Сводный каталог книг

[Текст] : Электротехника, электроника, материалы и их обработка / О.Г. Верховцев, К.П. Лютов. - 2-е изд., перераб. и доп. - Ленинград : Энергоатомиздат, 1987. - 207 с. : ил. - Библиогр: с.202. - 1.60 р., 1.60 р.

ГРНТИ	45
УДК	621.3.032/035%ББК 32.85

ББК З 23

Аннотация: Приведены сведения об основных материалах, применяемых в любительской практике, технологические приемы обработки материалов, рекомендации по изготовлению и усоврешенствованию простейшего инструмента и приспособлений, приемы изготовления и ремонта некоторых деталей. Эти сведения помогут читателю выбрать необходимый материал и обработать его в домашних условиях. Первое издание вышло в 1984 г. Для любителей, увлекающихся конструированием и изготовлением различных электронных и электротехнических устройств. Переиздается по предложению книготорговых организаций.

Держатели документа:
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44

Доп.точки доступа:
Лютов, К.П.
Экземпляры всего: 2
ИВМ-Фонд (1), ИХХТ-АБ (1)
Свободны: ИВМ-Фонд (1), ИХХТ-АБ (1)

/ В. Н. Ушаков, О. В. Долженко. - М. : Радио и связь, 1983. - 320 с. : ил. - Библиогр.: с. 320. - 1.20 р.ББК 3 85

Аннотация: Рассматриваются элементарные основы теории сигналов, основы физики и характеристики полупроводниковых приборов. Излагаются принципы работы и построения основных электронных устройств (усилителей, генераторов и т. д.) и простейшие методы их анализа. Приводятся примеры расчета устройств.


Доп.точки доступа:
Долженко, Олег Владимирович
Экземпляры всего: 1
ИХХТ-АБ (1)
Свободны: ИХХТ-АБ (1)

[Текст] : В 2-х ч. Ч.2. Элементы и маршруты изготовления кремниевых ИС и методы их математического моделирования / М. А. Королев [и др.] ; Под ред. Ю. А. Чаплыгина. - Москва : Бином. Лаборатория знаний, 2012. - 422 с. : ил., рис., табл., фот. - ISBN 978-5-94774-585-6 : 328.90 р.

ГРНТИ

47.13

ББК З852

Аннотация: Дано представление об основных маршрутах изготовления и конструкциях изделий микроэлектроники на основе кремния. Рассмотрены основные процессы создания интегральных схем: химическая и плазмохимическая обработка материала; введение примесей в кремний; выращивание окисла кремния и его охлаждение; литография; создание металлических соединений и контактов. Приведены методы моделирования процессов распределения примесей в полупроводниковых структурах. Для студентов и аспирантов, специализирующихся в области микроэлектроники и полупроводниковых приборов. Может быть использовано также специалистами, работающими в данной области.


Доп.точки доступа:
Королев, Михаил Александрович; Крупкина, Татьяна Юрьевна; Путря, Михаил Георгиевич; Шевяков, Василий Иванович; Чаплыгин, Ю.А. \ред.\
Экземпляры всего: 1
ЦНБ-АБ (1)
Свободны: ЦНБ-АБ (1)