Содержание:
Электронные явления на поверхности полупроводников
Теоря поверхностных неравновесных электронных процессов в полупроводниках
Физические свойства реальной поверхности германия и кремния, легированной примесями металлов
Импульсная адсорбция молекул на поверхности полупроводников и газовые датчики на ее основе
Электрофизические свойства МДП-структур, имплантированных ионами бора
Роль поверхности в формировании фотоэлектрической памяти в арсениде галлия
Приповерхностное перезаселение долин в электронном кремнии
Поверхностные поляритоны в карбиде кремния
Кристаллическое строение и колебание атомов на атомарно-чистой поверхности полупроводников
Дислокации границы раздела и остаточные деформации в эпитаксиальных пленках
Электрохимические явления на границе раздела полупроводник-расплав
ГРНТИ |
Рубрики:
Полупроводники--Поверхность
Кл.слова (ненормированные):
физико-химия полупроводников -- микроэлектроника
Полупроводники--Поверхность
Кл.слова (ненормированные):
физико-химия полупроводников -- микроэлектроника
Аннотация: Монография посвящена изложению физических процессов формирования неравновесных электронных и оптических явлений на поверхности и в приповерхностных слоях полупроводников, изучению микромеханизмов, ответственных за их формирование, и установлению природы наблюдаемых эффектов. Обсуждаются вопросы, относящиеся к смежной области: физико-химии поверхности полупроводников и границ радела.
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Центральная научная библиотека КНЦ СО РАН : 660036, г. Красноярск, Академгородок, 50
Доп.точки доступа:
Снитко, О. В.; Саченко, А. В.; Примаченко, В. Е.; Антощук, В. В.; Снитко, О. В. \ред.\; Академия наук Украинской ССР; Институт полупроводников АН Украинской ССР
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (1), ЦНБ-ХР (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ЦНБ-ХР (1)