Сводный каталог книг

: пер. с англ. / Э. Д. Хэнсер ; ред.: . Д. Эрентраут, . В. Чалый. - М. : Техносфера, 2011. - 383 с. + 25 см. - (Мир радиоэлектроники). - Библиогр. в конце гл. - Пер. изд. : Technology of gallium nitride crystal growth / Dirk Ehrentraut, Elke Meissner, Michal Bockowski. - Berlin; Heidelberg, 2010. - 1500 экз. - ISBN 978-5-94836-293-9 : 840.00 р., 840.00 р.
    Содержание:
Объемные кристаллы GaN
Технология выращивания из паровой фазы
Технология выращивания из раствора
Технология выращивания из расплава
Характеристика кристаллов GaN. Оптические свойства подложек из GaN. Исследование точечных дефектов и примесей в объемном GaN с помощью спектроскопии позитронной аннигиляции

ГРНТИ

29.19.09

31.15.17

ББК В375.14 + Г522 + В375


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Хэнсер, Эндрю; Эванс, Кейт; Коукиту, Акинори ; Кумагаи, Йошинао; Дорадзински, Р.; Двилински, Р.; Гарчински, Д.; Сиржпутовски, Л. П.; Канбара, Й.; Хасимото, Тадао; Накамура, Шуджи; Эрентраут, Дирк; Кагамитани, Юджи; Боковски, Михал; Страк, Павел; Гжегори, Изабелла; Поровски, Сильвестр; Мейсснер, Элке; Хусси, С.; Фридрих, Дж.; Чичибу, Шигефуса; Туомисто, Филип; Эрентраут, Дирк \ред.\; Мейсснер, Элке \ред.\; Боковски, Михал \ред.\; Чалый, В. П. \пер.\; Юдинцев, К. В. \пер.\; Красовицкий, Д. М. \пер.\; Ehrentraut, Dirk; Meissner, Elke; Bockowski, Michal
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (1), ИХХТ-АБ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ИХХТ-АБ (1)