Содержание:
Введение в имплантацию и лучевую технологию
Аморфизация и кристаллизация полупроводников
Гиббонс, Дж. Г. Применение кинетического уравнения Больцмана к описанию ионной имплантации в полупроводниках и многослойных мишенях / Дж. Г. Гиббонс, Л. А. Кристел
Дэвис, Дж. А. Каскады столкновений с высокой плотностью энергии и эффекты пиков / Дж. А. Дэвис
Браун, В. Л. Имплантация диэлектриков: льды и материалы для литографии / В. Л. Браун
Андерсен, Х. Х. Изменение состава сплавов и соединений под воздействием ионной бомбардировки / Х. Х. Андерсен
Эпплот, Б. Р. Ионно-лучевое и лазерное перемешивание: фундаментальные аспекты и применения / Б. Р. Эпплот
Бинленд, Д. Г. Высокодозовая имплантация / Д. Г. Бинленд
Раппрехт, Х. С. Тенденции использования ионной имплантации в крмемниевой технологии / Х. С. Раппрехт, А. Е. Мичел
Эйзен, Ф. Х. имплантация в технологии приборов на основе GaAs / Ф. Х. Эйзен
Баглин, Дж. Контакты и межсоединения на полупроводниках / Дж. Баглин [и др.]
Другие авторы: Харрисон Х., Тэндон Дж., Вильямс Дж. С.
Кремний
Арсенид галлия
ГРНТИ | |||
УДК |
Рубрики:
Полупроводники--Поверхность--Облучение--Технологии
Ионная имплантация--Полупроводники
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковая электроника%приборостроение -- ионное легирование -- электронно-лучевая технология
Полупроводники--Поверхность--Облучение--Технологии
Ионная имплантация--Полупроводники
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковая электроника%приборостроение -- ионное легирование -- электронно-лучевая технология
Аннотация: В монографии описаны физические процессы, научные основы промышленной технологии и главные направления практического применения ионной имплантации и лучевой технологии. С привлечением фундаментальных представлений освещаются образование дефектов, аморфизация, кристаллизация при ионной имплантации и факторы, определяющие глубину залегания имплантированных слоев. Дан сопоставительный анализ ионной имплантации и лучевой технологии, обсуждаются возможности их совместного применения. Приведены примеры обработки полупроводников различными имплантами. Для специалистов в области полупроводниковой электроники, вычислительной техники, приборостроения.
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44
Доп.точки доступа:
Вильямс, Дж. С. \ред.\; Поут, Дж. М. \ред.\; Евстигнеев, А. М. \пер.\; Снитко, О. В. \ред. пер.\; Вильямс, Дж. С.
Экземпляры всего: 3
ИФ-КФ (1), ИВМ-Фонд (1), ИХХТ-АБ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ИВМ-Фонд (1), ИХХТ-АБ (1)