Сводный каталог книг

/ П. Г. Елисеев. - М. : Наука, 1983. - 294 с. - Библиогр.: с. 281-294. - 3300 экз. - 3.30 р., 3.30 р.

ГРНТИ

47.35.31

ББК З86-531.81 + В345.977


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (1), ИВМ-Фонд (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ИВМ-Фонд (1)

: сб. науч. тр. / отв. ред. Н. Г. Басов. - М. : Наука, 1974. - 198 с. - (Труды Физического института им. П.П. Лебедева : изд. с 1936 г. / Акад. наук СССР, Физ. ин-т им. П.П. Лебедева ; т. 75). - Библиогр. в конце ст. - 2100 экз. - 1.11 р.
    Содержание:
Засавицкий, И. И. Излучение полупроводниковых лазеров в сильных магнитных полях и при высоких гидростатических давлениях / И. И. Засавицкий
Заяц, В. А. Исследование коллективных свойств экситонов в германии методам длинноволновой ИК-спектроскопии / В. А. Заяц
Падучих, Л. И. Коллективные взаимодействия экситонов и неравновесных носителей в арсениде галлия и кремнии / Л. И. Падучих

ГРНТИ

29.19.31

29.31.21

47.35.31

47.35.31

ББК В379.24я54 + В345.977я54 + В344.1-144я54


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Басов, Николай Геннадьевич \ред.\; Академия наук СССРФизический институт им. П.Н. Лебедева АН СССР
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)

: сб. науч. тр. / отв. ред. Ю.М. Попов. - М. : Наука, 1983. - 204 с. - (Труды Физического института им. П.П. Лебедева : изд. с 1936 г. / Акад. наук СССР, Физ. ин-т им. П.П. Лебедева ; гл. ред. Н. Г. Басов ; т. 141). - Библиогр. в конце ст. - 1650 экз. - 2.90 р.
    Содержание:
Елисеев, Петр Георгиевич. Исследование инжекционных лазеров в ФИАНЕ / П. Г. Елисеев
Безотосный, В. В. Инжекционные гетеролазеры на основе GaInPAs/InP / В. В. Безотосный
Долгинов, Л. М. Инжекционные лазеры на основе гетероструктур AlGaASb/GaSb и InGaAsSb/GaSb / Л. М. Долгинов
Богатов, А. П. Исследование непрерывного инжекционного лазера с внешним дисперсионным резонатором / А. П. Богатов
Елисеев, Петр Георгиевич. Исследование планарных полосковых гетеролазеров на основе AlGaAs-GaAs / П. Г. Елисеев
Елисеев, Петр Георгиевич. Модель инжекционного лазера с плавным изменением комплексной диэлектрической проницаемости вдоль p-n-перехода / П. Г. Елисеев
Елисеев, Петр Георгиевич. Волноводный эффект в лазерных полосковых гетероструктурах с прямоугольным сечением / П. Г. Елисеев
Елисеев, Петр Георгиевич. Теоретическое рассмотрение физических процессов объемной деградации активной среды полупроводниковых лазеров / П. Г. Елисеев
Елисеев, Петр Георгиевич. Рентгенотопографическое исследование лазерных гетероструктур и исходных материалов для инжекционных лазеров / П. Г. Елисеев

ГРНТИ

47.35.31

ББК З86-531.81я54 + В345.977я54


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Попов, Ю. М. \ред.\; Басов, Николай Геннадьевич \ред.\; Академия наук СССР; Физический институт им. П.Н. Лебедева АН СССР
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)

: Программа и тезисы докладов / Рос. акад. наук, Физ.-тех. ин-т им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петерб. акад. ун-т - научно-образов. центр нанотехнологий РАН. Всероссийский сипмозиум "Пролупроводниковые лазеры: физика и технология" (2 ; 10-12 ноября 2010 г. ; СПб.) ; предс. симпоз. Ж. И. Алфёров. - СПб. : ФТИ, 2010. - 77 с. - Библиогр. в конце ст. - 150 экз. - 60.00 р., 60.00 р.

ГРНТИ

47.35.41

29.33.15

ББК З86-534я431


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Алферов, Жорес Иванович \пред.\; Российская академия наукФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН; Санкт-Петербургский академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий РАН; Всероссийский сипмозиум "Полупроводниковые лазеры: физика и технология" (2 ; 10-12 ноября 2010 г. ; СПб.)
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (1), ЦНБ-АБ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ЦНБ-АБ (1)

: Программа и тезисы докладов / Рос. акад. наук, Физ.-тех. ин-т им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петерб. акад. ун-т - научно-образов. центр нанотехнологий РАН. Всероссийский сипмозиум "Полупроводниковые лазеры: физика и технология" (3 ; 13-16 ноября 2012 г. ; СПб.) ; предс. симпоз. Ж. И. Алферов. - СПб. : ФТИ, 2012. - 77 с. - Библиогр. в конце ст. - 125 экз. - 30.00 р.

ГРНТИ

47.35.41

29.33.15

ББК З86-534я431


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Алферов, Жорес Иванович \пред.\; Российская академия наукФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН; Санкт-Петербургский академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий РАН; Всероссийский сипмозиум "Полупроводниковые лазеры: физика и технология" (3 ; 13-16 ноября 2012 г. ; СПб.)
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)