| ГРНТИ |
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (1), ИВМ-Фонд (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ИВМ-Фонд (1)
Сводный каталог книг
w10=
Найдено документов в текущей БД: 3
Ж
Р 17
З844.16-02с512.2я22 / Р 17-ИВМ-Фонд
Р 17
З844.16-02с512.2я22 / Р 17-ИВМ-Фонд
Система проектирования OrCAD 9.2
/ В.Д. Разевиг. - М. : СОЛОН-Р, 2001. - 519 с. : ил. - (Системы проектирования). - ISBN 5-93455-104-3 : 121.00 р., 12.10 р.
ББК Ж2 + З844-02
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (1), ИВМ-Фонд (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ИВМ-Фонд (1)
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (1), ИВМ-Фонд (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ИВМ-Фонд (1)
З85
П909
З 844 / П909-ИХХТ-АБ
П909
З 844 / П909-ИХХТ-АБ
Зарубежные интегральные микросхемы и их отечественные аналоги
[Текст] : справочное издание / Н.А. Пучков; Справочник. - Москва : Машиностроение, 1993. - 192 с. : ил., табл. - ISBN 5-217-02620-0 : 75.00 р., 750.00 р.
ББК З85 + З 844.15я22
Аннотация: В справочнике в удобном для читателя алфавитном порядке представлены более двух тысяч интегральных микросхем (ИМС) зарубежного производства, соответствующие им отечественные аналоги и их функциональное назначение. Приведены ИМС производства ведущих фирм США, Великобритании, Японии, Германии, Южной Кореи, Голландии и др. Справочник содержит ИМС широкой области применения: от промышленного назначения до бытового. Кроме таблицы аналогов в справочнике содержатся описание принципов маркировки ИМС этих фирм, основные фирменные знаки, применяемые при маркировке, и типовые варианты корпусов. Для инженеров и техников, занимающихся проектированием, эксплуатацией и ремонтом электронной аппаратуры, а также для широкого круга радиолюбителей.
Держатели документа:
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44
Экземпляры всего: 2
ИВМ-ЧЗ (1), ИХХТ-АБ (1)
Свободны: ИВМ-ЧЗ (1), ИХХТ-АБ (1)
| ГРНТИ |
Аннотация: В справочнике в удобном для читателя алфавитном порядке представлены более двух тысяч интегральных микросхем (ИМС) зарубежного производства, соответствующие им отечественные аналоги и их функциональное назначение. Приведены ИМС производства ведущих фирм США, Великобритании, Японии, Германии, Южной Кореи, Голландии и др. Справочник содержит ИМС широкой области применения: от промышленного назначения до бытового. Кроме таблицы аналогов в справочнике содержатся описание принципов маркировки ИМС этих фирм, основные фирменные знаки, применяемые при маркировке, и типовые варианты корпусов. Для инженеров и техников, занимающихся проектированием, эксплуатацией и ремонтом электронной аппаратуры, а также для широкого круга радиолюбителей.
Держатели документа:
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44
Экземпляры всего: 2
ИВМ-ЧЗ (1), ИХХТ-АБ (1)
Свободны: ИВМ-ЧЗ (1), ИХХТ-АБ (1)
З 852.3-01
Д 33
Д 33
Компактные модели МОП-транзисторов для SPICE в микро-и наноэлектронике
[Текст] : монография / Денисенко В. В. - Москва : ФИЗМАТЛИТ, 2010. - 408 с. : ил. ; 22 см. - 500 экз. - ISBN 978-5-9221-1200-0 (в пер.) : 555.00 р.
ББК З 852.3-01с512 + З 844.15-01с512
Аннотация: Монография содержит систематическое изложение принципов построения компактных моделей МОП-транзисторов для схемотехнического моделирования электронных цепей, в том числе СБИС. Рассмотрены проблемы моделирования, физические процессы в микро- и нанометровых МОП-транзисторах, методы формирования уравнений компактных моделей, особенности моделей BSIM, EKV, PSP, HiSIM и др., табличные модели, полунатурные модели. Для разработчиков интегральных схем и электронной аппаратуры, разработчиков САПР СБИС, научных работников и аспирантов. Может быть полезна студентам физических специальностей университетов.
Перейти к просмотру издания
Экземпляры всего: 1
ЦНБ-АБ (1)
Свободны: ЦНБ-АБ (1)
| ГРНТИ | |
| УДК |
Рубрики:
Транзисторы --Компьютерное моделирование
Интегральные схемы--Компьютерное моделирование
Радиотехника.электроника --Полупроводниковая электроника
Кл.слова (ненормированные):
Компактная модель -- МОП-транзистор -- Микроэлектроника -- Наноэлектроника -- Схемотехническое моделирование -- Интегральная схема -- Электронная аппаратура
Транзисторы --Компьютерное моделирование
Интегральные схемы--Компьютерное моделирование
Радиотехника.электроника --Полупроводниковая электроника
Кл.слова (ненормированные):
Компактная модель -- МОП-транзистор -- Микроэлектроника -- Наноэлектроника -- Схемотехническое моделирование -- Интегральная схема -- Электронная аппаратура
Аннотация: Монография содержит систематическое изложение принципов построения компактных моделей МОП-транзисторов для схемотехнического моделирования электронных цепей, в том числе СБИС. Рассмотрены проблемы моделирования, физические процессы в микро- и нанометровых МОП-транзисторах, методы формирования уравнений компактных моделей, особенности моделей BSIM, EKV, PSP, HiSIM и др., табличные модели, полунатурные модели. Для разработчиков интегральных схем и электронной аппаратуры, разработчиков САПР СБИС, научных работников и аспирантов. Может быть полезна студентам физических специальностей университетов.
Перейти к просмотру издания
Экземпляры всего: 1
ЦНБ-АБ (1)
Свободны: ЦНБ-АБ (1)