Сводный каталог книг

: [учеб. для вузов по специальности "Технология спец. материалов электрон. техники"] / В. В. Горбачев, Л. Г. Спицына. - 2-е изд., перераб. и доп. - М. : Металлургия, 1982. - 336 с. : ил. - Библиогр. - 6800 экз. - 1.0 р., 1.10 р.

ГРНТИ	29.19.31	29.19
УДК	537.311(075.8)	539.2(075.8)

ББК В378.2я73 + К2я73 + В379.2я73


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Спицына, Лариса Григорьевна
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (1), ИХХТ-АБ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ИХХТ-АБ (1)

/ В. И. Перель [и др.] ; под ред. Б. П. Захарчени ; Акад. наук СССР, Физ.-техн. ин-т им. А.Ф. Иоффе. - Л. : Наука, Ленингр. отд-ние, 1989. - 408 с. : ил. - (Современные проблемы науки о конденсированных средах / гл. ред. В.М. Агранович, А.А. Марадудин). - Библиогр. в конце глав. - 950 экз. - ISBN 5-02-024533-Х : 6.50 р., 6.50 р.

ГРНТИ	29.19.31
УДК	587.632	537.3

ББК В379.231.24 + В379.24


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44

Доп.точки доступа:
Перель, В. И.; Захарченя, Борис Петрович; Дьяконов, М. И.; Захарченя, Борис Петрович \ред.\; Академия наук СССР; Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР
Экземпляры всего: 3
ИФ-КФ (1), ИВМ-Фонд (1), ИХХТ-АБ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ИВМ-Фонд (1), ИХХТ-АБ (1)

/ Б. Ридли ; пер. с англ. И. П. Звягина, А. Г. Миронова. - М. : Мир, 1986. - 304 с. : ил. - Библиогр. в конце глав. - Пер. изд. : Quantum processes in semiconductors / B. K. Ridley. - 3.00 р., 3.00 р.
    Содержание:
Зонная структура полупроводников
Энергетические уровни
Рассеяние на колебаниях решетки
Рассеяние на примеси
Излучательные переходы
Безызлучательные переходы

ГРНТИ	29.19.31
УДК	537.33+535.2%ББК 22.379

ББК В379.13

Аннотация: Книга известного английского физика Б. Ридли удачно дополняет имеющиеся учебные пособия по физике полупровлдников. Обсуждаются особенности зонной структуры и дискретных энергетических уровней, характеристики процессов рассеяния, излучательных и безизлучательных переходов в полупроводниках. Изложение физических идей и принципиальных особенностей рассматриваемых явлений сочетается с описанием результатов для конкретных материалов с учетом специфики их электронной структуры - многодолинности, анизотропии, симметрии электронных состояний и т.п. Книга рассчитана на студентов, аспирантов и исследователей-экспериментаторов, специализирующихся в области физики полупроводников.

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44

Доп.точки доступа:
Звягин, И. П. \пер.\; Миронов, А. Г. \пер.\; Ridley, B. K.
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (1), ИВМ-Фонд (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ИВМ-Фонд (1)

[Текст] : сб. науч. тр. / Рос. акад. наук. Сиб. отд-ние. Ин-т физики полупроводников ; Отв. ред. Неизвестный И.Г. - Новосибирск : Институт физики полупроводников СО РАН, 1996. - 326 с. : ил. - Текст рус., англ. - Указ. авт.: с. 307-310. - ISBN 5-7623-1179-1 : 10.00 р.

УДК

621.315.592

539.1

Аннотация: Сборник состоит из рефератов теоретических и экспериментальных работ, выполненных сотрудниками Института физики полупроводников в 1994-95г.г., опубликованных и отосланных в печать в зарубежные и российские журналы. Рефераты отражают результаты исследований в области микроэлектроники, микрофотоэлектроники, физики поверхности, радиационной физики полупроводников, лазерной физики, акустоэлектроники, технологических основ получения полупроводниковых структур, в том числе структур с пониженной размерностью, и исследованию их свойств. Небольшая глава посвящена методам математической обработки массивов информации в распределенных вычислительных системах. Сборник представляет интерес для специалистов в области физики полупроводников и диэлектриков, физики твердого тела, микроэлектроники, квантовой электроники, акустоэлектроники и может быть полезен для студентов старших курсов университетов, специализирующихся в перечисленных выше научных направлениях.

Держатели документа:
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44
Экземпляры всего: 1
ИВМ-Фонд (1)
Свободны: ИВМ-Фонд (1)

[Текст] : монография / М. Шур; Пер. с англ. [С.Д.Барановского и др.]; Под ред. М.Е.Левинштейна, В.Е.Челнокова. - Москва : Мир, 1991. - 632 с. : ил + табл. - Библиогр. в конце глав. - ISBN 5-03-001459-4 : 10.00 р., 10.00 р.

ГРНТИ	47.33	29.19.31
УДК	546.28%ББК 31.233

ББК З 852.39 + В379.2

Аннотация: Книга написана известным американским специалистом в области физики полупроводников М.Шуром. Подробно изложены электрофизические свойства GaAs. Особое внимание уделено явлениям переноса в субмикронных структурах. Рассмотрены все основные методы получения и исследования GaAs. Подробно изложена физика эффекта Ганна и описаны его многочисленные применения. Главное внимание уделено анализу работы полевого транзистора. С единой точки зрения проанализированы физические принципы работы транзисторов, их применение в схемах, включая различные типы ИС, работа транзисторных структур, использующих свойства двумерного электронного газа. Для специалистов в области физики полупроводников, полупроводниковой электроники и схемотехники, аспирантов и студентов соответствующих специальностей.

Держатели документа:
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44
Экземпляры всего: 2
ИВМ-Фонд (1), ИХХТ-АБ (1)
Свободны: ИВМ-Фонд (1), ИХХТ-АБ (1)

[Текст] / В. И. Лисойван ; ред. С. В. Борисов ; Академия наук СССР , Сибирское отделение, Институт неорганической химии . - Новосибирск : Наука. Сибирское отделение, 1982. - 126 с. : ил. - Библиогр.: с. 119-124. - 1.20 р.

ГРНТИ

29.19

29.03

31.15.17

ББК В372.212.1,0

Аннотация: Метод прецизионных измерений параметров элементарной ячейки монокристаллов, основы которого разработал В.Л. Бонд, получает все большее распространение. В книге изложены принципы измерения, способы контроля геометрии, введение поправок измерения, способы контроля геометрии, введение поправок. Детально анализируются условия получения максимальной точности или определения размеров элементарной ячейки и углов между ее осями. Описаны различные конструкции однокристальных спектрометров как зарубежных , так и отечественных, предназначенных для работы в широком интервале температур. Приводятся примеры использования метода для измерения однородности кристаллов, установления строения примесных дефектов, изучения фазовых переходов, определения теплового расширения и т.д. Обсуждаются результаты по кремнию, германию, алмазу, арсениду галлия, а также некоторым моноклинным и триклинным кристаллам.

Держатели документа:
Центральная научная библиотека КНЦ СО РАН : 660036, г. Красноярск, Академгородок, 50

Доп.точки доступа:
Борисов, Станислав Васильевич \ред.\; Академия наук СССР . Сибирское отделениеИнститут неорганической химии
Экземпляры всего: 1
ЦНБ-ХР (1)
Свободны: ЦНБ-ХР (1)

: учебник для средних специальных учебных заведений по специальности "Производство микроэлектронных устройств" / Г. И. Гранитов. - М. : Сов. радио, 1977. - 183 с. : табл., рис. - Библиогр.: с. 133 (23 назв.). - 0.39 р.

ГРНТИ	29.19.31
УДК	621.382(075)

ББК В379я7
РУБ 621.382


Экземпляры всего: 1
ИХХТ-АБ (1)
Свободны: ИХХТ-АБ (1)