравнение), распространение свободных волн с фронтами различной формы в безграничной и ограниченной средах. Описаны источники вынужденных упругих волн, их группирование и образование интерференционных волн в результате дифракции и при отражении от незеркальных границ. Подчеркнута важность разрешения и расщепления интерференционных волн при сейсморазведке в районах со сложным геологическим строением, изложены принципы метода регулируемого направленного приема (РНП) и особенности его цифровой модификации (ЦМРНП). Для студентов-геофизиков нефтяных, горных и геологоразведочных вузов и факультетов.

Держатели документа:
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44
Экземпляры всего: 1
ИВМ-Фонд (1)
Свободны: ИВМ-Фонд (1)

[Текст] : монография / Быковский Ю.А., В.Н. Неволин, В.Ю. Фоминский. - Москва : Энергоатомиздат, 1991. - 237 с. : ил., табл. - Библиогр.: с. 232-236 . - ISBN 5-283-03921-8 : 2.80 р.ББК К55

Аннотация: Рассмотрены технические аспекты проблемы ионной имплантации и наносекундного лазерного легирования металлических материалов. Изложены современные представления о физике процессов формирования метастабильных сплавов в экстремально неравновесных условиях ионной имплантации и лазерного легирования. Показано влияние кинетических условий, теплофизических и термодинамических характеристик "сплавляемых" элементов на особенности формирования метастабильных сплавов. Особое внимание уделено сравнительному анализу неравновесных структур, созданных ионной и лазерной имплантацией. Для научных работников в области физики твердого тела, физики металлов, материаловедения, модификации свойств материалов. Может быть рекомендована студентам старших курсов, специализирующимся в области физики твердого тела.

Держатели документа:
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44

Доп.точки доступа:
Фоминский, В.Ю.; Неволин, В.Н.
Экземпляры всего: 1
ИВМ-Фонд (1)
Свободны: ИВМ-Фонд (1)

[Текст] : монография / П.Н. Вабищевич. - Москва : МГУ им. М.В.Ломоносова, 1991. - 156 с. : ил. - Библиогр. в конце глав. - ISBN 5-211-01578-9 :

УДК	519.63:532.5

Аннотация: В монографии изложены основы метода фиктивных областей при приближенном решении задач математической физики в сложных областях. Он основан на переходе к задаче в регулярной области, целиком содержащей исходную. Рассмотрены вопросы обоснования такого подхода на дифференциальном уровне при исследовании краевых задач для эллиптических и параболических уравнений, задач на собственные значения. Строятся модификации хорошо известных итерационных методов для решения сеточных задач, возникающих при использовании методы фиктивных областей. Возможности метода фиктивных областей иллюстрируются на примерах решения задач идеальной и вязкой несжимаемой жидкости, фильтрации под гидротехническим сооружением. Для специалистов по прикладному математическом моделированию, студентов старших курсов.

Держатели документа:
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44 ИВМ-Фонд
Свободных экз. нет