Сводный каталог книг

/ С. Ю. Лукьянов ; Акад. наук СССР, Физ.-тех. ин-т. - М. ; Л. : Изд-во АН СССР, 1948. - 370 с. - 2.40 р.

ГРНТИ

47.29.31

ББК З854


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Академия наук СССР; Физико-технический институт АН СССР
Экземпляры всего: 1
ИФ-Музей (1)
Свободны: ИФ-Музей (1)

: пер. с англ. / М. Бродски [и др.] ; ред. М. Бродски ; пер.: А. А. Андреев, В. А. Алексеев. - М. : Мир, 1982. - 419 с. - (Проблемы прикладной физики). - Библиогр.: с. 409-414. - Предм. указ.: с. 415-416. - Пер. изд. : Amorphous semiconductors. - 4.00 р., 4.00 р.

ГРНТИ

29.19.31

ББК В379.212.4 + В371.24 + В379.2 + В379.224,0

Аннотация: Коллективная монография, написанная ведущими специалистами США, Великобритании, ФРГ, Бельгии и Франции. Освещены все основные направления исследований в области физики аморфного состояния- от проблем теоретического описания электронного спектра, кинетических и оптических свойств до проблем изготовления солнечных батарей на основе аморфных полупроводников.

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Центральная научная библиотека КНЦ СО РАН : 660036, г. Красноярск, Академгородок, 50

Доп.точки доступа:
Бродски, М.; Карлсон, Д.; Коннел, Дж.; Дэвис, Э.; Фишер, Р.; Хэйс, Т.; Крамер, Б.; Ле-Комбер, П.; Люковски, Дж.; Нагельс, П.; Соломон, И.; Спир, У.; Уэйр, Д.; Вронски, К.; Бродски, М. \ред.\; Андреев, А. А. \пер.\; Алексеев, В. А. \пер.\
Экземпляры всего: 4
ИФ-КФ (2), ИХХТ-АБ (1), ЦНБ-ХР (1)
Свободны: ИФ-КФ (2), ИХХТ-АБ (1), ЦНБ-ХР (1)

/ Г. Франк, В. Шнейдар ; пер. на рус. яз.: инж. Миллер Б. В. - Прага : Гостехиздат, 1960. - 570 с. : рис., фот. - Библиогр. в конце глав. - Предм. указ.: с. 567-570. - 3565 экз. - 1.50 р.
    Содержание:
Физические основы кристаллических приборов
Кристаллическая структура полупроводников
Зонная модель
Электроны и дырки в гомогенном кристалле
Нелинейные явления при прохождении тока в полупроводниках
Физические основы транзисторов
Кристаллические фотоэлементы
Влияние магнитного поля на полупроводник
Влияние температуры на свойства полупроводников
Поверхностные явления
Полупроводниковый материал для кристаллических приборов
Химическая очистка
Зонная плавка
Вытягивание монокристаллов
Рекристаллизация (вплавление)
Диффузия доноров и акцепторов
Обработка германия и кремния
Свойства германия и кремния
Измерение основных параметров полупроводниковых материалов
Ориентировка кристаллов
Измерение проводимости и подвижности
Энергетические уровни в запретной зоне
Термоэлектрическое явление
Измерение оптических параметров
Измерение времени жизни основных носителей
Двухэлектродные полупроводниковые приборы
Кристаллические триоды и их свойства
Основные параметры транзистора в качестве усилителя
Дуальность транзистора и вакуумного триода
Электрические параметры основных схем усилителей на транзисторах
Измерение основных параметров транзистора
Построение статических характеристик
Измерение параметров rik и hik
Измерение усиления по току, по напряжению и по мощности
Определение стабильности в режиме короткого замыкания
Измерение предельной частоты
Измерение емкости коллектора и эмиттера
Измерение шума транзистора
Определение импульсных свойств транзистора
Кристаллические тетроды
Обзор наиболее распространенных типов транзисторов
Техника усилителей на транзисторах
Цепи смещения транзисторов
Однокаскадные низкочастотные усилители
Многокаскадные усилители
Высокочастотные усилители
Основы генераторов на транзисторах
Переключающие схемы и формирование импульсов

ГРНТИ

29.19.31

47.33

47.01.33

ББК З852я73 + В379


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Шнейдар, Вацлав; Миллер, Б. В. \пер.\
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)

/ К. Хилсум, А. Роуз-Инс ; пер. с англ. [и предисл.] М. М. Горшкова и А. Э. Наджипа ; под ред. Н. П. Сажина и Г. В. Захваткина. - М. : Изд-во иностр. лит., 1963. - 324 с. : рис. - Библиогр. в конце глав. - Доп. лит.: с. 305-320. - Пер. изд. : Semiconducting III-V compounds / C. Hilsum, A. C. Rose-Innes. - 1.24 р.
    Содержание:
Кристаллическая структура и химическая связь
Свойства структуры цинковой обманки
Следствия отсутствия инверсионной симметрии плоскости
Пьезоэлектрический эффект
"Ионность" связи
Расположение атомов
Скалывание
Инфракрасное поглощение на колебаниях решетки
Спин-орбитальное расщепление
Ширина запрещенной зоны
Электроотрицательность. Выводы о характере связи
Зонная структура
Значение зонной структуры
Теория зонной структуры
Симметрия
Спин-орбитальные эффекты
Одномерная модель
Метод возмущений Германа
Циклотронный резонанс и диамагнитный эффект Ландау
Зонная структура антимонида индия
Зона проводимости
Валентная зона
Зонная структура арсенида индия
Зонная структура антимонида галлия
Зонная структура арсенида галлия
Зонная структура фосфида галлия
Зонная структура антимонида алюминия
Зонная структура нитрида бора
Общий обзор энергетических схем соединений III-V
Примеси и дефекты
Доноры и акцепторы
Водородоподобная модель примесей
Антимонид индия
Донорные примеси
Акцепторные уровни
Примесная зона
Арсенид индия
Фосфид индия
Антимонид галлия
Арсенид галлия
Фосфид галлия
Антимонид алюминия
Смешанные кристаллы
Диффузия
Дислокационные трещины
Получение соединений III-V
Образование соединений
Очистка элементов
Методы получения
Аппаратура
Остаточные примеси
Очистка бестигельной зонной плавкой
Электрические свойства
Процессы рассеяния
Рассеяния на акустических колебаниях решетки
Рассеяния на оптических колебаниях решетки
Рассеяния на примесях
Рассеяния на носителях
Подвижность в соединениях III-V
Характерные черты переноса носителей
Следствия большого отношения подвижностей
Электрических свойств от магнитного поля
Оптические и фотоэлектрические свойства
Край полосы поглощения
Роль свободных носителей
Поглощение на колебаниях решетки
Показатель преломления
Фотоэлектрические явления
Механизмы рекомбинации
Измерение времени жизни
Эмиссия излучения
Применения
Применения переходов
Диоды с переменной емкостью
Микроволновые детекторы
Коммутирующие диоды
Туннельные диоды
Транзисторы
Применения гальваномагнитных эффектов
Магнетометр, основанный на эффекте Холла
Измеритель магнитной восприимчивости
Измерение электрического тока и мощности
Умножитель на основе на эффекте Холла
Усилитель на основе на эффекте Холла
Магниторезистивные генератор и усилитель
Магниторезистивный датчик перемещения
Оптические применения
Инфракрасные фотоэлементы
Солнечные батареи
Оптические фильтры

ГРНТИ

29.19.31

ББК В379.2 + Г123 + Г124 + Г125 + Г523 + З233


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Роуз-Инс, А.; Горшков, М. М. \пер.\; Наджип, А. Э. \пер.\; Сажин, Н. П. \ред. пер.\; Захваткин, Г. В. \ред. пер.\; Hilsum, C. ; Rose-Innes, A. C.
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)